現(xiàn)在的高清,、液晶,、等離子電視機(jī)中開(kāi)關(guān)電源部分除了采用了PFC技術(shù)外,，在元器件上的開(kāi)關(guān)管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過(guò)去的大功率晶體三極管,，使整機(jī)的效率、可靠較大程度上提高,，故障率大幅的下降,。MOS管和大功率晶體三極管在結(jié)構(gòu),、特性有著本質(zhì)上的區(qū)別,，所以在應(yīng)用上,，它的驅(qū)動(dòng)電路比晶體三極管復(fù)雜。所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）,、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)雙極性晶體管的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）,。場(chǎng)效應(yīng)管在電子器件中的功率管理、信號(hào)放大等方面有重要作用,。南京雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管廠家供應(yīng)

對(duì)于開(kāi)關(guān)頻率小于100kHz的信號(hào)一般取（400～500）kHz載波頻率較好,，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K,、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好,。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號(hào)頻率小于100kHz的場(chǎng)合,，因信號(hào)頻率相對(duì)載波頻率太高的話,，相對(duì)延時(shí)太多，且所需驅(qū)動(dòng)功率增大,，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高,，故100kHz以上開(kāi)關(guān)頻率只對(duì)較小極電容的MOSFET才可以。對(duì)于1kVA左右開(kāi)關(guān)頻率小于100kHz的場(chǎng)合,，它是一種良好的驅(qū)動(dòng)電路,。該電路具有以下特點(diǎn)：?jiǎn)坞娫垂ぷ鳎刂菩盘?hào)與驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)隔離,，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單尺寸較小,，尤其適用于占空比變化不確定或信號(hào)頻率也變化的場(chǎng)合。來(lái)看這個(gè)電路,，控制信號(hào)PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電,。此電路中，源漏兩端沒(méi)有接反,，R110與R113存在的意義在于R110控制柵極電流不至于過(guò)大,，R113控制柵極的常態(tài)，將R113上拉為高,，截至PMOS,，同時(shí)也可以看作是對(duì)控制信號(hào)的上拉，當(dāng)MCU內(nèi)部管腳并沒(méi)有上拉時(shí),，即輸出為開(kāi)漏時(shí),，并不能驅(qū)動(dòng)PMOS關(guān)閉，此時(shí),，就需要外部電壓給予的上拉,，所以電阻R113起到了兩個(gè)作用。R110可以更小,，到100歐姆也可,。東莞絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管在數(shù)字電子電路中的應(yīng)用日益普遍，可以用于高速通訊,、計(jì)算機(jī)處理和控制系統(tǒng)中,。

在近期的工作中，小編接觸到了之前不太熟悉的一種電子元器件——場(chǎng)效應(yīng)管,，在查找相關(guān)資料時(shí),，經(jīng)常會(huì)看到另幾個(gè)元器件，比如mos管,、二極管,、三極管，網(wǎng)上甚至有種說(shuō)法：場(chǎng)效應(yīng)管和mos管就是一種東西,。這種說(shuō)法當(dāng)然是不夠準(zhǔn)確的,，為了能夠更好地認(rèn)識(shí)這幾種元器件,，本文就給大家詳細(xì)科普一下！場(chǎng)效應(yīng)管,，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管,，主要有兩種類型（junction FET-JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,，具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）,、噪聲小、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大,、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。

本文介紹N溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管,；（1）結(jié)構(gòu),，在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū),，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,，分別作漏極d和源極s。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層,，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極g,。襯底上也引出一個(gè)電極B，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管,。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好),。它的柵極與其它電極間是絕緣的。場(chǎng)效應(yīng)管還可以用于設(shè)計(jì)溫度傳感器,、微波探測(cè)器和光電探測(cè)器等電子器件,。

MOSFET選型注意事項(xiàng)：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān),。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo) 通,。導(dǎo)通時(shí),，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON),。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此,，總 是要在柵極加上一個(gè)電壓,。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作,，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉,，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時(shí),，開(kāi)關(guān)關(guān)閉,，而電流停止通過(guò)器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉,，但仍然有微小電流存在,，這稱之為漏電流，即IDSS,。場(chǎng)效應(yīng)管具有較高的耐熱性能,，適用于高溫環(huán)境。廣州N溝道場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠家

場(chǎng)效應(yīng)管作為音頻放大器,，具有低失真,、高保真的特點(diǎn)，提升音質(zhì)效果,。南京雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管廠家供應(yīng)

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,，并以此命名，場(chǎng)效應(yīng)管[2]是常見(jiàn)的電子元件,，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小,、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成,、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,，但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來(lái)（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）,，1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，從而大部分代替了JFET,，對(duì)電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義,。南京雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管廠家供應(yīng)