b,、主電路用螺絲擰緊,，控制極g要用插件，盡可能不用焊接方式,。c,、裝卸時(shí)應(yīng)采用接地工作臺(tái)，接地地面,，接地腕帶等防靜電措施,。  d、儀器測(cè)量時(shí),，將1000電阻與g極串聯(lián),。e、要在無電源時(shí)進(jìn)行安裝,。f,焊接g極時(shí),，電烙鐵要停電并接地，選用定溫電烙鐵**合適,。當(dāng)手工焊接時(shí),，溫度260±5℃.時(shí)間（10±1）秒，松香焊劑,。波峰焊接時(shí),，PCB板要預(yù)熱80℃-105℃,在245℃時(shí)浸入焊接3-4IGBT發(fā)展趨向是高耐壓、大電流,、高速度,、低壓降、高可靠,、低成本為目標(biāo)的,，特別是發(fā)展高壓變頻器的應(yīng)用，簡(jiǎn)化其主電路,，減少使用器件,，提高可靠性，降**造成本,，簡(jiǎn)化調(diào)試工作等,，都與IGBT有密切的內(nèi)在聯(lián)系，所以世界各大器件公司都在奮力研究,、開發(fā),，予估近2-3年內(nèi),，會(huì)有突破性的進(jìn)展。已有適用于高壓變頻器的有電壓型HV-IGBT,igct,電流型sgct等,。這時(shí),，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞,。奉賢區(qū)品牌IGBT模塊設(shè)計(jì)

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低，載流密度大,，但驅(qū)動(dòng)電流較大,；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快,，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器,、開關(guān)電源、照明電路,、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域,。奉賢區(qū)品牌IGBT模塊設(shè)計(jì)6. 檢測(cè)IGBT模塊的的辦法。

Q 為柵極電荷,，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè),。例如，常見IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,，負(fù)電壓-9V,，則U=24V，假設(shè) F=10KHz,，Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ,，柵極電阻應(yīng)選取2W電阻，或2個(gè)1W電阻并聯(lián),。三,、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項(xiàng)1、盡量減小柵極回路的電感阻抗,，具體的措施有：a)驅(qū)動(dòng)器靠近IGBT減小引線長(zhǎng)度,；b) 驅(qū)動(dòng)的柵射極引線絞合,，并且不要用過粗的線；c) 線路板上的 2 根驅(qū)動(dòng)線的距離盡量靠近,；d) 柵極電阻使用無感電阻,；e) 如果是有感電阻，可以用幾個(gè)并聯(lián)以減小電感,。2,、IGBT 開通和關(guān)斷選取不同的柵極電阻

1947年12月，美國貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克利,、巴丁和布拉頓組成的研究小組,，研制出一種點(diǎn)接觸型的鍺晶體管。晶體管的問世,，是20世紀(jì)的一項(xiàng)重大發(fā)明,，是微電子**的先聲。晶體管出現(xiàn)后,，人們就能用一個(gè)小巧的,、消耗功率低的電子器件，來代替體積大,、功率消耗大的電子管了,。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的誕生吹響了號(hào)角。20世紀(jì)**初的10年,，通信系統(tǒng)已開始應(yīng)用半導(dǎo)體材料,。20世紀(jì)上半葉，在無線電愛好者中***流行的礦石收音機(jī),，就采用礦石這種半導(dǎo)體材料進(jìn)行檢波,。半導(dǎo)體的電學(xué)特性也在電話系統(tǒng)中得到了應(yīng)用。晶體管的發(fā)明,，**早可以追溯到1929年,，當(dāng)時(shí)工程師利蓮費(fèi)爾德就已經(jīng)取得一種晶體管的**。但是,，限于當(dāng)時(shí)的技術(shù)水平,，制造這種器件的材料達(dá)不到足夠的純度，而使這種晶體管無法制造出來,。開關(guān)損耗增大,，使原件發(fā)熱加劇，因此,，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流,。

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,，具有出色的器件性能,。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器,、變頻家電等領(lǐng)域,。IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大,，驅(qū)動(dòng)功率小,，控制電路簡(jiǎn)單，開關(guān)損耗小,，通斷速度快,，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn),。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件,，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低,，開關(guān)頻率高（可達(dá)20khz）,，這兩點(diǎn)非常顯著的特性，**近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳,，相繼東芝,、富士、ir,摩托羅拉亦已在開發(fā)研制新品種,。盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合;奉賢區(qū)品牌IGBT模塊設(shè)計(jì)

在這種溝槽結(jié)構(gòu)中，實(shí)現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關(guān)斷時(shí)間之間折衷的更重要的改進(jìn),。奉賢區(qū)品牌IGBT模塊設(shè)計(jì)

測(cè)量靜態(tài)測(cè)量:把萬用表放在乘100檔,測(cè)量黑表筆接1端子,、紅表筆接2端子,顯示電阻應(yīng)為無窮大; 表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.用同樣的方法,測(cè)量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應(yīng)為無窮大;表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.若符合上述情況表明此IGBT的兩個(gè)單元沒有明顯的故障. 動(dòng)態(tài)測(cè)試: 把萬用表的檔位放在乘10K檔,用黑表筆接4端子,紅表筆接5端子,此時(shí)黑表筆接3端子紅表筆接1端子, 此時(shí)電阻應(yīng)為300-400歐,把表筆對(duì)調(diào)也有大約300-400歐的電阻表明此IGBT單元是完好的. 用同樣的方法測(cè)試1,、2端子間的IGBT,若符合上述的情況表明該IGBT也是完好的,。 奉賢區(qū)品牌IGBT模塊設(shè)計(jì)

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