MOS管發(fā)熱情況有：1.電路設(shè)計(jì)的問題,，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因,。如果N-MOS做開關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V,，才能完全導(dǎo)通,，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過(guò)大造成功率消耗,，等效直流阻抗比較大,，壓降增大，所以U*I也增大,，損耗就意味著發(fā)熱,。這是設(shè)計(jì)電路的較忌諱的錯(cuò)誤。2.頻率太高，主要是有時(shí)過(guò)分追求體積,，導(dǎo)致頻率提高,，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了,。3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì),，電流太高，MOS管標(biāo)稱的電流值,，一般需要良好的散熱才能達(dá)到,。所以ID小于較大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重,，需要足夠的輔助散熱片,。4.MOS管的選型有誤，對(duì)功率判斷有誤,，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮,，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。在放大電路中,，場(chǎng)效應(yīng)管可以起到線性放大的作用,，輸出的信號(hào)與輸入信號(hào)成正比。高穩(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量方法

Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置,，所以只有很小的電流從drain流向backgate,，如果GATE電壓超過(guò)了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel,。這個(gè)channel就像一薄層短接drain和source的N型硅,，由電子組成的電流從source通過(guò)channel流到drain，總的來(lái)說(shuō),，只有在gate 對(duì)source電壓V 超過(guò)閾值電壓Vt時(shí),，才會(huì)有drain電流。在對(duì)稱的MOS管中,，對(duì)source和drain的標(biāo)注有一點(diǎn)任意性,，定義上，載流子流出source,，流入drain,，因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來(lái)決定了。有時(shí)晶體管上的偏置電壓是不定的,，兩個(gè)引線端就會(huì)互相對(duì)換角色,，這種情況下，電路設(shè)計(jì)師必須指定一個(gè)是drain另一個(gè)是source,。嘉興場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商場(chǎng)效應(yīng)管的使用壽命與工作溫度,、電壓應(yīng)力等因素有關(guān),。

雪崩失效分析（電壓失效），底什么是雪崩失效呢,，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)MOSFET在電源板上由于母線電壓,、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間,，導(dǎo)致的一種失效模式,。簡(jiǎn)而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過(guò)其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式。下面的圖片為雪崩測(cè)試的等效原理圖,，做為電源工程師可以簡(jiǎn)單了解下,。可能我們經(jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對(duì)我們電源板上的MOSFET進(jìn)行失效分析,，大多數(shù)廠家都光給一個(gè)EAS.EOS之類的結(jié)論,，那么到底我們?cè)趺磪^(qū)分是否是雪崩失效呢，下面是一張經(jīng)過(guò)雪崩測(cè)試失效的器件圖,，我們可以進(jìn)行對(duì)比從而確定是否是雪崩失效,。

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）：1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式,，它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極，它們是：柵極,；漏極,；源極。電路符號(hào)中柵極的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?,、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例),，N溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,，故PN基本上是不導(dǎo)電的,，形成了所謂耗盡區(qū)，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí),，如果柵極電壓越負(fù),，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏,、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄,，漏極電流ID就愈小,；反之，如果柵極電壓沒有那么負(fù),，則溝道變寬,，ID變大,，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說(shuō),，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,。場(chǎng)效應(yīng)管需遵循正確的電路連接方式，通常包括源極,、柵極和漏極三個(gè)引腳,，根據(jù)不同類型選擇合適的偏置電壓。

MOS管開關(guān)電路圖：頭一種應(yīng)用,，由PMOS來(lái)進(jìn)行電壓的選擇,，當(dāng)V8V存在時(shí)，此時(shí)電壓全部由V8V提供,，將PMOS關(guān)閉,，VBAT不提供電壓給VSIN，而當(dāng)V8V為低時(shí),，VSIN由8V供電,。注意R120的接地，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低,，確保PMOS的正常開啟,，這也是前文所描述的柵極高阻抗所帶來(lái)的狀態(tài)隱患。D9和D10的作用在于防止電壓的倒灌,。D9可以省略,。這里要注意到實(shí)際上該電路的DS接反，這樣由附生二極管導(dǎo)通導(dǎo)致了開關(guān)管的功能不能達(dá)到,，實(shí)際應(yīng)用要注意,。場(chǎng)效應(yīng)管的主要優(yōu)勢(shì)之一是控制融合度相對(duì)較高。柵極場(chǎng)效應(yīng)管廠家供應(yīng)

基本場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)包括輸入電阻高,、輸入電容低,。高穩(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量方法

在過(guò)渡層由于沒有電子、空穴的自由移動(dòng),，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性,，通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極-源極間的電場(chǎng),，實(shí)際上是兩個(gè)過(guò)渡層接觸漏極與門極下部附近,，由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過(guò)過(guò)渡層。因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象,。其次,，VGS向負(fù)的方向變化，讓VGS=VGS(off),，此時(shí)過(guò)渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài),。而且VDS的電場(chǎng)大部分加到過(guò)渡層上,，將電子拉向漂移方向的電場(chǎng)，只有靠近源極的很短部分,，這更使電流不能流通,。高穩(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量方法