在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負(fù)極）時(shí)，二極管導(dǎo)通,，其PN結(jié)有電流通過(guò),。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí)，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端,，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng)，從而形成導(dǎo)通電流。同理,，當(dāng)二極管加上反向電壓（P端接負(fù)極,，N端接正極）時(shí)，這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓,，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端,，負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端，電子不移動(dòng),，其PN結(jié)沒(méi)有電流通過(guò),，二極管截止。在柵極沒(méi)有電壓時(shí),，由前面分析可知,，在源極與漏極之間不會(huì)有電流流過(guò)，此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管處與截止?fàn)顟B(tài)（圖7a）,。當(dāng)有一個(gè)正電壓加在N溝道的MOS場(chǎng)效應(yīng)管柵極上時(shí),，由于電場(chǎng)的作用，此時(shí)N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負(fù)電子被吸引出來(lái)而涌向柵極,，但由于氧化膜的阻擋,，使得電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的P型半導(dǎo)體中，從而形成電流,，使源極和漏極之間導(dǎo)通,。可以想像為兩個(gè)N型半導(dǎo)體之間為一條溝,，柵極電壓的建立相當(dāng)于為它們之間搭了一座橋梁,，該橋的大小由柵壓的大小決定。場(chǎng)效應(yīng)管具有較高的耐熱性能,，適用于高溫環(huán)境,。廣州氧化物場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià)格

場(chǎng)效應(yīng)管由于它只靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管,。FET 英文為Field Effect Transistor,，簡(jiǎn)寫(xiě)成FET。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類,。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種,；按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,，也有增強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,，而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型,；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。中山小噪音場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管在電子器件中的功率管理,、信號(hào)放大等方面有重要作用,。

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,，并以此命名，場(chǎng)效應(yīng)管[2]是常見(jiàn)的電子元件,，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小,、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成,、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,，但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來(lái)（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）,，1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，從而大部分代替了JFET,，對(duì)電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義,。

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測(cè)試儀器,、工作臺(tái)、電烙鐵,、線路本身都必須有良好的接地,；管腳在焊接時(shí)，先焊源極,；在連入電路之前,，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉,；從元器件架上取下管時(shí),，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當(dāng)然,，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵,，焊接場(chǎng)效應(yīng)管是比較方便的，并且確保安全,；在未關(guān)斷電源時(shí),，一定不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意,。場(chǎng)效應(yīng)管的特性可以通過(guò)外部電路的調(diào)整來(lái)滿足不同的應(yīng)用需求,。

計(jì)算導(dǎo)通損耗。MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計(jì)算,，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化,，因此功率耗損也會(huì)隨之按比例變化,。對(duì)便攜 式設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，采用較低的電壓比較容易(較為普遍),，而對(duì)于工業(yè)設(shè)計(jì),，可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會(huì)隨著電流輕微上升,。關(guān)于RDS(ON)電 阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到,。計(jì)算系統(tǒng)的散熱要求。設(shè)計(jì)人員必須考慮兩種不同的情況,，即較壞情況和真實(shí)情況,。建議采用針對(duì)較壞情況的計(jì)算結(jié)果，因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量,，能 確保系統(tǒng)不會(huì)失效,。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測(cè)量數(shù)據(jù)；比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻,，以及較大的結(jié)溫,。開(kāi)關(guān)損耗其實(shí)也是一個(gè)很重要的指標(biāo)。從下圖可以看到,，導(dǎo)通瞬間的電壓電流乘積相當(dāng)大,。一定程度上決定了器件的開(kāi)關(guān)性能。不過(guò),，如果系統(tǒng)對(duì)開(kāi)關(guān)性能要求比較高,，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。JFET具有電路簡(jiǎn)單,、工作穩(wěn)定的特點(diǎn),，適合于低頻放大器設(shè)計(jì)。溫州場(chǎng)效應(yīng)管

在選型場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),，需要考慮其工作溫度范圍,、最大耗散功率和靜態(tài)特性等參數(shù)。廣州氧化物場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià)格

MOSFET選型注意事項(xiàng)：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),，其開(kāi)關(guān)導(dǎo) 通,。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極,。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻,，稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此,，總 是要在柵極加上一個(gè)電壓,。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作,，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉,，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時(shí),，開(kāi)關(guān)關(guān)閉,，而電流停止通過(guò)器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉,，但仍然有微小電流存在,，這稱之為漏電流，即IDSS,。廣州氧化物場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià)格