MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS,，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層,，只要電壓一定值超過絕緣層耐壓均會擊穿,，故有兩個方向“±”。注③：漏級較大電流ID與體二極管流過的反向漏級較大電流IDR（或稱為IS）一般規(guī)格書中數(shù)值一致,，均為流過N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體襯底形成的PN結(jié)的較大電流,。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據(jù),。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關(guān)注脈沖寬度,。場效應(yīng)管在新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng),、5G通信等新興領(lǐng)域具有巨大的創(chuàng)新應(yīng)用潛力,。惠州耗盡型場效應(yīng)管定制

漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內(nèi)各點與柵極間的電壓不再相等,，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚,，而漏極一端電壓較小,，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道較薄,。但當vDS較?。╲DS 隨著vDS的增大，靠近漏極的溝道越來越薄,，當vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)時,，溝道在漏極一端出現(xiàn)預(yù)夾斷，如圖2(b)所示,。再繼續(xù)增大vDS,，夾斷點將向源極方向移動，如圖2(c)所示。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區(qū),，故iD幾乎不隨vDS增大而增加,，管子進入飽和區(qū)，iD幾乎只由vGS決定,?；葜莺谋M型場效應(yīng)管廠商場效應(yīng)管的工作原理是通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流。

場效應(yīng)管主要參數(shù)：1,、漏源擊穿電壓,。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時，場效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓,。這是一項極限參數(shù),，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。2,、較大耗散功率,。較大耗散功率PDSM也是—項極限參數(shù)，是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率,。運用時場效應(yīng)管實踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量,。3、較大漏源電流,。較大漏源電流IDSM是另一項極限參數(shù),，是指場效應(yīng)管正常工作時，漏源間所允許經(jīng)過的較大電流,。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM,。

電極，所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）,、源極（source）三個端，分別大致對應(yīng)BJT的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）,。除JFET以外，所有的FET也有第四端,，被稱為體（body）,、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）,。這個第四端可以將晶體管調(diào)制至運行,；在電路設(shè)計中，很少讓體端發(fā)揮大的作用,，但是當物理設(shè)計一個集成電路的時候,，它的存在就是重要的,。在圖中柵極的長度（length）L，是指源和漏的距離,。寬度（width）是指晶體管的范圍,，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多,。長度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz,，0.2微米則是約30GHz。場效應(yīng)管在功率電子領(lǐng)域具有重要作用,，如變頻器,、逆變器等，提高電能轉(zhuǎn)換效率,。

導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：場效應(yīng)管導(dǎo)通時的漏極與源極之間的電阻,。它決定了電流通過器件時的壓降和功耗，較小的導(dǎo)通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅(qū)動能力,。較大漏極電流（I_D(max)）：場效應(yīng)管能夠承受的較大電流,，超過這個電流值可能會導(dǎo)致器件過熱、性能退化甚至長久損壞,。較大漏極-源極電壓（V_DS(max)）：場效應(yīng)管能夠承受的較大電壓,。超過這個電壓值可能會導(dǎo)致場效應(yīng)管的擊穿、熱損傷或其他形式的損壞,。柵極電容（C_iss）：柵極與漏極之間的輸入電容,。它影響了信號的傳輸速度和開關(guān)過程中的電荷存儲。在進行場效應(yīng)管電路調(diào)試時,，應(yīng)逐步調(diào)整柵極電壓,，觀察輸出變化，以確保電路性能達到預(yù)期,。蕪湖場效應(yīng)管規(guī)格

MOSFET通過柵極與源極電壓調(diào)節(jié),，是現(xiàn)代電子器件中常見的元件?；葜莺谋M型場效應(yīng)管定制

內(nèi)置MOSFET的IC當然 不用我們再考慮了,，一般大于1A電流會考慮外置MOSFET.為了獲得到更大、更靈活的LED功率能力,，外置MOSFET是獨一的選擇方式，IC需要合適 的驅(qū)動能力,MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù),。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電容,。一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動輸出能力有關(guān),，可以近似認為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動能力 Rg選擇在10-20Ω左右,。一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動可以直接驅(qū)動MOSFET，但是考慮到通常驅(qū)動走線不是直線，感量可能會更大,并且為了防止外部干擾,，還是要使用Rg驅(qū)動電阻進行抑制.考慮到走線分布電容的影響,這個電阻要盡量靠近MOSFET的柵極,。惠州耗盡型場效應(yīng)管定制

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