額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè)，如表1一5所示,。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí),，1000V以上的管子每200V為一級(jí)。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志,，如表1-6所示,。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示,，如表1一所示,。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅,。綜上所述,，小結(jié)如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個(gè)電極,，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由其通斷狀態(tài)由控制極G決定,。普陀區(qū)哪里晶閘管費(fèi)用

[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號(hào)改為反向信號(hào)(圖5b),，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后,，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式,。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c),，輸入正向觸發(fā)信號(hào)，雙向可控硅導(dǎo)通后,，通態(tài)電流從T1流向T2,。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作，因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式,。 (4)兩個(gè)主電極仍然加反向電壓U12,，輸入的是反向觸發(fā)信號(hào)(圖5d),，雙向可控硅導(dǎo)通后，通態(tài)電流仍從T1流向T2,。這種觸發(fā)就叫做Ⅲ-觸發(fā)方式,。 雙向可控硅雖然有以上四種觸發(fā)方式，但由于負(fù)信號(hào)觸發(fā)所需要的觸發(fā)電壓和電流都比較小,。工作比較可靠,，因此在實(shí)際使用時(shí)，負(fù)觸發(fā)方式應(yīng)用較多,。奉賢區(qū)選擇晶閘管費(fèi)用鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以,。

四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上,，無(wú)論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發(fā)信號(hào)是正向還是反向,，它都能被觸發(fā)導(dǎo)通,，因此它有以下四種觸發(fā)方式：(1)當(dāng)主電極T2對(duì)Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對(duì)***電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號(hào)（圖5a）,。雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后,，電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知,，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是按***象限的特性進(jìn)行的,，又因?yàn)橛|發(fā)信號(hào)是正向的，所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式,。

電壓測(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢,？下面我們用圖表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先,，可以把從陰極向上數(shù)的***,、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,，而二,、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二,、第三層為兩管交迭共用,。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,，經(jīng)放大，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1,。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連,，IC1又是BG2的基極電流Ib2,。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大,，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通。反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM）,，俗稱耐壓,。

雙向可控硅屬于NPNPN五層器件,，三個(gè)電極分別是T1,、T2、G,。因該器件可以雙向?qū)?，故除門極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子，用T1,、T2表示,，不再劃分成陽(yáng)極或陰極。其特點(diǎn)是,，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1,，的電壓均為正時(shí)，T2是陽(yáng)極,，T1是陰極,。反之，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí),，T1變成陽(yáng)極,，T2為陰極。雙向可控硅由于正,、反向特性曲線具有對(duì)稱性,，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)āｋp向可控硅***陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間,，無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向,，只要控制極G和***陽(yáng)極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài),。此時(shí)A1,、A2間壓降也約1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通,，即使失去觸發(fā)電壓,，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)***陽(yáng)極A1,、第二陽(yáng)極A2電流減小,，小于維持電流或A1,、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒(méi)有觸發(fā)電壓時(shí)，雙向可控硅才截?cái)?，此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通,。反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通,、關(guān)斷,；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花,、無(wú)噪音,；效率高，成本低等等,。奉賢區(qū)選擇晶閘管費(fèi)用

可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍,；普陀區(qū)哪里晶閘管費(fèi)用

PNPN四層組成(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件:(1〕受正向陽(yáng)極電壓;(2)受正向門極電壓,。(3)可控硅導(dǎo)通后，當(dāng)陽(yáng)極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷,。(4)可控硅的特性主要是:1.陽(yáng)極伏安特性曲線,，2.門極伏安特性區(qū)。(5)應(yīng)在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅,。選擇可控硅主要確定兩個(gè)參致:電流⒈ 額定通態(tài)電流（IT）即比較大穩(wěn)定工作電流,，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安,。⒉反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM）,，俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏,。普陀區(qū)哪里晶閘管費(fèi)用

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