將兩只單向可控硅SCRl,、SCR2反向并聯(lián)．再將控制板與本觸發(fā)電路連接,，就組成了一個(gè)簡單實(shí)用的大功率無級(jí)調(diào)速電路。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源,，只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源,，兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動(dòng)直流電壓產(chǎn)生，調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角,，增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個(gè)主可控硅阻斷,，因此R2還可起開關(guān)的作用。該電路的另一個(gè)特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通,，一個(gè)的正向壓降就是另一個(gè)的反向壓降,，因此不存在反向擊穿問題,。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過阻斷電壓時(shí)，SCR1,、SCR2會(huì)誤導(dǎo)通,，導(dǎo)通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構(gòu)成普通移相觸發(fā)電路,，其原理這里從略,。Ug到來得晚，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚,。靜安區(qū)品牌晶閘管聯(lián)系人

安裝過程中,，螺絲刀決不能對(duì)器件塑料體施加任何力量；和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理,，保證平坦,，10mm上允許偏差0.02mm；安裝力矩（帶墊圈）應(yīng)在0.55nm 和0.8nm 之間,；應(yīng)避免使用自攻絲螺釘,，因?yàn)閿D壓可能導(dǎo)致安裝孔周圍的隆起，影響器件和散熱器之間的熱接觸,。安裝力矩?zé)o法控制,，也是這種安裝方法的缺點(diǎn)；器件應(yīng)首先機(jī)械固定,，然后焊接引線,。這可減少引線的不適當(dāng)應(yīng)力。一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,，創(chuàng)制于1957年,，由于它特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管,，簡稱可控硅T,。又由于可控硅**初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR,。靜安區(qū)品牌晶閘管聯(lián)系人向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋?/p>

可控硅元件的結(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。見圖1,。它有三個(gè)PN結(jié)（J1、J2,、J3）,，從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級(jí)K，從P2層引出控制極G,，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件,。結(jié)構(gòu)原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié),，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,，其等效圖解如右圖所示,。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件,，也稱作雙向晶閘管,。

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布?jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗***增加,，允許通過的平均電流相降低,，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用,?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍,；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通,、關(guān)斷,；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花,、無噪音,；效率高，成本低等等,?？煽毓璧娜觞c(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通,。小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng),。額定電流：IA小于2A。

雙向可控硅的相位控制與單向可控硅很類似,但因雙向可控硅能雙向?qū)?在正負(fù)半周均能觸發(fā),可作為全波功率控制之用.因此雙向可控硅除具有單向可控硅的優(yōu)點(diǎn),更方便交流功率控制。右圖(a)為雙向可控硅相位控制電路à電子技術(shù)中,常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱為電角度,。這樣,在交流電的正、負(fù)半周,從規(guī)定時(shí)刻(通常為零值),，開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角αz晶閘管導(dǎo)通期間所對(duì)應(yīng)的電角度叫導(dǎo)通角0,。在右圖(a)中,適當(dāng)調(diào)整觸發(fā)電路的RC時(shí)間常數(shù)即可改變它的控制角。右圖(b)(c)分別是控制角為30°和導(dǎo)通:角150°時(shí)的UAi-z及負(fù)載的電壓波形,。一般雙向可控硅所能控制的負(fù)載遠(yuǎn)比單向可控硅小,大體上而言約在600 V,40 A以下,。 [2]大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等,。青浦區(qū)質(zhì)量晶閘管銷售價(jià)格

在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性,。靜安區(qū)品牌晶閘管聯(lián)系人

5,、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下，控制極斷路,，維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等,?？煽毓栌卸喾N分類方法。（一）按關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅,、逆導(dǎo)可控硅,、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。靜安區(qū)品牌晶閘管聯(lián)系人

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