觸發(fā)二極管，觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管，英文名稱為Diode AC switch,簡寫為DIAC，觸發(fā)二極管實際上是一種電壓控制元件,，一般的它們都有一個觸發(fā)電壓，當兩端電壓低于這個觸發(fā)電壓的時候,，二極管是開路狀態(tài),，當電壓達到觸發(fā)電壓的時候，二極管瞬間導通,，將電壓輸出,。雙向二極管的正反兩個方向都有穩(wěn)壓作用，就如同兩個穩(wěn)壓二極管反向串連,，它的兩端不論正反哪個反向達到了穩(wěn)定電壓（既其中一個穩(wěn)壓極管）的反向擊穿電壓都可以使得其兩端的電壓基本保持不變（在其允許的電流范圍內(nèi)）,，因此正常情況下觸發(fā)二極管是雙向都不導通的。觸發(fā)二極管的引腳沒有正負極性的區(qū)分,，原理圖的種類比較多,，一般都是兩個二極管集成在一起的,，觸發(fā)二極管的原理圖和PCB庫如下圖所示。二極管的原理是基于PN結的特性,，其中P區(qū)富含正電荷,，N區(qū)富含負電荷。廣州電子電路二極管供應商

在操作中,，一個單獨的電流通過由鎳鉻合金制成的高電阻燈絲（加熱器）,，將陰極加熱到紅熱狀態(tài)（800-1000℃）后可導致它釋放電子到真空。這一過程即熱發(fā)射,。陰極通常涂有堿土金屬氧化物,，如鋇或鍶的氧化物。因為它們具有較低的功函數(shù),，可使發(fā)射的電子數(shù)量增加,。有些真空管則直接加熱鎢絲，鎢絲則既作為加熱器也是陰極本身,。交流電會在負極及與其同心的陽極板之間整流,，當板子帶正電時，靜電會從負極處吸引電子,。所以電子即從陰極連通到陽極成為了電流,。然而當極性反轉(zhuǎn)陽極板帶有負電時，陽極板不會發(fā)射電子,，而陰極也并不會吸引電子,，因而沒有電流會產(chǎn)生。如此則保證了電流的單向流通,，即從陰極流向陽極板。光敏二極管規(guī)格二極管有正負兩個端子,，包括正向?qū)ê头聪蚪刂箖煞N狀態(tài),。

二極管應用：1.整流，整流二極管主要用于整流電路,，即把交流電變換成脈動的直流電,。整流二極管都是面結型，因此結電容較大,，使其工作頻率較低,，一般為3kHZ以下。2.開關,，二極管在正向電壓作用下電阻很小,，處于導通狀態(tài)，相當于一只接通的開關,；在反向電壓作用下,，電阻很大,，處于截止狀態(tài)，如同一只斷開的開關,。利用二極管的開關特性,，可以組成各種邏輯電路。3.限幅,，二極管正向?qū)ê?，它的正向壓降基本保持不變（硅管?.7V，鍺管為0.3V）,。利用這一特性,，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限制在一定范圍內(nèi),。

江崎二極管,，阻尼二極管又稱隧道二極管、穿隧效應二極管,、穿隧二極管,、透納二極管，英文名稱為Tunnel Diode,，它是一種可以高速切換的半導體二極管,，其切換速度可到達微波頻率的范圍，其原理是利用量子穿隧效應,。它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管,。江崎二極管是采用砷化鎵（GaAs）和銻化鎵（GaSb）等材料混合制成的半導體二極管，其優(yōu)點是開關特性好,，速度快,、工作頻率高；缺點是熱穩(wěn)定性較差,。一般應用于某些開關電路或高頻振蕩等電路中,。二極管作為電子元器件的重要一員，其發(fā)展和應用推動了電子技術的進步,。

二極管概述,，二極管，（英語：Diode）,，電子元件當中,，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過,，許多的使用是應用其整流的功能,。晶體二極管的主要是PN結，關于PN結首先要了解三個概念,。本征半導體：指不含任何摻雜元素的半導體,，如純硅晶片或純鍺晶片,。P型半導體：摻雜了產(chǎn)生空穴的含較低電價雜質(zhì)的半導體，如在本征半導體中Si(4+)中摻入Al(3+)的半導體,。N型半導體：摻雜了產(chǎn)生空穴的含較低電價雜質(zhì)的半導體,，如在本征半導體中硅Si(4+)中摻入磷P(5+)的半導體。由P型半導體和N型半導體相接觸時,，就產(chǎn)生一個獨特的PN結界面,，在界面的兩側(cè)形成空間電荷層，構成自建電場,。二極管在電子設備中常用于信號調(diào)節(jié),，如調(diào)整音頻或視頻信號的幅度。廣州電子電路二極管供應商

二極管是電子電路中的基礎元件,，具有單向?qū)щ娦?，常用于整流、開關等電路中,。廣州電子電路二極管供應商

二極管反向區(qū)也分兩個區(qū)域：當VBR＜V＜0時,，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化,，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS,。當V≥VBR時，反向電流急劇增加,，VBR稱為反向擊穿電壓,。在反向區(qū)，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同,。硅二極管的反向擊穿特性比較硬,、比較陡，反向飽和電流也很??；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑,，反向飽和電流較大。從擊穿的機理上看,，硅二極管若|VBR|≥7 V時,，主要是雪崩擊穿；若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿,，當在4 V～7 V之間兩種擊穿都有,，有可能獲得零溫度系數(shù)點。廣州電子電路二極管供應商