場效應(yīng)晶體管：截止區(qū)：當(dāng) UGS 小于開啟電壓 UGSTH時,，MOS 不導(dǎo)通?？勺冸娮鑵^(qū)：UDS 很小,，I_DID 隨UDS 增大而增大。恒流區(qū)：UDS 變化,，I_DID 變化很小,。擊穿區(qū)：UDS 達到一定值時，MOS 被擊穿,，I_DID 突然增大,，如果沒有限流電阻，將被燒壞,。過損耗區(qū)：功率較大,，需要加強散熱，注意較大功率,。場效應(yīng)管主要參數(shù),。場效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù),，但普通運用時主要關(guān)注以下一些重點參數(shù)：飽和漏源電流IDSS，夾斷電壓Up,，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管,，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）、跨導(dǎo)gm,、漏源擊穿電壓BUDS,、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。在選擇場效應(yīng)管時,，要考慮其成本效益,，根據(jù)實際需求選擇合適的性價比產(chǎn)品。寧波場效應(yīng)管參數(shù)

場效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較：1.場效應(yīng)管是電壓控制器件,，柵極基本不取電流,，而晶體管是電流控制器件,，基極必須取一定的電流。因此,，在信號源額定電流極小的情況,，應(yīng)選用場效應(yīng)管。2.場效應(yīng)管是多子導(dǎo)電,，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電,。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感,，因此,，對于環(huán)境變化較大的場合，采用場效應(yīng)管比較合適,。3.場效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關(guān)外,，還可作壓控可變線性電阻使用。4.場效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對稱的,，可以互換使用,，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù)。因此,，使用場效應(yīng)管比晶體管靈活,。場效應(yīng)管供應(yīng)場效應(yīng)管的表示特性是輸入電阻高、輸入電容小,、開關(guān)速度快和功耗低。

場效應(yīng)管使用優(yōu)勢：場效應(yīng)管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管,；而在信號電壓較低,，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管,。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數(shù)載流子,，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,，被稱之為雙極型器件。有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負(fù),，靈活性比三極管好。場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用,。

MOS場效應(yīng)管，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）,，屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,，因此具有很高的輸入電阻（較高可達1015Ω）,。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起,。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,，MOSFET又分增強型、耗盡型,。所謂增強型是指：當(dāng)VGS=0時管子是呈截止?fàn)顟B(tài),，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極,，從而“增強”了該區(qū)域的載流子,，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指,，當(dāng)VGS=0時即形成溝道,，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道,，因而“耗盡”了載流子,，使管子轉(zhuǎn)向截止。JFET在低頻放大和高阻抗放大中比較常用,，其工作原理比較簡單,。

如果GATE相對于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面,，channel形成了,，因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值。由于NMOS管的閾值電壓是正的,，PMOS的閾值電壓是負(fù)的,，所以工程師們通常會去掉閾值電壓前面的符號，一個工程師可能說,，"PMOS Vt從0.6V上升到0.7V",， 實際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V。場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流,。事實上沒有電流流過這個絕緣體,，所以FET管的GATE電流非常小。較普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）,。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管,。JFET有三個電極：柵極,、漏極和源極，工作原理類似MOSFET,。珠海雙柵極場效應(yīng)管現(xiàn)貨直發(fā)

場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,，可以控制電流的流動。寧波場效應(yīng)管參數(shù)

MOSFET選型注意事項：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,，其開關(guān)導(dǎo) 通,。導(dǎo)通時，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極,。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻,，稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端,，因此,，總 是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空,，器件將不能按設(shè)計意圖工作,，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗,。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時,，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件,。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在,，這稱之為漏電流,，即IDSS。寧波場效應(yīng)管參數(shù)