馬達控制應用馬達控制應用是功率MOSFET大有用武之地的另一個應用領域。典型的半橋式控制電路采用2個MOSFET (全橋式則采用4個)，但這兩個MOSFET的關(guān)斷時間(死區(qū)時間)相等,。對于這類應用,，反向恢復時間(trr) 非常重要。在控制電感式負載(比如馬達繞組)時,，控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關(guān)斷狀態(tài),，此時橋式電路中的另一個開關(guān)經(jīng)過MOSFET中的體二極管臨時反向傳導電流。于是,，電流重新循環(huán),，繼續(xù)為馬達供電,。當頭一個MOSFET再次導通時，另一個MOSFET二極管中存儲的電荷必須被移除,，通過頭一個MOSFET放電,，而這是一種能量的損耗,，故trr 越短，這種損耗越小,。JFET是一種可用作功率放大器或開關(guān)的場效應管,。杭州場效應管尺寸

mos管，mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導體（semiconductor）場效應晶體管,，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導體,，MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的,，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,，這樣的器件被認為是對稱的,。MOS電容的特性能被用來形成MOS管，Gate,，電介質(zhì)和backgate保持原樣,。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個稱為source,，另一個稱為drain，假設source 和backgate都接地,，drain接正電壓，只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓,，就不會形成channel,。杭州場效應管尺寸場效應管的特性可以通過外部電路的調(diào)整來滿足不同的應用需求。

雪崩失效的預防措施,，雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效，因此預防我們著重從電壓來考慮,。具體可以參考以下的方式來處理,。1：合理降額使用，目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額,，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關(guān)注點進行選取,。2：合理的變壓器反射電壓。合理的RCD及TVS吸收電路設計,。4：大電流布線盡量采用粗、短的布局結(jié)構(gòu),，盡量減少布線寄生電感。5：選擇合理的柵極電阻Rg,。6：在大功率電源中,，可以根據(jù)需要適當?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進行吸收。

開始形成溝道時的柵——源極電壓稱為開啟電壓,，用VT表示,。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時,，不能形成導電溝道,，管子處于截止狀態(tài),。只有當vGS≥VT時，才有溝道形成,。這種必須在vGS≥VT時才能形成導電溝道的MOS管稱為增強型MOS管,。溝道形成以后,，在漏——源極間加上正向電壓vDS,，就有漏極電流產(chǎn)生。vDS對iD的影響：當vGS>VT且為一確定值時,，漏——源電壓vDS對導電溝道及電流iD的影響與結(jié)型場效應管相似,。P溝道耗盡型MOSFET：P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同，只不過導電的載流子不同,，供電電壓極性不同而已,。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣。場效應管結(jié)構(gòu)簡單,，易于集成,，有助于電子設備的小型化、輕量化,。

場效應管（Field-Effect Transistor,，簡稱FET）是電子技術(shù)中普遍使用的一種半導體器件，具有高輸入阻抗,、噪聲低和低功耗等優(yōu)點,。場效應管的用途：一,、場效應管可應用于放大,。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器。二,、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。三,、場效應管可以用作可變電阻。四,、場效應管可以方便地用作恒流源,。五、場效應管可以用作電子開關(guān),?？偨Y(jié)場效應管在電子應用中非常普遍，了解基礎知識之后我們接下來就可以運用它做一些電子開發(fā)了,。在進行場效應管電路調(diào)試時,，應逐步調(diào)整柵極電壓，觀察輸出變化,，以確保電路性能達到預期,。東莞金屬半導體場效應管供應

場效應管利用電場控制載流子的流動，通過改變柵極電壓,，控制源極和漏極之間的電流,。杭州場效應管尺寸

以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時電阻的選擇，在MOSFET OFF狀態(tài)時為了保證柵極電荷快速瀉放,，此時阻值要盡量小,。通常為了保證快速瀉放，在Rg上可以并聯(lián)一個二極管,。當瀉放電阻過小,，由于走線電感的原因也會引起諧振(因此有些應用中也會在這個二極管上串一個小電阻)，但是由于二極管的反向電流不導通,此時Rg又參與反向諧振回路,因此可以抑制反向諧振的尖峰,。估算導通損耗,、輸出的要求和結(jié)區(qū)溫度的時候,，就可以參考前文所指出的方法,。MOSFET的應用領域非常普遍，遠非一兩篇文章可以概括,。杭州場效應管尺寸