電壓測(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢,？下面我們用圖表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先,，可以把從陰極向上數(shù)的***,、二,、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管，而二,、三四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二、第三層為兩管交迭共用,。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea,，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào)，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,，經(jīng)放大,，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連,，IC1又是BG2的基極電流Ib2,。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大,，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通。不管可控硅的外形如何,，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。寶山區(qū)品牌晶閘管聯(lián)系人

為了克服上述問(wèn)題，可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來(lái)限制電壓的變化,，以防止誤觸發(fā),。一般，電阻取100R,，電容取100nF,。值得注意的是此電阻不能省掉。3,、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大,，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí)，會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,，這種情況**易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生,，很容易導(dǎo)致器件的損壞。此時(shí)可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。4,、關(guān)于可控硅(晶閘管)開(kāi)路電壓變化率DVD/DT在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個(gè)小于它的VDFM的高速變化的電壓時(shí),，內(nèi)部電容的電流會(huì)產(chǎn)生足夠的柵電流來(lái)使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通。這在高溫下尤為嚴(yán)重,，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個(gè)RC緩沖電路來(lái)限制VD/DT,，或可采用高速可控硅(晶閘管)。普陀區(qū)進(jìn)口晶閘管費(fèi)用通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL.

應(yīng)用類(lèi)型雙向可控硅的特性曲線(xiàn)圖4示出了雙向可控硅的特性曲線(xiàn),。由圖可見(jiàn)，雙向可控硅的特性曲線(xiàn)是由一,、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線(xiàn)組合成的。***象限的曲線(xiàn)說(shuō)明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對(duì)T1的極性為正時(shí),，我們稱(chēng)為正向電壓,，并用符號(hào)U21表示。當(dāng)這個(gè)電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時(shí),，圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導(dǎo)通,，這時(shí)的通態(tài)電流為I21，方向是從T2流向Tl,。從圖中可以看到,，觸發(fā)電流越大，轉(zhuǎn)折電壓就越低,，這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是一致的,， 當(dāng)加到主電極上的電壓使Tl對(duì)T2的極性為正時(shí)，叫做反向電壓,，并用符號(hào)U12表示,。當(dāng)這個(gè)電壓達(dá)到轉(zhuǎn)折電壓值時(shí)，圖3（b）觸發(fā)導(dǎo)通,，這時(shí)的電流為I12,，其方向是從T1到T2。這時(shí)雙向可控硅的特性曲線(xiàn),，如圖4中第三象限所示,。

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè)，如表1一5所示,。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí),，1000V以上的管子每200V為一級(jí)。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志,，如表1-6所示,。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示,，如表1一所示,。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V,，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。綜上所述,，小結(jié)如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,，有三個(gè)電極，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由按電流容量分類(lèi)：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、小功率可控硅三種,。

大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管,，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2（P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A,，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,，因?yàn)樗奶匦灶?lèi)似于真空閘流管,，所以國(guó)際上通稱(chēng)為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱(chēng)晶閘管T,，又因?yàn)榫чl管**初的在靜止整流方面,，所以又被稱(chēng)之為硅可控整流元件，簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅SCR,。通常,，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。松江區(qū)銷(xiāo)售晶閘管銷(xiāo)售價(jià)格

控制極觸發(fā)電流（IGT），俗稱(chēng)觸發(fā)電流,。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安,。寶山區(qū)品牌晶閘管聯(lián)系人

通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小),。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱(chēng)為電角度,。這樣,，在U2的每個(gè)正半周，從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱(chēng)為控制角α,；在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯，α和θ都是用來(lái)表示可控硅在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流。寶山區(qū)品牌晶閘管聯(lián)系人

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