MOSFET的特性和作用：MOS管導(dǎo)作用，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于SiO2絕緣層的存在,，在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容存在,，電壓VGS產(chǎn)生電場(chǎng)從而導(dǎo)致源source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下,，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能,。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的,。目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面，排名頭一的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品,。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板,、NB、計(jì)算機(jī)類適配器,、LCD顯示器等產(chǎn)品,，隨著國(guó)情的發(fā)展計(jì)算機(jī)主板、計(jì)算機(jī)類適配器,、LCD顯示器對(duì)MOS管的需求有要超過(guò)消費(fèi)類電子電源適配器的現(xiàn)象了,。第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制,、汽車電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了,，這些產(chǎn)品對(duì)于MOS管的需求也是很大的，特別是現(xiàn)在汽車電子對(duì)于MOS管的需求直追消費(fèi)類電子了,。JFET具有電路簡(jiǎn)單,、工作穩(wěn)定的特點(diǎn)，適合于低頻放大器設(shè)計(jì),?；葜菰礃O場(chǎng)效應(yīng)管制造

SOA失效（電流失效）再簡(jiǎn)單說(shuō)下第二點(diǎn)，SOA失效,，SOA失效是指電源在運(yùn)行時(shí)異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上面,，造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式?；蛘呤切酒c散熱器及封裝不能及時(shí)達(dá)到熱平衡導(dǎo)致熱積累,，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過(guò)氧化層限制而導(dǎo)致的熱擊穿模式。關(guān)于SOA各個(gè)線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片,。1：受限于較大額定電流及脈沖電流2：受限于較大節(jié)溫下的RDSON,。3：受限于器件較大的耗散功率。4：受限于較大單個(gè)脈沖電流,。5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū),。我們電源上的MOSFET,，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內(nèi)，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導(dǎo)致的電源失效問(wèn)題的產(chǎn)生,。這個(gè)是一個(gè)非典型的SOA導(dǎo)致失效的一個(gè)解刨圖,，由于去過(guò)鋁，可能看起來(lái)不那么直接,，參考下,。中山氧化物場(chǎng)效應(yīng)管參考價(jià)場(chǎng)效應(yīng)管的使用方法需要注意輸入電壓和功率的限制，避免損壞器件,。

如果GATE相對(duì)于BACKGATE反向偏置,，空穴被吸引到表面，channel形成了,，因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值,。由于NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負(fù)的,，所以工程師們通常會(huì)去掉閾值電壓前面的符號(hào),，一個(gè)工程師可能說(shuō)，"PMOS Vt從0.6V上升到0.7V",， 實(shí)際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V,。場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體,，所以FET管的GATE電流非常小,。較普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）,。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管,。

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）：1,、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極,，它們是：柵極；漏極,；源極,。電路符號(hào)中柵極的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例),，N溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào),，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導(dǎo)電的,，形成了所謂耗盡區(qū),，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí),，如果柵極電壓越負(fù)，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,，則漏,、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄，漏極電流ID就愈??；反之，如果柵極電壓沒有那么負(fù),，則溝道變寬，ID變大,，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,，就是說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,。選型場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)需考慮工作頻率,、功率需求等因素。

MOS管三個(gè)極分別是什么及判定方法：mos管的三個(gè)極分別是：G（柵極）,，D（漏極）s（源及）,，要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值，漏極和源及才能導(dǎo)通,。判斷柵極G,，MOS驅(qū)動(dòng)器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的作用：假如MOS管的G信號(hào)波形不夠陡峭，在點(diǎn)評(píng)切換階段會(huì)造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率,，MOS管發(fā)燒嚴(yán)峻,，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容，假如G信號(hào)驅(qū)動(dòng)能力不夠,，將嚴(yán)峻影響波形跳變的時(shí)間,。將G-S極短路，選擇萬(wàn)用表的R×1檔,，黑表筆接S極,，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐,。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)限大,，并且交換表筆后仍為無(wú)限大，則證實(shí)此腳為G極,，由于它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的,。選擇場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，應(yīng)考慮其耐壓,、耐流等參數(shù),，以確保其在工作環(huán)境中能夠穩(wěn)定可靠地運(yùn)行,。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管市價(jià)

場(chǎng)效應(yīng)管在靜態(tài)工作時(shí)功耗較低，有利于節(jié)能降耗,?；葜菰礃O場(chǎng)效應(yīng)管制造

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名,。場(chǎng)效應(yīng)管（fet）是電場(chǎng)效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件,。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高,、噪聲低,、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn),，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用,。場(chǎng)效應(yīng)器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定,、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管的趨勢(shì)。但它還是非常嬌貴的,，雖然多數(shù)已經(jīng)內(nèi)置了保護(hù)二極管,，但稍不注意，也會(huì)損壞,。所以在應(yīng)用中還是小心為妙,。惠州源極場(chǎng)效應(yīng)管制造