內(nèi)置MOSFET的IC當然 不用我們再考慮了,，一般大于1A電流會考慮外置MOSFET.為了獲得到更大,、更靈活的LED功率能力，外置MOSFET是獨一的選擇方式,，IC需要合適 的驅(qū)動能力,MOSFET輸入電容是關鍵的參數(shù),。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電容。一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻,，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動輸出能力有關,，可以近似認為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動能力 Rg選擇在10-20Ω左右。一般的應用中IC的驅(qū)動可以直接驅(qū)動MOSFET,，但是考慮到通常驅(qū)動走線不是直線,，感量可能會更大,并且為了防止外部干擾，還是要使用Rg驅(qū)動電阻進行抑制.考慮到走線分布電容的影響,這個電阻要盡量靠近MOSFET的柵極,。場效應管有三種類型,，分別是MOSFET、JFET和IGBT,，它們各自具有不同的特性和應用領域,。深圳小噪音場效應管現(xiàn)貨直發(fā)

合理的熱設計余量，這個就不多說了,，各個企業(yè)都有自己的降額規(guī)范,，嚴格執(zhí)行就可以了，不行就加散熱器,。MOSFET發(fā)熱原因分析,，做電源設計，或者做驅(qū)動方面的電路，難免要用到MOS管,。MOS管有很多種類,，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動的使用,，當然就是用它的開關作用,。無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的,。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流,。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發(fā)生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應,，因此在開關應用中,，MOS管的開關速度應該比三極管快。東莞MOS場效應管制造商選擇場效應管時,，應考慮其耐壓,、耐流等參數(shù)，以確保其在工作環(huán)境中能夠穩(wěn)定可靠地運行,。

在要求輸入阻抗較高的場合使用時,，必須采取防潮措施，以免由于溫度影響使場效應管的輸入電阻降低,。如果用四引線的場效應管,，其襯底引線應接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性,，應注意避光使用,。對于功率型場效應管，要有良好的散熱條件,。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用,，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值,，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作,。總之,，確保場效應管安全使用,，要注意的事項是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣,，廣大的專業(yè)技術人員，特別是廣大的電子愛好者,，都要根據(jù)自己的實際情況出發(fā),，采取切實可行的辦法，安全有效地用好場效應管。

計算導通損耗,。MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算,，由于導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化,。對便攜 式設計來說,，采用較低的電壓比較容易(較為普遍)，而對于工業(yè)設計,，可采用較高的電壓,。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升。關于RDS(ON)電 阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術資料表中查到,。計算系統(tǒng)的散熱要求,。設計人員必須考慮兩種不同的情況，即較壞情況和真實情況,。建議采用針對較壞情況的計算結(jié)果,，因為這個結(jié)果提供更大的安全余量，能 確保系統(tǒng)不會失效,。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數(shù)據(jù),；比如封裝器件的半導體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻，以及較大的結(jié)溫,。開關損耗其實也是一個很重要的指標,。從下圖可以看到，導通瞬間的電壓電流乘積相當大,。一定程度上決定了器件的開關性能,。不過，如果系統(tǒng)對開關性能要求比較高,，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET,。場效應管還具有低輸出阻抗，可以提供較大的輸出電流,。

現(xiàn)在的高清,、液晶、等離子電視機中開關電源部分除了采用了PFC技術外,，在元器件上的開關管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過去的大功率晶體三極管,，使整機的效率、可靠較大程度上提高,，故障率大幅的下降,。MOS管和大功率晶體三極管在結(jié)構(gòu)、特性有著本質(zhì)上的區(qū)別,，所以在應用上,，它的驅(qū)動電路比晶體三極管復雜,。所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）,、源極（source）三個端,，分別大致對應雙極性晶體管的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）,。場效應管在電子設備中扮演著關鍵角色,。廣州金屬半導體場效應管

場效應管具有較長的使用壽命，可靠性高,，降低了設備的維護成本,。深圳小噪音場效應管現(xiàn)貨直發(fā)

靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實就是開啟電壓Vgs（th），只不過這里看的角度不一樣,。注②：看完前文的讀者應該知道為什么這里兩個Rds（on）大小有差異,，不知道的回去前面重新看。動態(tài)點特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ,；Coss = Cds ,；Crss = Cgd；注②：MOS管開啟速度較主要關注的參數(shù)是Qg,，也就是形成反型層需要的總電荷量,！注③：接通/斷開延遲時間t d(on/off)、上升/下降時間tr / tf,，各位工程時使用的時候請根據(jù)實際漏級電路ID,，柵極驅(qū)動電壓Vg進行判斷。深圳小噪音場效應管現(xiàn)貨直發(fā)