合理的熱設(shè)計余量,，這個就不多說了,，各個企業(yè)都有自己的降額規(guī)范,，嚴(yán)格執(zhí)行就可以了，不行就加散熱器,。MOSFET發(fā)熱原因分析，做電源設(shè)計，或者做驅(qū)動方面的電路，難免要用到MOS管,。MOS管有很多種類，也有很多作用,。做電源或者驅(qū)動的使用,，當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。無論N型或者P型MOS管,，其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流,。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性,，不會發(fā)生像三極管做開關(guān)時的因基極電流引起的電荷存儲效應(yīng)，因此在開關(guān)應(yīng)用中,，MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三極管快,。場效應(yīng)管可以通過串聯(lián)或并聯(lián)的方式實現(xiàn)更復(fù)雜的電路功能。肇慶結(jié)型場效應(yīng)管注意事項

漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內(nèi)各點與柵極間的電壓不再相等,，靠近源極一端的電壓較大,，這里溝道較厚，而漏極一端電壓較小,，其值為VGD=vGS－vDS,，因而這里溝道較薄。但當(dāng)vDS較?。╲DS 隨著vDS的增大,，靠近漏極的溝道越來越薄，當(dāng)vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)時,，溝道在漏極一端出現(xiàn)預(yù)夾斷,，如圖2(b)所示。再繼續(xù)增大vDS,，夾斷點將向源極方向移動,，如圖2(c)所示。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區(qū),，故iD幾乎不隨vDS增大而增加,，管子進入飽和區(qū)，iD幾乎只由vGS決定,。上海多晶硅金場效應(yīng)管批發(fā)場效應(yīng)管還可以用于設(shè)計溫度傳感器,、微波探測器和光電探測器等電子器件。

場效應(yīng)管的作用：1、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,，由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器,。2,、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換，常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。3,、場效應(yīng)管可以用作可變電阻。4,、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源,。5、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān),。場效應(yīng)管的分類：場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）兩大類,。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強型,，結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型,，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強型的,。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管,，而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類,。

場效應(yīng)管（英語：field-effect transistor,，縮寫：FET）是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子器件。它依靠電場去控制導(dǎo)電溝道形狀,，因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道的導(dǎo)電性,。場效應(yīng)晶體管有時被稱為“單極性晶體管”，以它的單載流子型作用對比雙極性晶體管,。由于半導(dǎo)體材料的限制,，以及雙極性晶體管比場效應(yīng)晶體管容易制造，場效應(yīng)晶體管比雙極性晶體管要晚造出,，但場效應(yīng)晶體管的概念卻比雙極性晶體管早,。MOS管的寄生二極管，由于生產(chǎn)工藝,，MOS 管會有寄生二極管,，或稱體二極管。這是mos管與三極管較大的一個區(qū)別,。場效應(yīng)管作為音頻放大器,，具有低失真,、高保真的特點，提升音質(zhì)效果,。

溝道增強型MOSFET場效應(yīng)管的工作原理：vGS對iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況,，增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵——源電壓vGS=0時,，即使加上漏——源電壓vDS,，而且不論vDS的極性如何，總有一個PN結(jié)處于反偏狀態(tài),，漏——源極間沒有導(dǎo)電溝道,，所以這時漏極電流iD≈0。② vGS>0 的情況,，若vGS＞0,，則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個電場。電場方向垂直于半導(dǎo)體表面的由柵極指向襯底的電場,。這個電場能排斥空穴而吸引電子,。排斥空穴：使柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥，剩下不能移動的受主離子(負(fù)離子),，形成耗盡層。吸引電子：將 P型襯底中的電子（少子）被吸引到襯底表面,。在安裝場效應(yīng)管時,，要確保其散熱良好，避免過熱導(dǎo)致性能下降或損壞,。深圳金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管哪家好

場效應(yīng)管的工作溫度范圍需要在規(guī)定的范圍內(nèi),，以確保正常工作。肇慶結(jié)型場效應(yīng)管注意事項

結(jié)型場管腳識別,，場效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極,，源極和漏極分別對應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于R×1k檔,，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正,、反向電阻。當(dāng)某兩個管腳間的正,、反向電阻相等,，均為數(shù)KΩ時，則這兩個管腳為漏極D和源極S（可互換）,，余下的一個管腳即為柵極G,。對于有4個管腳的結(jié)型場效應(yīng)管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）,。判定柵極,，用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極,，紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很大,，說明均是反向電阻,，該管屬于N溝道場效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極,。制造工藝決定了場效應(yīng)管的源極和漏極是對稱的,，可以互換使用，并不影響電路的正常工作,，所以不必加以區(qū)分,。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場效應(yīng)管的柵極,。因為這種管子的輸入電阻極高,，柵源間的極間電容又很小，測量時只要有少量的電荷,，就可在極間電容上形成很高的電壓,，容易將管子損壞。肇慶結(jié)型場效應(yīng)管注意事項