我們經(jīng)?？碝OS管的PDF參數(shù),，MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來(lái)定義導(dǎo)通阻抗,，對(duì)開(kāi)關(guān)應(yīng)用來(lái)說(shuō),，RDS(ON)也是較重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊(cè)定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動(dòng))電壓VGS以及流經(jīng)開(kāi)關(guān)的電流有關(guān),，但對(duì)于充分的柵極驅(qū)動(dòng),，RDS(ON)是一個(gè)相對(duì)靜態(tài)參數(shù)。一直處于導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱,。另外,，慢慢升高的結(jié)溫也會(huì)導(dǎo)致RDS(ON)的增加。MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定了熱阻抗參數(shù),，其定義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力,。RθJC的較簡(jiǎn)單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗?；緢?chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)包括輸入電阻高,、輸入電容低。肇慶強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管廠商

判斷源極S,、漏極D,，將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測(cè)兩次電阻,，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻,，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極,。因?yàn)闇y(cè)試前提不同,，測(cè)出的RDS（on）值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）,，在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,，可識(shí)別S極與D極,。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,，大于0.58W（典型值）,。南京功耗低場(chǎng)效應(yīng)管廠家精選場(chǎng)效應(yīng)管也可以用作開(kāi)關(guān)，可以控制電路的通斷,。

MOSFET選型注意事項(xiàng)：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類(lèi)型：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān),。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),，其開(kāi)關(guān)導(dǎo) 通。導(dǎo)通時(shí),，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極,。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻,，稱(chēng)為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端,，因此,，總 是要在柵極加上一個(gè)電壓。如果柵極為懸空,，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作,，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗,。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時(shí),，開(kāi)關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過(guò)器件,。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉,，但仍然有微小電流存在，這稱(chēng)之為漏電流,，即IDSS,。

MOSFET管基本結(jié)構(gòu)與工作原理：mos管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,，屬于絕緣柵型,。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn),、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話簡(jiǎn)單描述,。MOS場(chǎng)效應(yīng)三極管分為：增強(qiáng)型（又有N溝道、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道,、P溝道）,。N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)見(jiàn)上圖,。其中：電極 D（Drain） 稱(chēng)為漏極,，相當(dāng)雙極型三極管的集電極；電極 G（Gate） 稱(chēng)為柵極,，相當(dāng)于的基極,；電極 S（Source）稱(chēng)為源極，相當(dāng)于發(fā)射極,。JFET常用于低頻放大電路,、高輸入阻抗的場(chǎng)合。

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多,，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運(yùn)用時(shí)主要關(guān)注以下一些重點(diǎn)參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up,，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管,，或開(kāi)啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）、跨導(dǎo)gm,、漏源擊穿電壓BUDS,、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。一,、飽和漏源電流,，飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流,。二,、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓,。場(chǎng)效應(yīng)管的價(jià)格相對(duì)較低，適合大規(guī)模生產(chǎn),。南京強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管尺寸

場(chǎng)效應(yīng)管的主要優(yōu)勢(shì)之一是控制融合度相對(duì)較高,。肇慶強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管廠商

開(kāi)始形成溝道時(shí)的柵——源極電壓稱(chēng)為開(kāi)啟電壓，用VT表示,。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時(shí),，不能形成導(dǎo)電溝道，管子處于截止?fàn)顟B(tài),。只有當(dāng)vGS≥VT時(shí),，才有溝道形成。這種必須在vGS≥VT時(shí)才能形成導(dǎo)電溝道的MOS管稱(chēng)為增強(qiáng)型MOS管,。溝道形成以后,，在漏——源極間加上正向電壓vDS，就有漏極電流產(chǎn)生,。vDS對(duì)iD的影響：當(dāng)vGS>VT且為一確定值時(shí),，漏——源電壓vDS對(duì)導(dǎo)電溝道及電流iD的影響與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管相似。P溝道耗盡型MOSFET：P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同,，只不過(guò)導(dǎo)電的載流子不同,，供電電壓極性不同而已。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣,。肇慶強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管廠商