當(dāng)負(fù)載電流增大,，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí),，會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,，這種情況易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生，很容易導(dǎo)致器件的損壞。此時(shí)可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個(gè)小于它的VDFM的高速變化的電壓時(shí),，內(nèi)部電容的電流會(huì)產(chǎn)生足夠的柵電流來(lái)使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通。這在高溫下尤為嚴(yán)重,，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個(gè)RC緩沖電路來(lái)限制VD/DT,，或可采用高速可控硅(晶閘管)。在電源不正常的情況下,，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會(huì)超過(guò)連續(xù)峰值開路電壓VDRM的大值,，此時(shí)可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流,，那么硅片上局部的電流密度就很高,，使這一小部分先導(dǎo)通。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞,。另外白熾燈,，容性負(fù)載或短路保護(hù)電路會(huì)產(chǎn)生較高的浪涌電流,，這時(shí)可外加濾波器和鉗位電路來(lái)防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上,。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。如東定制可控硅咨詢問價(jià)

陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反,，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通）,。控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過(guò)，因此,，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,，并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外,，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿,。若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路,，或陽(yáng)極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路,，說(shuō)明元件已損壞。海州區(qū)定制可控硅進(jìn)貨價(jià)其通斷狀態(tài)由控制極G決定,。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通,。

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,，螺旋式的應(yīng)用較多,。可控硅有三個(gè)電極---陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個(gè)PN結(jié)?？煽毓韬椭挥幸粋€(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。在應(yīng)用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓,。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。

普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來(lái)測(cè)。大家知道,，晶閘管G,、K之間是一個(gè)PN結(jié)（a），相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極,、K為負(fù)極,，所以，按照測(cè)試二極管的方法,，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極,，測(cè)它的正、反向電阻,，電阻小時(shí),，萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G，可以用剛才演示用的示教板電路,。接通電源開關(guān)S,，按一下按鈕開關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的,，不發(fā)光就是壞的,。可控硅這種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來(lái)控制導(dǎo)通（可控硅中通過(guò)大電流）的可控特性,，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征,。鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒有反向耐壓?jiǎn)栴},，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)使用,。

以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因?yàn)樗奶匦灶愃朴谡婵臻l流管,，所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管,，簡(jiǎn)稱晶閘管T，又因?yàn)榫чl管初的在靜止整流方面,，所以又被稱之為硅可控整流元件,，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài),。可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,，如果超過(guò)此功率,，因元件開關(guān)損耗增加，允許通過(guò)的平均電流相降低，此時(shí),，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用,。可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍；反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開通,、關(guān)斷；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,，無(wú)火花,、無(wú)噪音；效率高,，成本低等等,。它的符號(hào)也和普通可控硅不同，是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫成的,。港閘區(qū)標(biāo)準(zhǔn)可控硅系列

從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個(gè)電極,。如東定制可控硅咨詢問價(jià)

以簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例,，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通,。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出,。Ug到來(lái)得早，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早,；Ug到來(lái)得晚,，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL,。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱為電角度,。這樣，在U2的每個(gè)正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯，α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。如東定制可控硅咨詢問價(jià)

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