場效應(yīng)管由源極（Source）,、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部分組成,。在JFET中，柵極和通道之間通過PN結(jié)隔離,；而在MOSFET中,，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當在柵極施加適當?shù)碾妷簳r,，會在柵極下方的半導體中形成一個導電溝道,，從而控制漏極和源極之間的電流流動。主要參數(shù)閾值電壓（Vth）：使場效應(yīng)管開始導電的較小柵極電壓,。閾值電壓是場效應(yīng)管從截止區(qū)（Cutoff Region）過渡到飽和區(qū)（Saturation Region）的臨界電壓,。當柵極-源極電壓（VGS）低于Vth時，場效應(yīng)管處于關(guān)閉狀態(tài),，通道不導電,；當VGS超過Vth時，通道形成,，電流開始流動,。場效應(yīng)管在高頻電路中表現(xiàn)出色，能夠保持較低的失真和較高的效率,。中山單極型場效應(yīng)管行價

場效應(yīng)管注意事項：（1）為了安全使用場效應(yīng)管,，在線路的設(shè)計中不能超過管的耗散功率，較大漏源電壓,、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值,。（2）各類型場效應(yīng)管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接入電路中,，要遵守場效應(yīng)管偏置的極性,。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓,；P溝道管柵極不能加負偏壓,，等等。（3）MOS場效應(yīng)管由于輸入阻抗極高,，所以在運輸,、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝,，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿,。尤其要注意，不能將MOS場效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi),，保存時較好放在金屬盒內(nèi),，同時也要注意管的防潮,。中山單極型場效應(yīng)管行價JFET具有電路簡單、工作穩(wěn)定的特點,，適合于低頻放大器設(shè)計,。

場效應(yīng)管主要參數(shù)：一、飽和漏源電流,。飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。二,、夾斷電壓,，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓,。三,、開啟電壓。開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應(yīng)管中,，使漏源間剛導通時的柵極電壓,。四、跨導,?？鐚m是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值,。gm是權(quán)衡場效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù),。

MOSFET管基本結(jié)構(gòu)與工作原理：mos管學名是場效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導體型場效應(yīng)管,，屬于絕緣柵型,。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點,、實用電路等幾個方面用工程師的話簡單描述,。MOS場效應(yīng)三極管分為：增強型（又有N溝道、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道,、P溝道）,。N溝道增強型MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖和符號見上圖。其中：電極 D（Drain） 稱為漏極,，相當雙極型三極管的集電極,；電極 G（Gate） 稱為柵極，相當于的基極,；電極 S（Source）稱為源極,，相當于發(fā)射極。場效應(yīng)管的可靠性較高，壽命長,。

在二極管加上正向電壓（P端接正極,，N端接負極）時，二極管導通,，其PN結(jié)有電流通過。這是因為在P型半導體端為正電壓時,，N型半導體內(nèi)的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導體端,，而P型半導體端內(nèi)的正電子則朝N型半導體端運動，從而形成導通電流,。同理,，當二極管加上反向電壓（P端接負極，N端接正極）時,，這時在P型半導體端為負電壓,，正電子被聚集在P型半導體端，負電子則聚集在N型半導體端,，電子不移動,，其PN結(jié)沒有電流通過，二極管截止,。在柵極沒有電壓時,，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過,，此時場效應(yīng)管處與截止狀態(tài)（圖7a）,。當有一個正電壓加在N溝道的MOS場效應(yīng)管柵極上時，由于電場的作用,，此時N型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來而涌向柵極,，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導體中,，從而形成電流,，使源極和漏極之間導通?？梢韵胂駷閮蓚€N型半導體之間為一條溝,，柵極電壓的建立相當于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定,。場效應(yīng)管的電阻特性取決于柵極電壓,，可實現(xiàn)精確控制。嘉興場效應(yīng)管參考價

場效應(yīng)管的使用方法包括選擇合適的工作點和電源電壓,，以及連接正確的外部電路,。中山單極型場效應(yīng)管行價

導通電阻（R_DS(on)）：場效應(yīng)管導通時的漏極與源極之間的電阻。它決定了電流通過器件時的壓降和功耗，較小的導通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅(qū)動能力,。較大漏極電流（I_D(max)）：場效應(yīng)管能夠承受的較大電流,，超過這個電流值可能會導致器件過熱、性能退化甚至長久損壞,。較大漏極-源極電壓（V_DS(max)）：場效應(yīng)管能夠承受的較大電壓,。超過這個電壓值可能會導致場效應(yīng)管的擊穿、熱損傷或其他形式的損壞,。柵極電容（C_iss）：柵極與漏極之間的輸入電容,。它影響了信號的傳輸速度和開關(guān)過程中的電荷存儲。中山單極型場效應(yīng)管行價