絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領域中已經(jīng)得到廣泛的應用，在實際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅動器的作用對整個換流系統(tǒng)來說同樣至關重要,。驅動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統(tǒng)的可靠性,。驅動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 IGBT 和驅動器損壞。以下總結了一些關于IGBT驅動器輸出性能的計算方法以供選型時參考,。圖2IGBT 的開關特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻,。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容,、CCE 是集電極-發(fā)射極電容,、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。6. 檢測IGBT模塊的的辦法,。奉賢區(qū)質量IGBT模塊設計

IGBT功率模塊采用IC驅動,，各種驅動保護電路，高性能IGBT芯片,，新型封裝技術,，從復合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB,、電力模塊IPEM,。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V,，IPM除用于變頻調(diào)速外,，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,，用于艦艇上的導彈發(fā)射裝置,。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術組裝PEBB，**降低電路接線電感,，提高系統(tǒng)效率,，現(xiàn)已開發(fā)成功第二代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中,。智能化,、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點。黃浦區(qū)哪里IGBT模塊費用IGBT的驅動原理與電力MOSFET基本相同,，通斷由柵射極電壓uGE決定,。

IGBT是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,，即dc/ac變換中,。例電動汽車、伺服控制器,、UPS,、開關電源,、斬波電源、無軌電車等,。問世迄今有十年多歷史,，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR,、GTO,、GTR、MOSFET,、雙極型達林頓管等如今功率可高達1MW的低頻應用中,，單個元件電壓可達4.0KV（pt結構）一6.5KV（npt結構）,，電流可達1.5KA,是較為理想的功率模塊,。 [1]a,柵極與任何導電區(qū)要絕緣，以免產(chǎn)生靜電而擊穿,，所以包裝時將g極和e極之間要有導電泡沫塑料,，將它短接。裝配時切不可用手指直接接觸,，直到g極管腳進行長久性連接,。  

這次從穿通(PT)型技術先進到非穿通(NPT)型技術，是**基本的,，也是很重大的概念變化,。這就是：穿通(PT)技術會有比較高的載流子注入系數(shù)，而由于它要求對少數(shù)載流子壽命進行控制致使其輸運效率變壞,。另一方面,，非穿通(NPT)技術則是基于不對少子壽命進行殺傷而有很好的輸運效率，不過其載流子注入系數(shù)卻比較低,。進而言之,，非穿通(NPT)技術又被軟穿通(LPT)技術所代替，它類似于某些人所謂的“軟穿通”(SPT)或“電場截止”(FS)型技術,，這使得“成本—性能”的綜合效果得到進一步改善,。1996年，CSTBT(載流子儲存的溝槽柵雙極晶體管)使第5代IGBT模塊得以實現(xiàn)[6],，它采用了弱穿通(LPT)芯片結構,，又采用了更先進的寬元胞間距的設計。包括一種“反向阻斷型”(逆阻型)功能或一種“反向導通型”(逆導型)功能的IGBT器件的新概念正在進行研究,，以求得進一步優(yōu)化,。MOSFET驅動功率很小，開關速度快,，但導通壓降大,，載流密度小,。

90年代中期，溝槽柵結構又返回到一種新概念的IGBT,，它是采用從大規(guī)模集成(LSI)工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術實現(xiàn)的新刻蝕工藝,，但仍然是穿通(PT)型芯片結構。[4]在這種溝槽結構中,，實現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關斷時間之間折衷的更重要的改進,。硅芯片的重直結構也得到了急劇的轉變，先是采用非穿通(NPT)結構,，繼而變化成弱穿通(LPT)結構,，這就使安全工作區(qū)(SOA)得到同表面柵結構演變類似的改善。這次從穿通(PT)型技術先進到非穿通(NPT)型技術,，是**基本的,，也是很重大的概念變化。這就是：穿通(PT)技術會有比較高的載流子注入系數(shù),，而由于它要求對少數(shù)載流子壽命進行控制致使其輸運效率變壞,。在那個時候，硅芯片的結構是一種較厚的NPT(非穿通)型設計,。上海進口IGBT模塊聯(lián)系人

保管時,，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物;奉賢區(qū)質量IGBT模塊設計

大電流高電壓的IGBT已模塊化，它的驅動電路除上面介紹的由分立元件構成之外,，已制造出集成化的IGBT**驅動電路,。其性能更好，整機的可靠性更高及體積更小,。選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關,。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時,，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大,。同時，開關損耗增大,，使原件發(fā)熱加劇,，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流,。特別是用作高頻開關時,，由于開關損耗增大，發(fā)熱加劇,，選用時應該降等使用,。奉賢區(qū)質量IGBT模塊設計

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