△V（B）=V（B0）-V（BR）。一般△V（B）應(yīng)小于2伏,。雙向觸發(fā)二極管的正向轉(zhuǎn)折電壓值一般有三個(gè)等級(jí)：20-60V,、100-150V,、200-250V。由于轉(zhuǎn)折電壓都大于20V,，可以用萬(wàn)用表電阻擋正反向測(cè)雙向二極管,，表針均應(yīng)不動(dòng)（RX10k),但還不能完全確定它就是好的。檢測(cè)它的好壞,，并能提供大于250V的直流電壓的電源,，檢測(cè)時(shí)通過(guò)管子的電流不要大于是5mA。用晶體管耐壓測(cè)試器檢測(cè)十分方便,。如沒(méi)有,，可用兆歐表按圖6所示進(jìn)行測(cè)量（正、反各一次）,，電壓大的一次V（BR）,。例如：測(cè)一只DB3型二極管，***次為27.5V,，反向后再測(cè)為28V,，則△V（B）=V（B0）-V（BR）=28V-27.5V=0.5V<2V,表明該管對(duì)稱(chēng)性很好,。在電子技術(shù)中常用的數(shù)碼管,，發(fā)光二極管的原理與光電二極管相反。閔行區(qū)進(jìn)口二極管費(fèi)用

光敏二極管是將光信號(hào)變成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件,。它的**部分也是一個(gè)PN結(jié),，和普通二極管相比，在結(jié)構(gòu)上不同的是,，為了便于接受入射光照,，PN結(jié)面積盡量做的大一些，電極面積盡量小些,，而且PN結(jié)的結(jié)深很淺,，一般小于1微米。光敏二極管是在反向電壓作用之下工作的,。沒(méi)有光照時(shí),，反向電流很小（一般小于0.1微安），稱(chēng)為暗電流,。當(dāng)有光照時(shí),，攜帶能量的光子進(jìn)入PN結(jié)后，把能量傳給共價(jià)鍵上的束縛電子,，使部分電子掙脫共價(jià)鍵,，從而產(chǎn)生電子---空穴對(duì)，稱(chēng)為光生載流子,。徐匯區(qū)質(zhì)量二極管品牌由N區(qū)引出的電極是負(fù)極,，又叫陰極。

穩(wěn)壓管與一般二極管不一樣,，它的反向擊穿是可逆的,，只要不超過(guò)穩(wěn)壓管電流的允許值，PN結(jié)就不會(huì)過(guò)熱損壞,，當(dāng)外加反向電壓去除后,，穩(wěn)壓管恢復(fù)原性能，所以穩(wěn)壓管具有良好的重復(fù)擊穿特性,。 [4]光電二極管光電二極管光電二極管又稱(chēng)光敏二極管,。它的管殼上備有一個(gè)玻璃窗口，以便于接受光照,。其特點(diǎn)是,，當(dāng)光線照射于它的PN結(jié)時(shí)，可以成對(duì)地產(chǎn)生自由電子和空穴,，使半導(dǎo)體中少數(shù)載流子的濃度提高,，在一定的反向偏置電壓作用下，使反向電流增加,。因此它的反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而線性增加,。 [4]

無(wú)論是在常見(jiàn)的收音機(jī)電路還是在其他的家用電器產(chǎn)品或工業(yè)控制電路中，都可以找到二極管的蹤跡 [3],。二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的,。 [4]采用不同的摻雜工藝，通過(guò)擴(kuò)散作用,，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上,，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱(chēng)為PN結(jié)。 [4]圖1 各種二極管的符號(hào)由P區(qū)引出的電極稱(chēng)為陽(yáng)極,，N區(qū)引出的電極稱(chēng)為陰極,。因?yàn)镻N結(jié)的單向?qū)щ娦裕O管導(dǎo)通時(shí)電流方向是由陽(yáng)極通過(guò)管子內(nèi)部流向陰極,。 [4]發(fā)光二極管的PN結(jié)封裝在透明塑料殼內(nèi),，外形有方形,、矩形和圓形等。

（2）限幅電路在電子電路中,，常用限幅電路對(duì)各種信號(hào)進(jìn)行處理,。它是用來(lái)讓信號(hào)在預(yù)置的電平范圍內(nèi)，有選擇地傳輸一部分信號(hào),。大多數(shù)二極管都可作為限幅使用,，但有些時(shí)候需要用到**限幅二極管，如保護(hù)儀表時(shí),。 [6]（3）穩(wěn)壓電路在穩(wěn)壓電路中通常需要使用齊納二極管,，它是一種利用特殊工藝制造的面結(jié)型硅把半導(dǎo)體二極管，這種特殊二極管雜質(zhì)濃度比較高,，空間電荷區(qū)內(nèi)的電荷密度大,，容易形成強(qiáng)電場(chǎng)。當(dāng)齊納二極管兩端反向電壓加到某一值,，反向電流急增,，產(chǎn)生反向擊穿。 [6]N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似,。在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子,，如磷等。寶山區(qū)銷(xiāo)售二極管設(shè)計(jì)

晶體二極管為一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié),，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,，并建有自建電場(chǎng)。閔行區(qū)進(jìn)口二極管費(fèi)用

對(duì)于鍺二極管,，開(kāi)啟電壓為0.2V,，導(dǎo)通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓,，當(dāng)電壓值較小時(shí),，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS,。當(dāng)反向電壓超過(guò)某個(gè)值時(shí),，電流開(kāi)始急劇增大，稱(chēng)之為反向擊穿,，稱(chēng)此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號(hào)UBR表示,。不同型號(hào)的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大,，從幾十伏到幾千伏 [4]。正向特性外加正向電壓時(shí),，在正向特性的起始部分,，正向電壓很小,，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的阻擋作用，正向電流幾乎為零,，這一段稱(chēng)為死區(qū),。這個(gè)不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱(chēng)為死區(qū)電壓。 [4]閔行區(qū)進(jìn)口二極管費(fèi)用

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