在近期的工作中,，小編接觸到了之前不太熟悉的一種電子元器件——場效應(yīng)管,，在查找相關(guān)資料時,，經(jīng)常會看到另幾個元器件,，比如mos管,、二極管、三極管,，網(wǎng)上甚至有種說法：場效應(yīng)管和mos管就是一種東西,。這種說法當然是不夠準確的，為了能夠更好地認識這幾種元器件,，本文就給大家詳細科普一下,！場效應(yīng)管，場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管,，主要有兩種類型（junction FET-JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET,，簡稱MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管,。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,，具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）,、噪聲小、功耗低,、動態(tài)范圍大,、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。場效應(yīng)管具有放大作用,，能將較小的輸入信號放大成較大的輸出信號,，普遍應(yīng)用于音頻放大器、射頻放大器等,。廣州雙柵極場效應(yīng)管行價

開關(guān)時間：場效應(yīng)管從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通（或相反）所需的時間,。柵極驅(qū)動電路的設(shè)計對開關(guān)時間有明顯影響，同時寄生電容的大小也會影響開關(guān)時間,，此外,，器件的物理結(jié)構(gòu)，也會影響開關(guān)速度,。典型應(yīng)用電路：開關(guān)電路：開關(guān)電路是指用于控制場效應(yīng)管開通和關(guān)斷的電路,。放大電路：場效應(yīng)管因其高輸入阻抗和低噪聲特性，常用于音頻放大器,、射頻放大器等模擬電路中,。電源管理：在開關(guān)電源中，場效應(yīng)管用于控制能量的存儲和釋放,，實現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換,。杭州場效應(yīng)管定制場效應(yīng)管的體積小，適合集成在微型電子設(shè)備中,。

VMOS場效應(yīng)管,，VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管,。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效,、功率開關(guān)器件。它不只繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）,、驅(qū)動電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）,、工作電流大（1.5A～100A）,、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好,、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性,。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身,，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍）、功率放大器,、開關(guān)電源和逆變器中正獲得普遍應(yīng)用,。

計算導(dǎo)通損耗。MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算,，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化,，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對便攜 式設(shè)計來說,，采用較低的電壓比較容易(較為普遍),，而對于工業(yè)設(shè)計，可采用較高的電壓,。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升,。關(guān)于RDS(ON)電 阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到。計算系統(tǒng)的散熱要求,。設(shè)計人員必須考慮兩種不同的情況,，即較壞情況和真實情況。建議采用針對較壞情況的計算結(jié)果,，因為這個結(jié)果提供更大的安全余量,，能 確保系統(tǒng)不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數(shù)據(jù),；比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻,，以及較大的結(jié)溫。開關(guān)損耗其實也是一個很重要的指標,。從下圖可以看到,，導(dǎo)通瞬間的電壓電流乘積相當大。一定程度上決定了器件的開關(guān)性能,。不過，如果系統(tǒng)對開關(guān)性能要求比較高,，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET,。確保場效應(yīng)管的散熱問題，提高其穩(wěn)定性和可靠性,。

場效應(yīng)管與雙極型晶體管比,，它的體積小，重量輕,，壽命長等優(yōu)點,，而且輸入回路的內(nèi)阻特別高，噪聲低,、熱穩(wěn)定性好（因為幾乎只利用多子導(dǎo)電）,、防輻射能力強以及省電等優(yōu)點,，幾乎場效應(yīng)管占據(jù)的絕大部分市場。有利就有弊,，而場效應(yīng)管的放大倍數(shù)要小于雙極型晶體管的放大倍數(shù)（原因后續(xù)詳解）,。根據(jù)制作主要工藝主要分為結(jié)型場效應(yīng)管(Junction Field Effect Transistor，JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS管),，下面來具體來看這兩種管子,。場效應(yīng)管(FET)基礎(chǔ)知識：名稱，場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor 縮寫(FET)）,，簡稱場效應(yīng)管,。結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET-JFET)，金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管 （metal-oxide semiconductor FET,，簡稱MOS-FET）,，由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管,，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。與之對應(yīng)的是由兩種載流子參與導(dǎo)電的雙極型晶體管，三極管(BJT),，屬于電流控制型半導(dǎo)體器件,。MOSFET通過柵極與源極電壓調(diào)節(jié)，是現(xiàn)代電子器件中常見的元件,。廣州雙柵極場效應(yīng)管行價

場效應(yīng)管雖然體積小,，但在現(xiàn)代電子技術(shù)中的作用不可忽視。廣州雙柵極場效應(yīng)管行價

組成,，F(xiàn)ET由各種半導(dǎo)體構(gòu)成,，目前硅是較常見的。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導(dǎo)體制造技術(shù)制造,，使用單晶半導(dǎo)體硅片作為反應(yīng)區(qū),，或者溝道。大部分的不常見體材料,，主要有非晶硅,、多晶硅或其它在薄膜晶體管中，或者有機場效應(yīng)晶體管中的非晶半導(dǎo)體,。有機場效應(yīng)晶體管基于有機半導(dǎo)體,，常常用有機柵絕緣體和電極。我們知道三極管全稱為半導(dǎo)體三極管,，也稱雙極型晶體管,、晶體三極管，是一種電流控制型半導(dǎo)體器件,，其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,， 也用作無觸點開關(guān),。廣州雙柵極場效應(yīng)管行價

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