mos管,，mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管,，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體，MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下,，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能,，這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的,。MOS電容的特性能被用來(lái)形成MOS管，Gate,，電介質(zhì)和backgate保持原樣,。在GATE的兩邊是兩個(gè)額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個(gè)稱為source,，另一個(gè)稱為drain,，假設(shè)source 和backgate都接地，drain接正電壓,，只要GATE對(duì)BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓,，就不會(huì)形成channel。場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝不斷改進(jìn),，使得其性能更加穩(wěn)定,，可靠性更高。廣州絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：一,、飽和漏源電流,。飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流,。二,、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓,。三、開(kāi)啟電壓,。開(kāi)啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。四,、跨導(dǎo),。跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制才能,，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值,。gm是權(quán)衡場(chǎng)效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù),。廣州絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于集成,，有助于電子設(shè)備的小型化,、輕量化。

場(chǎng)效應(yīng)管的分類：場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型,、絕緣柵型兩大類,。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完整絕緣而得名,。它們由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。我們常說(shuō)的MOS管就是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中的一種,，它也是應(yīng)用較普遍的一種，所以這一節(jié)接下的內(nèi)容我們主要通過(guò)介紹MOS管來(lái)了解場(chǎng)效應(yīng)晶體管,。MOSFET有分為增強(qiáng)型和耗盡型兩大類,，增強(qiáng)型和耗盡型每一類又有NMOS和PMOS，和三極管中的PNP和NPN類似,。

馬達(dá)控制應(yīng)用馬達(dá)控制應(yīng)用是功率MOSFET大有用武之地的另一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,。典型的半橋式控制電路采用2個(gè)MOSFET (全橋式則采用4個(gè))，但這兩個(gè)MOSFET的關(guān)斷時(shí)間(死區(qū)時(shí)間)相等,。對(duì)于這類應(yīng)用,，反向恢復(fù)時(shí)間(trr) 非常重要。在控制電感式負(fù)載(比如馬達(dá)繞組)時(shí),，控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關(guān)斷狀態(tài),，此時(shí)橋式電路中的另一個(gè)開(kāi)關(guān)經(jīng)過(guò)MOSFET中的體二極管臨時(shí)反向傳導(dǎo)電流。于是,，電流重新循環(huán)，繼續(xù)為馬達(dá)供電,。當(dāng)頭一個(gè)MOSFET再次導(dǎo)通時(shí),，另一個(gè)MOSFET二極管中存儲(chǔ)的電荷必須被移除，通過(guò)頭一個(gè)MOSFET放電,，而這是一種能量的損耗,，故trr 越短，這種損耗越小,。場(chǎng)效應(yīng)管在電子設(shè)備中扮演著關(guān)鍵角色,。

場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)品特性：(1)轉(zhuǎn)移特性：柵極電壓對(duì)漏極電流的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性。(2)輸出特性： UDS與ID的關(guān)系稱為輸出特性,。(3)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的放大作用：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的放大作用一般指的是電壓放大作用,。電氣特性：場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管在電氣特性方面的主要區(qū)別有以下幾點(diǎn)：貼片場(chǎng)效應(yīng)管：1：場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件,，管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小,。 2：場(chǎng)效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量,。3：場(chǎng)效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定,，晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定。也就是說(shuō),，場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力用Gm 衡量,，晶體管的放大能力用β衡量。4：場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗很大,，輸入電流極?。痪w管輸入阻抗很小,，在導(dǎo)電時(shí)輸入電流較大,。5：一般場(chǎng)效應(yīng)管功率較小，晶體管功率較大,。場(chǎng)效應(yīng)管利用電場(chǎng)控制載流子的流動(dòng),，通過(guò)改變柵極電壓，控制源極和漏極之間的電流,。金屬場(chǎng)效應(yīng)管定制

場(chǎng)效應(yīng)管的發(fā)展趨勢(shì)是向著高集成度,、低功耗、高可靠性和多功能化方向發(fā)展,。廣州絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

測(cè)試步驟：MOS管的檢測(cè)主要是判斷MOS管漏電,、短路、斷路,、放大,。其步驟如下：假如有阻值沒(méi)被測(cè)MOS管有漏電現(xiàn)象。1,、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開(kāi),，萬(wàn)用表紅黑筆不變，假如移開(kāi)電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無(wú)限大,，則MOS管漏電,，不變則完好。2,、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來(lái),，假如指針立刻返回?zé)o限大，則MOS完好,。3,、把紅筆接到MOS的源極S上,，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應(yīng)該是無(wú)限大,。4,、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上,，黑筆接到MOS管的漏極上,，這時(shí)表針指示的值一般是0，這時(shí)是下電荷通過(guò)這個(gè)電阻對(duì)MOS管的柵極充電,，產(chǎn)生柵極電場(chǎng),，因?yàn)殡妶?chǎng)產(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通，故萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn),，偏轉(zhuǎn)的角度大,，放電性越好。廣州絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

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