結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）：1,、結(jié)型場效應(yīng)管的分類：結(jié)型場效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式,，它們是N溝道結(jié)型場效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管,。結(jié)型場效應(yīng)管也具有三個電極,，它們是：柵極,；漏極,；源極,。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?、結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例),，N溝道結(jié)構(gòu)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號,，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導(dǎo)電的,，形成了所謂耗盡區(qū),，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時，如果柵極電壓越負(fù),，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,，則漏,、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄，漏極電流ID就愈??；反之，如果柵極電壓沒有那么負(fù),，則溝道變寬,，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,，就是說,，場效應(yīng)管是電壓控制元件。場效應(yīng)管在電子設(shè)備中普遍應(yīng)用,，如音頻放大器、電源管理等,?；葜莺谋M型場效應(yīng)管供應(yīng)

對于開關(guān)頻率小于100kHz的信號一般取（400～500）kHz載波頻率較好,，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K,、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好,。這種驅(qū)動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合,，因信號頻率相對載波頻率太高的話，相對延時太多,，且所需驅(qū)動功率增大,，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高，故100kHz以上開關(guān)頻率只對較小極電容的MOSFET才可以,。對于1kVA左右開關(guān)頻率小于100kHz的場合,，它是一種良好的驅(qū)動電路。該電路具有以下特點：單電源工作,，控制信號與驅(qū)動實現(xiàn)隔離,，結(jié)構(gòu)簡單尺寸較小，尤其適用于占空比變化不確定或信號頻率也變化的場合,。佛山結(jié)型場效應(yīng)管廠家直銷MOSFET通過柵極與源極電壓調(diào)節(jié),，是現(xiàn)代電子器件中常見的元件。

雪崩失效分析（電壓失效）,，底什么是雪崩失效呢,，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓,、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間,，導(dǎo)致的一種失效模式,。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式。下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖,，做為電源工程師可以簡單了解下,。可能我們經(jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對我們電源板上的MOSFET進(jìn)行失效分析,，大多數(shù)廠家都光給一個EAS.EOS之類的結(jié)論,，那么到底我們怎么區(qū)分是否是雪崩失效呢，下面是一張經(jīng)過雪崩測試失效的器件圖,，我們可以進(jìn)行對比從而確定是否是雪崩失效,。

靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實就是開啟電壓Vgs（th），只不過這里看的角度不一樣,。注②：看完前文的讀者應(yīng)該知道為什么這里兩個Rds（on）大小有差異,，不知道的回去前面重新看。動態(tài)點特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ,；Coss = Cds ,；Crss = Cgd；注②：MOS管開啟速度較主要關(guān)注的參數(shù)是Qg,，也就是形成反型層需要的總電荷量,！注③：接通/斷開延遲時間t d(on/off)、上升/下降時間tr / tf,，各位工程時使用的時候請根據(jù)實際漏級電路ID,，柵極驅(qū)動電壓Vg進(jìn)行判斷。場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,，通過外部電場調(diào)節(jié)電導(dǎo),。

漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內(nèi)各點與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓較大,，這里溝道較厚,，而漏極一端電壓較小，其值為VGD=vGS－vDS,，因而這里溝道較薄,。但當(dāng)vDS較小（vDS 隨著vDS的增大,，靠近漏極的溝道越來越薄,，當(dāng)vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)時，溝道在漏極一端出現(xiàn)預(yù)夾斷,，如圖2(b)所示,。再繼續(xù)增大vDS，夾斷點將向源極方向移動，如圖2(c)所示,。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區(qū),，故iD幾乎不隨vDS增大而增加，管子進(jìn)入飽和區(qū),，iD幾乎只由vGS決定,。場效應(yīng)管是一種重要的半導(dǎo)體器件，它利用電場效應(yīng)控制電流,，實現(xiàn)電路的開關(guān)和放大功能,。VMOS場效應(yīng)管

場效應(yīng)管在電路設(shè)計中常作為信號放大器使用，能夠有效地放大微弱信號,?；葜莺谋M型場效應(yīng)管供應(yīng)

在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負(fù)極）時,，二極管導(dǎo)通,，其PN結(jié)有電流通過。這是因為在P型半導(dǎo)體端為正電壓時,，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端,，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運動，從而形成導(dǎo)通電流,。同理,，當(dāng)二極管加上反向電壓（P端接負(fù)極,，N端接正極）時,，這時在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端,，負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端,，電子不移動，其PN結(jié)沒有電流通過,，二極管截止,。在柵極沒有電壓時，由前面分析可知,，在源極與漏極之間不會有電流流過,，此時場效應(yīng)管處與截止?fàn)顟B(tài)（圖7a）。當(dāng)有一個正電壓加在N溝道的MOS場效應(yīng)管柵極上時,，由于電場的作用,，此時N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負(fù)電子被吸引出來而涌向柵極，但由于氧化膜的阻擋,，使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導(dǎo)體中,，從而形成電流，使源極和漏極之間導(dǎo)通?？梢韵胂駷閮蓚€N型半導(dǎo)體之間為一條溝,，柵極電壓的建立相當(dāng)于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定,?；葜莺谋M型場效應(yīng)管供應(yīng)

深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才，集企業(yè)奇思,，創(chuàng)經(jīng)濟奇跡,，一群有夢想有朝氣的團(tuán)隊不斷在前進(jìn)的道路上開創(chuàng)新天地，繪畫新藍(lán)圖,，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的信譽,，信奉著“爭取每一個客戶不容易，失去每一個用戶很簡單”的理念,，市場是企業(yè)的方向,，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下,，全體上下,，團(tuán)結(jié)一致，共同進(jìn)退,，**協(xié)力把各方面工作做得更好,，努力開創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度,，未來深圳市南科功率半導(dǎo)體供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來,，即使現(xiàn)在有一點小小的成績，也不足以驕傲,，過去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗,，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點燃新的希望,，放飛新的夢想,！