MOS管開關(guān)電路圖：頭一種應(yīng)用，由PMOS來進(jìn)行電壓的選擇,，當(dāng)V8V存在時(shí),，此時(shí)電壓全部由V8V提供，將PMOS關(guān)閉,，VBAT不提供電壓給VSIN,，而當(dāng)V8V為低時(shí)，VSIN由8V供電,。注意R120的接地,，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低，確保PMOS的正常開啟,，這也是前文所描述的柵極高阻抗所帶來的狀態(tài)隱患。D9和D10的作用在于防止電壓的倒灌,。D9可以省略,。這里要注意到實(shí)際上該電路的DS接反，這樣由附生二極管導(dǎo)通導(dǎo)致了開關(guān)管的功能不能達(dá)到,，實(shí)際應(yīng)用要注意,。選擇場效應(yīng)管時(shí)，應(yīng)考慮其耐壓,、耐流等參數(shù),，以確保其在工作環(huán)境中能夠穩(wěn)定可靠地運(yùn)行。湖州耗盡型場效應(yīng)管

靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實(shí)就是開啟電壓Vgs（th）,，只不過這里看的角度不一樣,。注②：看完前文的讀者應(yīng)該知道為什么這里兩個(gè)Rds（on）大小有差異，不知道的回去前面重新看,。動(dòng)態(tài)點(diǎn)特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ,；Coss = Cds ；Crss = Cgd,；注②：MOS管開啟速度較主要關(guān)注的參數(shù)是Qg,，也就是形成反型層需要的總電荷量,！注③：接通/斷開延遲時(shí)間t d(on/off)、上升/下降時(shí)間tr / tf,，各位工程時(shí)使用的時(shí)候請根據(jù)實(shí)際漏級(jí)電路ID,，柵極驅(qū)動(dòng)電壓Vg進(jìn)行判斷。湖州耗盡型場效應(yīng)管場效應(yīng)管的表示特性是輸入電阻高,、輸入電容小,、開關(guān)速度快和功耗低。

絕緣柵場效應(yīng)管：1,、絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）的分類：絕緣柵場效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式,，它們是N溝道型和P溝道型。無論是什么溝道,，它們又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種,。2、它是由金屬,、氧化物和半導(dǎo)體所組成,，所以又稱為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)管，簡稱MOS場效應(yīng)管,。3,、絕緣柵型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管為例)它是利用UGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,，然后達(dá)到控制漏極電流的目的,。在制造管子時(shí)，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷,，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道,，即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID,。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變,，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變,，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

場效應(yīng)管主要參數(shù)：場效應(yīng)管的參數(shù)很多,，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運(yùn)用時(shí)主要關(guān)注以下一些重點(diǎn)參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up,，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）,、跨導(dǎo)gm,、漏源擊穿電壓BUDS,、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。一,、飽和漏源電流,，飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流,。二,、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓,。在選擇場效應(yīng)管時(shí)，要考慮其成本效益,，根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的性價(jià)比產(chǎn)品,。

導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：場效應(yīng)管導(dǎo)通時(shí)的漏極與源極之間的電阻。它決定了電流通過器件時(shí)的壓降和功耗,，較小的導(dǎo)通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅(qū)動(dòng)能力,。較大漏極電流（I_D(max)）：場效應(yīng)管能夠承受的較大電流，超過這個(gè)電流值可能會(huì)導(dǎo)致器件過熱,、性能退化甚至長久損壞,。較大漏極-源極電壓（V_DS(max)）：場效應(yīng)管能夠承受的較大電壓。超過這個(gè)電壓值可能會(huì)導(dǎo)致場效應(yīng)管的擊穿,、熱損傷或其他形式的損壞,。柵極電容（C_iss）：柵極與漏極之間的輸入電容。它影響了信號(hào)的傳輸速度和開關(guān)過程中的電荷存儲(chǔ),。在進(jìn)行場效應(yīng)管電路調(diào)試時(shí),，應(yīng)逐步調(diào)整柵極電壓，觀察輸出變化,，以確保電路性能達(dá)到預(yù)期。深圳小噪音場效應(yīng)管尺寸

選型場效應(yīng)管時(shí)需考慮工作頻率,、功率需求等因素,。湖州耗盡型場效應(yīng)管

在近期的工作中，小編接觸到了之前不太熟悉的一種電子元器件——場效應(yīng)管,，在查找相關(guān)資料時(shí),，經(jīng)常會(huì)看到另幾個(gè)元器件，比如mos管,、二極管,、三極管，網(wǎng)上甚至有種說法：場效應(yīng)管和mos管就是一種東西,。這種說法當(dāng)然是不夠準(zhǔn)確的,，為了能夠更好地認(rèn)識(shí)這幾種元器件,，本文就給大家詳細(xì)科普一下！場效應(yīng)管,，場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管,，主要有兩種類型（junction FET-JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,，具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）,、噪聲小、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大,、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。湖州耗盡型場效應(yīng)管