主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS,，NEC,，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI,，LITTELFUSE/TECCOR,，TOSHIBA，JX ,，SANREX,，SANKEN ,，SEMIKRON ，EUPEC,，IR,，JBL等。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個周波不重復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流PGM--門極峰值功率PG----門極平均功率向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當于兩個單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。上海選擇晶閘管設(shè)計

為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化,，以防止誤觸發(fā),。一般，電阻取100R,，電容取100nF,。值得注意的是此電阻不能省掉。3,、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當負載電流增大,，電源頻率的增高或電源為非正弦波時，會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,，這種情況**易在感性負載的情況下發(fā)生,，很容易導(dǎo)致器件的損壞。此時可以在負載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感,。4、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止狀態(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時,，內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通,。這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT,，或可采用高速可控硅(晶閘管),。嘉定區(qū)銷售晶閘管供應(yīng)商可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。

畫出它的波形（c）及（d）,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出,。Ug到來得早,，晶閘管導(dǎo)通的時間就早；Ug到來得晚,，晶閘管導(dǎo)通的時間就晚,。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL,。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個周期定為180°,，稱為電角度。這樣,，在U2的每個正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯,，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實現(xiàn)了可控整流。

大家使用的是單向晶閘管,，也就是人們常說的普通晶閘管,，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個PN結(jié),，對外有三個電極〔圖2（P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A,，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K,。從晶閘管的電路符號〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,，因為它的特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管,，簡稱晶閘管T,，又因為晶閘管**初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件,，簡稱為可控硅SCR,。不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。

通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,，就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個周期定為180°,，稱為電角度。這樣,，在U2的每個正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯,，α和θ都是用來表示可控硅在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實現(xiàn)了可控整流,。反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓,。閔行區(qū)質(zhì)量晶閘管聯(lián)系人

反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓,，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。上海選擇晶閘管設(shè)計

測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以,。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié)，而且方向相反,，因此陽極和控制極正反向都不通） [1],。控制極與陰極之間是一個P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過,，因此,，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好,。上海選擇晶閘管設(shè)計

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