通常為達(dá)到更好的驅(qū)動效果，IGBT開通和關(guān)斷可以采取不同的驅(qū)動速度,，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的,。IGBT驅(qū)動器有些是開通和關(guān)斷分別輸出控制,，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了。有些驅(qū)動器只有一個輸出端,，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),，用以調(diào)節(jié)2個方向的驅(qū)動速度。3,、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻,，防止在未接驅(qū)動引線的情況下，偶然加主電高壓,，通過米勒電容燒毀IGBT,。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系,。楊浦區(qū)質(zhì)量IGBT模塊設(shè)計

由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V,。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。 因此使用中要注意以下幾點：1. 在使用模塊時,，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分,，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,，再觸摸;2. 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時,，在配線未接好之前請先不要接上模塊;3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。青浦區(qū)進(jìn)口IGBT模塊供應(yīng)商IGBT的閉鎖電流IL為額定電流（直流）的3倍以上,。

IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系,。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管,，所以其B 值極低,。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分,。由于N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),，所以IGBT 的通態(tài)壓降小,，耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ～ 3V 。IGBT 處于斷態(tài)時,，只有很小的泄漏電流存在,。 [1]動態(tài)特性IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運(yùn)行的,，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期,， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時間,。td(on) 為開通延遲時間,， tri 為電流上升時間,。實際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和,。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。

?IGBT電源模塊?是一種由絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊,。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）,，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點,。GTR飽和壓降低,，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,，開關(guān)速度快,，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。幾年當(dāng)中,，這種在采用PT設(shè)計的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu),，其設(shè)計規(guī)則從5微米先進(jìn)到3微米。

導(dǎo)通壓降電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小,，使通態(tài)壓降小,。關(guān)斷當(dāng)在柵極施加一個負(fù)偏壓或柵壓低于門限值時，溝道被禁止,，沒有空穴注入N-區(qū)內(nèi),。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關(guān)階段迅速下降,，集電極電流則逐漸降低,，這是因為換向開始后，在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子（少子）,。這種殘余電流值（尾流）的降低,，完全取決于關(guān)斷時電荷的密度,，而密度又與幾種因素有關(guān)，如摻雜質(zhì)的數(shù)量和拓?fù)?，層次厚度和溫度,。少子的衰減使集電極電流具有特征尾流波形，集電極電流引起以下問題：功耗升高,；交叉導(dǎo)通問題,，特別是在使用續(xù)流二極管的設(shè)備上，問題更加明顯,。當(dāng)晶閘管全部導(dǎo)通時,，靜態(tài)閂鎖出現(xiàn)。青浦區(qū)進(jìn)口IGBT模塊供應(yīng)商

由于N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),，所以IGBT 的通態(tài)壓降小,，耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ～ 3V 。楊浦區(qū)質(zhì)量IGBT模塊設(shè)計

表1 IGBT門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動電路的變化而變化,，因而驅(qū)動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作,。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅(qū)動電路提出了以下要求,。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?。并且在IGBT導(dǎo)通后。柵極驅(qū)動電路提供給IGBT的驅(qū)動電壓和電流要有足夠的幅度,，使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態(tài),。瞬時過載時，柵極驅(qū)動電路提供的驅(qū)動功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū),。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān),，在漏源電流一定的情況下，VGE越高,，VDS值就越低,，器件的導(dǎo)通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力,。但是,， VGE并非越高越好，一般不允許超過20 V,，原因是一旦發(fā)生過流或短路,，柵壓越高，則電流幅值越高,，IGBT損壞的可能性就越大,。通常，綜合考慮取+15 V為宜。楊浦區(qū)質(zhì)量IGBT模塊設(shè)計

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