Polos-BESM在電子器件原型開發(fā)中展現(xiàn)高效性,。例如,，其軟件支持GDS文件直接導(dǎo)入,，多層曝光疊加功能簡化了射頻器件（如IDC電容器）的制造流程。研究團隊利用同類設(shè)備成功制備了高頻電路元件,，驗證了其在5G通信和物聯(lián)網(wǎng)硬件中的潛力,。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩,。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用,。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上,，進一步提升了其優(yōu)勢,。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩,。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用,。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上,，進一步提升了其優(yōu)勢,。6英寸晶圓兼容：Polos-BESM XL Mk2支持155×155 mm大尺寸加工，工業(yè)級重復(fù)精度0.1 μm,。重慶POLOSBEAM光刻機

某能源研究團隊采用 Polos 光刻機制造了壓電式微型能量收集器,。其激光直寫技術(shù)在 PZT 薄膜上刻制出 50μm 的叉指電極，器件的能量轉(zhuǎn)換效率達 35%,，在 10Hz 振動下可輸出 50μW/cm2 的功率,。通過自定義電極間距和厚度，該收集器可適配不同頻率的環(huán)境振動,，在智能穿戴設(shè)備中實現(xiàn)了運動能量的實時采集與存儲,。其輕量化設(shè)計（體積 < 1mm3）還被用于物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點，使傳感器續(xù)航時間從 3 個月延長至 2 年,。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案,。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室,，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域,。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。廣東POLOSBEAM光刻機讓你隨意進行納米圖案化固態(tài)電池：鋰金屬界面阻抗降至 50Ω?cm2,，電池循環(huán)壽命提升 3 倍,。

某半導(dǎo)體實驗室采用 Polos 光刻機開發(fā)氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）,。其激光直寫技術(shù)在藍寶石襯底上實現(xiàn)了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%,。通過自定義多晶硅柵極圖案,，器件的電子遷移率達 2000 cm2/(V?s),，擊穿電壓提升至 1200V，遠超商用產(chǎn)品水平,。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%,，助力我國新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國產(chǎn)化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案,。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室,，并broad應(yīng)用于微流體,、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會,。

某生物力學(xué)實驗室通過 Polos 光刻機，在單一芯片上集成了壓阻式和電容式細胞力傳感器,。其多材料曝光技術(shù)在 20μm 的懸臂梁上同時制備金屬電極與硅基壓阻元件,，傳感器的力分辨率達 5pN,，位移檢測精度達 1nm。在心肌細胞收縮力檢測中,，該集成傳感器實現(xiàn)了力 - 電信號的同步采集,，發(fā)現(xiàn)收縮力峰值與動作電位時程的相關(guān)性達 0.92,，為心臟電機械耦合機制研究提供了全新工具，相關(guān)論文發(fā)表于《Biophysical Journal》,。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案,。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室,，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域,。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會,。光束引擎高速掃描：SPS POLOS μ單次寫入400 μm區(qū)域，壓電驅(qū)動提升掃描速度,。

單細胞分選需要復(fù)雜的流體動力學(xué)控制結(jié)構(gòu),，傳統(tǒng)光刻難以實現(xiàn)多尺度結(jié)構(gòu)集成。Polos 光刻機的分層曝光功能,，在同一片芯片上制備出 5μm 窄縫的細胞捕獲區(qū)與 50μm 寬的廢液通道,，通道高度誤差控制在 ±2% 以內(nèi),。某細胞生物學(xué)實驗室利用該芯片，將單細胞分選通量提升至 1000 個 / 秒,，分選純度達 98%,，較傳統(tǒng)流式細胞儀體積縮小 90%,。該技術(shù)已應(yīng)用于循環(huán)tumor細胞檢測,，使稀有細胞捕獲效率提升 3 倍，相關(guān)設(shè)備進入臨床驗證階段,。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小,，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體,、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域,。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。材料科學(xué)：超疏水表面納米圖案化,，接觸角 165°，防腐蝕性能增強 10 倍,。陜西POLOSBEAM-XL光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

未來技術(shù)儲備：持續(xù)研發(fā)光束整形與多材料兼容工藝，lead微納制造前沿,。重慶POLOSBEAM光刻機

德國 Polos 光刻機系列是電子學(xué)領(lǐng)域不可或缺的精密設(shè)備,。其無掩模激光光刻技術(shù)，讓電路圖案曝光不再受限于掩模,，能夠?qū)崿F(xiàn)超高精度的圖案繪制,。在芯片研發(fā)過程中，Polos 光刻機可precise刻畫出納米級別的電路結(jié)構(gòu),，為芯片性能提升奠定基礎(chǔ)。? 科研團隊使用 Polos 光刻機,，成功開發(fā)出更高效的集成電路,，降低芯片能耗,，提高運算速度,。而且，該光刻機可輕松輸入任意圖案,，滿足不同電子元件的多樣化設(shè)計需求,。無論是新型傳感器的電路制作，還是微型處理器的研發(fā),，Polos 光刻機都能以高精度、低成本的優(yōu)勢,，為電子學(xué)領(lǐng)域的科研成果產(chǎn)出提供有力保障,，推動電子技術(shù)不斷創(chuàng)新,。重慶POLOSBEAM光刻機