1979年,，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間,。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成),，其特點(diǎn)是通過強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期,，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體)工藝被采用到IGBT中來,。[2]在那個時候，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設(shè)計,。后來,，通過采用PT(穿通)型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個***改進(jìn)，這是隨著硅片上外延的技術(shù)進(jìn)步,，以及采用對應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計的n+緩沖層而進(jìn)展的[3],。幾年當(dāng)中，這種在采用PT設(shè)計的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu),，其設(shè)計規(guī)則從5微米先進(jìn)到3微米,。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。長寧區(qū)質(zhì)量IGBT模塊費(fèi)用

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP 晶體管提供基極電流,，使IGBT 導(dǎo)通。反之,，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流,，使IGBT 關(guān)斷,。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子）,，對N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時,，也具有低的通態(tài)電壓,。IGBT驅(qū)動電路是驅(qū)動IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時對其進(jìn)行保護(hù)的電路,。黃浦區(qū)進(jìn)口IGBT模塊銷售廠家在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象,，因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方;

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低，載流密度大,，但驅(qū)動電流較大,；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快,，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，驅(qū)動功率小而飽和壓降低,。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器,、開關(guān)電源,、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域,。

將萬用表撥在R×10KΩ擋,，用黑表筆接IGBT 的漏極(D)，紅表筆接IGBT 的源極(S),，此時萬用表的指針指在無窮處,。用手指同時觸及一下柵極(G)和漏極(D)，這時IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,，萬用表的指針擺向阻值 較小的方向,，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下源極(S)和柵極(G),，這時IGBT 被阻 斷,，萬用表的指針回到無窮處。此時即可判斷IGBT 是好的,。 注意：若進(jìn)第二次測量時,，應(yīng)短接一下源極(S)和柵極(G)。 任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT,。注意判斷IGBT 好壞時,，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1K Ω擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低,，檢測好壞時不能使IGBT 導(dǎo)通,，而無法判斷IGBT 的好壞。IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān),。

IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓,，柵極電壓可由不同的驅(qū)動電路產(chǎn)生,。當(dāng)選擇這些驅(qū)動電路時，必須基于以下的參數(shù)來進(jìn)行：器件關(guān)斷偏置的要求,、柵極電荷的要求,、耐固性要求和電源的情況。因?yàn)镮GBT柵極- 發(fā)射極阻抗大,，故可使用MOSFET驅(qū)動技術(shù)進(jìn)行觸發(fā),，不過由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大，故IGBT的關(guān)斷偏壓應(yīng)該比許多MOSFET驅(qū)動電路提供的偏壓更高,。IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET,，但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時不需要負(fù)柵壓來減少關(guān)斷時間,，但關(guān)斷時間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加,。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當(dāng),。IGBT導(dǎo)通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近,，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。只在關(guān)斷時才會出現(xiàn)動態(tài)閂鎖,。這一特殊現(xiàn)象嚴(yán)重地限制了安全操作區(qū),。虹口區(qū)哪里IGBT模塊銷售廠家

此時，仍然是由N漂移區(qū)中的耗盡層承受外部施加的電壓,。長寧區(qū)質(zhì)量IGBT模塊費(fèi)用

門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示,，它是計算IGBT 驅(qū)動器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響,，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系,。在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 的值，在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個特別有用的參數(shù),，因?yàn)樗峭ㄟ^電橋測得的,，在測量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V),，在這種測量條件下，所測得的結(jié)電容要比VCE=600V 時要大一些(如圖2),。由于門極的測量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓,，在實(shí)際開關(guān)中存在的米勒效應(yīng)（Miller 效應(yīng)）在測量中也沒有被包括在內(nèi)，在實(shí)際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 值大很多,。因此,，在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies值在實(shí)際應(yīng)用中**只能作為一個參考值使用。長寧區(qū)質(zhì)量IGBT模塊費(fèi)用

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