MOSFET的作用如下：1.可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換,。3.可以用作可變電阻。4.可以方便地用作恒流源,。5.可以用作電子開(kāi)關(guān),。6.在電路設(shè)計(jì)上的靈活性大。柵偏壓可正可負(fù)可零,，三極管只能在正向偏置下工作,，電子管只能在負(fù)偏壓下工作。另外輸入阻抗高,，可以減輕信號(hào)源負(fù)載,，易于跟前級(jí)匹配?；緢?chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)包括輸入電阻高,、輸入電容低。東莞小噪音場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

LED 燈具的驅(qū)動(dòng),。設(shè)計(jì)LED燈具的時(shí)候經(jīng)常要使用MOS管,，對(duì)LED恒流驅(qū)動(dòng)而言，一般使用NMOS,。功率MOSFET和雙極型晶體管不同,，它的柵極電容比較大，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電,，當(dāng)電容電壓超過(guò)閾值電壓(VGS-TH)時(shí)MOSFET才開(kāi)始導(dǎo)通,。因此,，設(shè)計(jì)時(shí)必須注意柵極驅(qū)動(dòng)器負(fù)載能力必須足夠大，以保證在系統(tǒng)要求的時(shí)間內(nèi)完成對(duì)等效柵極電容(CEI)的充電,。而MOSFET的開(kāi)關(guān)速度和其輸入電容的充放電有很大關(guān)系,。使用者雖然無(wú)法降低Cin的值，但可以降低柵極驅(qū)動(dòng)回路信號(hào)源內(nèi)阻Rs的值,，從而減小柵極回路 的充放電時(shí)間常數(shù),，加快開(kāi)關(guān)速度一般IC驅(qū)動(dòng)能力主要體現(xiàn)在這里，我們談選擇MOSFET是指外置MOSFET驅(qū)動(dòng)恒流IC,。珠海場(chǎng)效應(yīng)管廠商場(chǎng)效應(yīng)管可以用作放大器,，可以放大輸入信號(hào)的幅度。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管,，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型,。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,，因此具有很高的輸入電阻（較高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管,。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起,。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型,、耗盡型,。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后,，多數(shù)載流子被吸引到柵極,，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道,。耗盡型則是指,，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí),，能使多數(shù)載流子流出溝道,，因而“耗盡”了載流子,，使管子轉(zhuǎn)向截止,。

MOS管三個(gè)極分別是什么及判定方法：mos管的三個(gè)極分別是：G（柵極），D（漏極）s（源及）,，要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值,，漏極和源及才能導(dǎo)通。判斷柵極G,，MOS驅(qū)動(dòng)器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的作用：假如MOS管的G信號(hào)波形不夠陡峭,，在點(diǎn)評(píng)切換階段會(huì)造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率，MOS管發(fā)燒嚴(yán)峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容,，假如G信號(hào)驅(qū)動(dòng)能力不夠,，將嚴(yán)峻影響波形跳變的時(shí)間。將G-S極短路,，選擇萬(wàn)用表的R×1檔,，黑表筆接S極，紅表筆接D極,，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐,。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)限大，并且交換表筆后仍為無(wú)限大,，則證實(shí)此腳為G極,，由于它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。場(chǎng)效應(yīng)管是一種重要的半導(dǎo)體器件,，它利用電場(chǎng)效應(yīng)控制電流,，實(shí)現(xiàn)電路的開(kāi)關(guān)和放大功能。

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）在安裝場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件,；為了防管件振動(dòng)，有必要將管殼體緊固起來(lái),；管腳引線在彎曲時(shí),，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等,。（2）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后,。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后,，較大功率才能達(dá)到30W,。（3）多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加,，使放大器的高頻特性變壞,，通過(guò)反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此,，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過(guò)4個(gè),，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。場(chǎng)效應(yīng)管制造工藝成熟,，產(chǎn)量大,，成本低，有利于大規(guī)模應(yīng)用,。珠海N溝道場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià)格

JFET是一種可用作功率放大器或開(kāi)關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)管,。東莞小噪音場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

SOA失效（電流失效）再簡(jiǎn)單說(shuō)下第二點(diǎn),，SOA失效，SOA失效是指電源在運(yùn)行時(shí)異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上面,，造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式,。或者是芯片與散熱器及封裝不能及時(shí)達(dá)到熱平衡導(dǎo)致熱積累,，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過(guò)氧化層限制而導(dǎo)致的熱擊穿模式,。關(guān)于SOA各個(gè)線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片。1：受限于較大額定電流及脈沖電流2：受限于較大節(jié)溫下的RDSON,。3：受限于器件較大的耗散功率,。4：受限于較大單個(gè)脈沖電流。5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū),。我們電源上的MOSFET,，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內(nèi)，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導(dǎo)致的電源失效問(wèn)題的產(chǎn)生,。這個(gè)是一個(gè)非典型的SOA導(dǎo)致失效的一個(gè)解刨圖,，由于去過(guò)鋁，可能看起來(lái)不那么直接,，參考下,。東莞小噪音場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)