場(chǎng)效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較：1.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件,，基極必須取一定的電流,。因此，在信號(hào)源額定電流極小的情況,，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管,。2.場(chǎng)效應(yīng)管是多子導(dǎo)電，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電,。由于少子的濃度對(duì)溫度,、輻射等外界條件很敏感，因此,，對(duì)于環(huán)境變化較大的場(chǎng)合,，采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適。3.場(chǎng)效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關(guān)外,，還可作壓控可變線性電阻使用,。4.場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱的，可以互換使用,，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù),。因此，使用場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管靈活,。MOSFET適用于各種電路中的信號(hào)放大,，功率放大和開關(guān)控制等應(yīng)用。珠海耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,，并以此命名,，場(chǎng)效應(yīng)管[2]是常見的電子元件，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）,、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大,、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),。場(chǎng)效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,，但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管），1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,，從而大部分代替了JFET,，對(duì)電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義。東莞場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管具有較高的耐熱性能,，適用于高溫環(huán)境,。

雪崩失效的預(yù)防措施，雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效,，因此預(yù)防我們著重從電壓來考慮,。具體可以參考以下的方式來處理。1：合理降額使用,，目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額,，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關(guān)注點(diǎn)進(jìn)行選取。2：合理的變壓器反射電壓,。合理的RCD及TVS吸收電路設(shè)計(jì),。4：大電流布線盡量采用粗、短的布局結(jié)構(gòu),，盡量減少布線寄生電感,。5：選擇合理的柵極電阻Rg。6：在大功率電源中,，可以根據(jù)需要適當(dāng)?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進(jìn)行吸收,。

場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗盡型；當(dāng)柵壓為零,，漏極電流也為零,，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型,。作用：1.場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。2.場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換,。3.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻,。4.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),，需要注意正確連接其源極,、柵極和漏極，以確保其正常工作,。

對(duì)于開關(guān)頻率小于100kHz的信號(hào)一般?。?00～500）kHz載波頻率較好，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K,、7K等高頻環(huán)形磁芯,，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號(hào)頻率小于100kHz的場(chǎng)合,，因信號(hào)頻率相對(duì)載波頻率太高的話,，相對(duì)延時(shí)太多，且所需驅(qū)動(dòng)功率增大,，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高,，故100kHz以上開關(guān)頻率只對(duì)較小極電容的MOSFET才可以。對(duì)于1kVA左右開關(guān)頻率小于100kHz的場(chǎng)合,，它是一種良好的驅(qū)動(dòng)電路,。該電路具有以下特點(diǎn)：?jiǎn)坞娫垂ぷ鳎刂菩盘?hào)與驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)隔離,，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單尺寸較小,，尤其適用于占空比變化不確定或信號(hào)頻率也變化的場(chǎng)合。場(chǎng)效應(yīng)管的工作溫度范圍需要在規(guī)定的范圍內(nèi),，以確保正常工作,。東莞場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

MOSFET通過柵極與源極電壓調(diào)節(jié)，是現(xiàn)代電子器件中常見的元件,。珠海耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：1,、開啟電壓，開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓,。2、跨導(dǎo),，跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制才能,，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權(quán)衡場(chǎng)效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù),。3,、漏源擊穿電壓，漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí),，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓,。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。4,、較大耗散功率,，較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的較大漏源耗散功率,。運(yùn)用時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量,。5、較大漏源電流,，較大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù),，是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許經(jīng)過的較大電流,。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM,。珠海耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景、信譽(yù)可靠,、勵(lì)精圖治,、展望未來、有夢(mèng)想有目標(biāo),，有組織有體系的公司,，堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來的道路上大放光明，攜手共畫藍(lán)圖,，在廣東省等地區(qū)的電子元器件行業(yè)中積累了大批忠誠的客戶粉絲源,，也收獲了良好的用戶口碑，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ),，也希望未來公司能成為*****,，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息,，斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將**深圳市南科功率半導(dǎo)體供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌,，共創(chuàng)佳績(jī)，一直以來,，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理,、創(chuàng)新發(fā)展、誠實(shí)守信的方針,，員工精誠努力,，協(xié)同奮取，以品質(zhì),、服務(wù)來贏得市場(chǎng),，我們一直在路上,！