為了抑制n+pn-寄生晶體管的工作IGBT采用盡量縮小p+n-p晶體管的電流放大系數(shù)α作為解決閉鎖的措施,。具體地來(lái)說(shuō),，p+n-p的電流放大系數(shù)α設(shè)計(jì)為0.5以下。 IGBT的閉鎖電流IL為額定電流（直流）的3倍以上,。IGBT的驅(qū)動(dòng)原理與電力MOSFET基本相同,，通斷由柵射極電壓uGE決定,。 [2]導(dǎo)通IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET 的結(jié)構(gòu)十分相似，主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個(gè)N+ 緩沖層（NPT-非穿通-IGBT技術(shù)沒(méi)有增加這個(gè)部分）,，其中一個(gè)MOSFET驅(qū)動(dòng)兩個(gè)雙極器件,。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。黃浦區(qū)銷(xiāo)售IGBT模塊銷(xiāo)售廠家

大電流高電壓的IGBT已模塊化,，它的驅(qū)動(dòng)電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外,，已制造出集成化的IGBT**驅(qū)動(dòng)電路。其性能更好,，整機(jī)的可靠性更高及體積更小,。選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見(jiàn)下表,。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí),，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí),，開(kāi)關(guān)損耗增大,，使原件發(fā)熱加劇，因此,，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流,。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí)，由于開(kāi)關(guān)損耗增大,，發(fā)熱加劇,，選用時(shí)應(yīng)該降等使用。奉賢區(qū)銷(xiāo)售IGBT模塊品牌平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,，用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置,。

將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極(D),，紅表筆接IGBT 的源極(S),，此時(shí)萬(wàn)用表的指針指在無(wú)窮處。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和漏極(D),，這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,，萬(wàn)用表的指針擺向阻值 較小的方向,，并能站住指示在某一位置,。然后再用手指同時(shí)觸及一下源極(S)和柵極(G)，這時(shí)IGBT 被阻 斷，萬(wàn)用表的指針回到無(wú)窮處,。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的,。 注意：若進(jìn)第二次測(cè)量時(shí)，應(yīng)短接一下源極(S)和柵極(G),。 任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測(cè)IGBT,。注意判斷IGBT 好壞時(shí)，一定要將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋,，因R×1K Ω擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低,，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通，而無(wú)法判斷IGBT 的好壞,。

當(dāng)柵極和發(fā)射極短接并在集電極端子施加一個(gè)正電壓時(shí),，P/NJ3結(jié)受反向電壓控制。此時(shí),，仍然是由N漂移區(qū)中的耗盡層承受外部施加的電壓,。 [2]閂鎖IGBT在集電極與發(fā)射極之間有一個(gè)寄生PNPN晶閘管。在特殊條件下,，這種寄生器件會(huì)導(dǎo)通,。這種現(xiàn)象會(huì)使集電極與發(fā)射極之間的電流量增加，對(duì)等效MOSFET的控制能力降低,，通常還會(huì)引起器件擊穿問(wèn)題,。晶閘管導(dǎo)通現(xiàn)象被稱為IGBT閂鎖，具體地說(shuō),，這種缺陷的原因互不相同,，與器件的狀態(tài)有密切關(guān)系。通常情況下,，靜態(tài)和動(dòng)態(tài)閂鎖有如下主要區(qū)別：MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小,。

IGBT 的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流,，使IGBT 導(dǎo)通,。反之，加反向門(mén)極電壓消除溝道,，流過(guò)反向基極電流,，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子）,，對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí),，也具有低的通態(tài)電壓,。 [1] [4]IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開(kāi)關(guān)特性,。當(dāng)柵極和發(fā)射極短接并在集電極端子施加一個(gè)正電壓時(shí),，P/NJ3結(jié)受反向電壓控制。嘉定區(qū)如何IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

GTR飽和壓降低,，載流密度大,，但驅(qū)動(dòng)電流較大；黃浦區(qū)銷(xiāo)售IGBT模塊銷(xiāo)售廠家

· 驅(qū)動(dòng)器必須能夠提供所需的門(mén)極平均電流IoutAV 及門(mén)極驅(qū)動(dòng)功率PG,。驅(qū)動(dòng)器的比較大平均輸出電流必須大于計(jì)算值,。· 驅(qū)動(dòng)器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計(jì)算得到的比較大峰值電流,?！?驅(qū)動(dòng)器的比較大輸出門(mén)極電容量必須能夠提供所需的門(mén)極電荷以對(duì)IGBT 的門(mén)極充放電。在POWER-SEM 驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)表中,，給出了每脈沖的比較大輸出電荷,，該值在選擇驅(qū)動(dòng)器時(shí)必須要考慮。另外在IGBT驅(qū)動(dòng)器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力,。黃浦區(qū)銷(xiāo)售IGBT模塊銷(xiāo)售廠家

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