這些電極的名稱和它們的功能有關(guān),。柵極可以被認(rèn)為是控制一個物理柵的開關(guān)。這個柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道,，從而允許或者阻礙電子流過,。如果受一個加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極,。體很簡單的就是指柵,、漏、源極所在的半導(dǎo)體的塊體,。通常體端和一個電路中較高或較低的電壓相連,，根據(jù)類型不同而不同。體端和源極有時連在一起,，因?yàn)橛袝r源也連在電路中較高或較低的電壓上,。當(dāng)然有時一些電路中FET并沒有這樣的結(jié)構(gòu)，比如級聯(lián)傳輸電路和串疊式電路,。場效應(yīng)管的靈敏度較高，可以實(shí)現(xiàn)精確的電流控制,。東莞場效應(yīng)管生產(chǎn)廠家

雪崩失效分析（電壓失效）,，底什么是雪崩失效呢，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓,、變壓器反射電壓,、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式,。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式,。下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖，做為電源工程師可以簡單了解下,?？赡芪覀兘?jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對我們電源板上的MOSFET進(jìn)行失效分析，大多數(shù)廠家都光給一個EAS.EOS之類的結(jié)論,，那么到底我們怎么區(qū)分是否是雪崩失效呢,，下面是一張經(jīng)過雪崩測試失效的器件圖，我們可以進(jìn)行對比從而確定是否是雪崩失效,。廣州多晶硅金場效應(yīng)管廠家場效應(yīng)管有三種類型,，分別是MOSFET、JFET和IGBT，它們各自具有不同的特性和應(yīng)用領(lǐng)域,。

以N溝道為例,，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D,。源極與襯底在內(nèi)部連通,，二者總保持等電位。當(dāng)漏接電源正極,，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時,，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高,，受柵極正電壓的吸引,，在兩個擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道,，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時,，N溝道管開始導(dǎo)通，形成漏極電流ID,。場效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,，但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場效應(yīng)管，Junction-FET,，JFET）,。1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor, MOSFET），從而大部分代替了JFET,，對電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義,。

導(dǎo)電溝道的形成：當(dāng)vGS數(shù)值較小，吸引電子的能力不強(qiáng)時,，漏——源極之間仍無導(dǎo)電溝道出現(xiàn),，如圖1(b)所示。vGS增加時,，吸引到P襯底表面層的電子就增多,，當(dāng)vGS達(dá)到某一數(shù)值時，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層,，且與兩個N+區(qū)相連通,，在漏——源極間形成N型導(dǎo)電溝道，其導(dǎo)電類型與P襯底相反,，故又稱為反型層,，如圖1(c)所示。vGS越大,，作用于半導(dǎo)體表面的電場就越強(qiáng),，吸引到P襯底表面的電子就越多,，導(dǎo)電溝道越厚，溝道電阻越小,。使用場效應(yīng)管時需注意靜電防護(hù),，防止損壞敏感的柵極。

MOSFET管基本結(jié)構(gòu)與工作原理：mos管學(xué)名是場效應(yīng)管,，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,，屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造,、特點(diǎn),、實(shí)用電路等幾個方面用工程師的話簡單描述。MOS場效應(yīng)三極管分為：增強(qiáng)型（又有N溝道,、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道,、P溝道）。N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖和符號見上圖,。其中：電極 D（Drain） 稱為漏極,，相當(dāng)雙極型三極管的集電極；電極 G（Gate） 稱為柵極,，相當(dāng)于的基極,；電極 S（Source）稱為源極，相當(dāng)于發(fā)射極,。場效應(yīng)管的功耗較低,，可以節(jié)省能源?；葜萁饘賵鲂?yīng)管供應(yīng)

場效應(yīng)管的類型包括N溝道和P溝道兩種,，可以根據(jù)具體需求選擇。東莞場效應(yīng)管生產(chǎn)廠家

電壓和電流的選擇,。額定電壓越大，器件的成本就越高,。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護(hù),，使MOSFET不 會失效,。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓,，即較大VDS,。設(shè)計(jì)工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關(guān)電子設(shè)備(如電機(jī) 或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同,；通常,，便攜式設(shè)備為20V,、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應(yīng)用為450～600V,。在連續(xù)導(dǎo)通模式下,，MOSFET處于穩(wěn)態(tài)，此時電流連續(xù)通過器件,。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件,。一旦確定了這些條件下的較大電流，只需直接選擇能承受這個較大電流的器件便可,。東莞場效應(yīng)管生產(chǎn)廠家