MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的,，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的,。寄生電容的存在使得在設(shè)計或選擇驅(qū)動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免,，后邊再詳細介紹,。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管,。這個叫體二極管,，在驅(qū)動感性負載（如馬達），這個二極管很重要,?？梢栽贛OS管關(guān)斷時為感性負載的電動勢提供擊穿通路從而避免MOS管被擊穿損壞。順便說一句,，體二極管只在單個的MOS管中存在,，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。JFET有三個電極：柵極,、漏極和源極,，工作原理類似MOSFET,。珠海半導(dǎo)體場效應(yīng)管批發(fā)

當(dāng)滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時，MOS 管的 D 極和 S 極會導(dǎo)通,，這個時候體二極管是截止?fàn)顟B(tài),。因為 MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小，不足以使寄生二極管導(dǎo)通,。MOS管的導(dǎo)通條件,，PMOS增強型管：UG-US<0 , 且 |UG-US|>|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓,；NMOS增強型管：UG-US>0,，且 |UG-US|>|UGSTH| ，UGSTH是開啟電壓,；PMOS導(dǎo)通是在G和S之間加G負S正電壓。NMOS相反,。MOS管工作狀態(tài),，MOSFET 不同于三極管，因為某些型號封裝內(nèi)有并聯(lián)二極管,，所以其 D 和 S 極是不能反接的,，且 N 管必須由 D 流向 S，P 管必須由 S 流向 D,。廣州氧化物場效應(yīng)管參數(shù)場效應(yīng)管的工作原理是通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流,。

場效應(yīng)管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進行控制”,。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度,，即溝道截面積,，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故,。在VGS=0的非飽和區(qū)域,，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場,，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型,，ID飽和,。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,，并不是電流被切斷,。

什么是MOSFET,，mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide),、半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體,。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,，他們都是在P型back gate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,，這個兩個區(qū)是一樣的,，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的,。場效應(yīng)管（FET）,，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo),， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比,。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（P溝道耗盡型MOS管）,。而P溝道常見的為低壓mos管,。場效應(yīng)管在電子設(shè)備中普遍應(yīng)用，如音頻放大器,、電源管理等,。

場效應(yīng)管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部分組成,。在JFET中,，柵極和通道之間通過PN結(jié)隔離；而在MOSFET中,，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離,。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r，會在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個導(dǎo)電溝道,，從而控制漏極和源極之間的電流流動,。主要參數(shù)閾值電壓（Vth）：使場效應(yīng)管開始導(dǎo)電的較小柵極電壓。閾值電壓是場效應(yīng)管從截止區(qū)（Cutoff Region）過渡到飽和區(qū)（Saturation Region）的臨界電壓,。當(dāng)柵極-源極電壓（VGS）低于Vth時,，場效應(yīng)管處于關(guān)閉狀態(tài)，通道不導(dǎo)電,；當(dāng)VGS超過Vth時,，通道形成，電流開始流動。場效應(yīng)管作為音頻放大器,，具有低失真,、高保真的特點，提升音質(zhì)效果,?；葜輪螛O型場效應(yīng)管廠家直銷

場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，可以控制電流的流動,。珠海半導(dǎo)體場效應(yīng)管批發(fā)

mos管,，mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體,，MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,，這個兩個區(qū)是一樣的,，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能，這樣的器件被認(rèn)為是對稱的,。MOS電容的特性能被用來形成MOS管,，Gate，電介質(zhì)和backgate保持原樣,。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個稱為source,，另一個稱為drain,，假設(shè)source 和backgate都接地，drain接正電壓,，只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓,，就不會形成channel。珠海半導(dǎo)體場效應(yīng)管批發(fā)

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