MOSFET的特性和作用：MOS管導(dǎo)作用,，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于SiO2絕緣層的存在,，在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在,，電壓VGS產(chǎn)生電場從而導(dǎo)致源source和drain是可以對調(diào)的,，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,，這個兩個區(qū)是一樣的,，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。目前在市場應(yīng)用方面,，排名頭一的是消費類電子電源適配器產(chǎn)品,。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計算機(jī)主板、NB,、計算機(jī)類適配器,、LCD顯示器等產(chǎn)品，隨著國情的發(fā)展計算機(jī)主板,、計算機(jī)類適配器、LCD顯示器對MOS管的需求有要超過消費類電子電源適配器的現(xiàn)象了,。第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信,、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了,，這些產(chǎn)品對于MOS管的需求也是很大的,，特別是現(xiàn)在汽車電子對于MOS管的需求直追消費類電子了。場效應(yīng)管的使用方法需要注意輸入電壓和功率的限制,，避免損壞器件,。佛山金屬場效應(yīng)管尺寸

在要求輸入阻抗較高的場合使用時，必須采取防潮措施,，以免由于溫度影響使場效應(yīng)管的輸入電阻降低,。如果用四引線的場效應(yīng)管，其襯底引線應(yīng)接地,。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性,，應(yīng)注意避光使用。對于功率型場效應(yīng)管,，要有良好的散熱條件,。因為功率型場效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運用，必須設(shè)計足夠的散熱器,，確保殼體溫度不超過額定值,，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作?？傊?，確保場效應(yīng)管安全使用，要注意的事項是多種多樣,，采取的安全措施也是各種各樣,，廣大的專業(yè)技術(shù)人員，特別是廣大的電子愛好者,，都要根據(jù)自己的實際情況出發(fā),，采取切實可行的辦法,，安全有效地用好場效應(yīng)管。佛山金屬場效應(yīng)管尺寸JFET具有電路簡單,、工作穩(wěn)定的特點,，適合于低頻放大器設(shè)計。

場效應(yīng)管的用途：一,、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。二、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。三、場效應(yīng)管可以用作可變電阻,。四,、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。五,、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān),。場效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍，了解基礎(chǔ)知識之后我們接下來就可以運用它做一些電子開發(fā)了,。場效應(yīng)管是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,。場效應(yīng)管又是單極型晶體管，即導(dǎo)電過程中幾乎只有一種載流子運動,，類似金屬導(dǎo)電,。

導(dǎo)電溝道的形成：當(dāng)vGS數(shù)值較小，吸引電子的能力不強(qiáng)時,，漏——源極之間仍無導(dǎo)電溝道出現(xiàn),，如圖1(b)所示。vGS增加時,，吸引到P襯底表面層的電子就增多,，當(dāng)vGS達(dá)到某一數(shù)值時，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層,，且與兩個N+區(qū)相連通,，在漏——源極間形成N型導(dǎo)電溝道，其導(dǎo)電類型與P襯底相反,，故又稱為反型層,，如圖1(c)所示。vGS越大，作用于半導(dǎo)體表面的電場就越強(qiáng),，吸引到P襯底表面的電子就越多,，導(dǎo)電溝道越厚，溝道電阻越小,。場效應(yīng)管可通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)輸出電流,，具有較好的線性特性。

場效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較：1.場效應(yīng)管是電壓控制器件,，柵極基本不取電流,，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流,。因此,，在信號源額定電流極小的情況，應(yīng)選用場效應(yīng)管,。2.場效應(yīng)管是多子導(dǎo)電,，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少子的濃度對溫度,、輻射等外界條件很敏感，因此,，對于環(huán)境變化較大的場合,，采用場效應(yīng)管比較合適。3.場效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關(guān)外,，還可作壓控可變線性電阻使用,。4.場效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對稱的，可以互換使用,，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù),。因此，使用場效應(yīng)管比晶體管靈活,。場效應(yīng)管在功率電子領(lǐng)域具有重要作用,，如變頻器、逆變器等,，提高電能轉(zhuǎn)換效率,。佛山金屬場效應(yīng)管尺寸

場效應(yīng)管可構(gòu)成恒流源，為負(fù)載提供穩(wěn)定的電流,，應(yīng)用于精密測量,、激光器等領(lǐng)域。佛山金屬場效應(yīng)管尺寸

場效應(yīng)管由源極（Source）,、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部分組成,。在JFET中，柵極和通道之間通過PN結(jié)隔離；而在MOSFET中,，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離,。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r，會在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個導(dǎo)電溝道,，從而控制漏極和源極之間的電流流動,。主要參數(shù)閾值電壓（Vth）：使場效應(yīng)管開始導(dǎo)電的較小柵極電壓。閾值電壓是場效應(yīng)管從截止區(qū)（Cutoff Region）過渡到飽和區(qū)（Saturation Region）的臨界電壓,。當(dāng)柵極-源極電壓（VGS）低于Vth時,，場效應(yīng)管處于關(guān)閉狀態(tài)，通道不導(dǎo)電,；當(dāng)VGS超過Vth時,，通道形成，電流開始流動,。佛山金屬場效應(yīng)管尺寸