作為電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢,？本文將討論如何通過(guò)四步來(lái)選擇正確的MOSFET,。溝道的選擇。為設(shè)計(jì)選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET,。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地，而負(fù)載連接到干線電 壓上時(shí),，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中,，應(yīng)采用N溝道MOSFET,，這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOSFET連接到 總線及負(fù)載接地時(shí),，就要用高壓側(cè)開(kāi)關(guān),。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOSFET,，這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。場(chǎng)效應(yīng)管可用于開(kāi)關(guān)電路,，實(shí)現(xiàn)電路的通斷控制,，如電子開(kāi)關(guān)、繼電器驅(qū)動(dòng)等,。廣州小噪音場(chǎng)效應(yīng)管定制

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：一,、飽和漏源電流。飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流,。二、夾斷電壓,，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。三,、開(kāi)啟電壓,。開(kāi)啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓,。四,、跨導(dǎo)?？鐚?dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制才能,，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權(quán)衡場(chǎng)效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù),?；葜輳?qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格場(chǎng)效應(yīng)管可通過(guò)控制柵極電壓來(lái)調(diào)節(jié)輸出電流，具有較好的線性特性,。

MOS管的工作原理,，在開(kāi)關(guān)電源中常用MOS管的漏極開(kāi)路電路，如圖2漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載,，叫開(kāi)路漏極,，開(kāi)路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流,。是理想的模擬開(kāi)關(guān)器件,。這就是MOS管做開(kāi)關(guān)器件的原理。當(dāng)然MOS管做開(kāi)關(guān)使用的電路形式比較多了,。NMOS管的開(kāi)路漏極電路,，在開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用方面，這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷。比如,，DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個(gè)MOS管來(lái)執(zhí)行開(kāi)關(guān)功能,，這些開(kāi)關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量，然后把能量釋放給負(fù)載,。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率,，因?yàn)轭l率越高，磁性元件可以更小更輕,。在正常工作期間,，MOS管只相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體。因此,，我們電路或者電源設(shè)計(jì)人員較關(guān)心的是MOS的較小傳導(dǎo)損耗,。

對(duì)于開(kāi)關(guān)頻率小于100kHz的信號(hào)一般取（400～500）kHz載波頻率較好,，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K,、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好,。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號(hào)頻率小于100kHz的場(chǎng)合,，因信號(hào)頻率相對(duì)載波頻率太高的話，相對(duì)延時(shí)太多,，且所需驅(qū)動(dòng)功率增大,，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高，故100kHz以上開(kāi)關(guān)頻率只對(duì)較小極電容的MOSFET才可以,。對(duì)于1kVA左右開(kāi)關(guān)頻率小于100kHz的場(chǎng)合,，它是一種良好的驅(qū)動(dòng)電路。該電路具有以下特點(diǎn)：?jiǎn)坞娫垂ぷ?，控制信?hào)與驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)隔離,，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單尺寸較小，尤其適用于占空比變化不確定或信號(hào)頻率也變化的場(chǎng)合,。場(chǎng)效應(yīng)管可以用作放大器,，可以放大輸入信號(hào)的幅度。

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）在安裝場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件,；為了防管件振動(dòng)，有必要將管殼體緊固起來(lái),；管腳引線在彎曲時(shí),，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行,，以防止彎斷管腳和引起漏氣等,。（2）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后,，較大功率才能達(dá)到30W,。（3）多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加,，使放大器的高頻特性變壞,，通過(guò)反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此,，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過(guò)4個(gè),，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。場(chǎng)效應(yīng)管的使用壽命與工作溫度,、電壓應(yīng)力等因素有關(guān),。佛山VMOS場(chǎng)效應(yīng)管哪家好

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，場(chǎng)效應(yīng)管性能不斷提升,，有望在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用,。廣州小噪音場(chǎng)效應(yīng)管定制

MOSFET管基本結(jié)構(gòu)與工作原理：mos管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,，屬于絕緣柵型,。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn),、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話簡(jiǎn)單描述,。MOS場(chǎng)效應(yīng)三極管分為：增強(qiáng)型（又有N溝道、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道,、P溝道）,。N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)見(jiàn)上圖。其中：電極 D（Drain） 稱為漏極,，相當(dāng)雙極型三極管的集電極,；電極 G（Gate） 稱為柵極，相當(dāng)于的基極,；電極 S（Source）稱為源極,，相當(dāng)于發(fā)射極。廣州小噪音場(chǎng)效應(yīng)管定制