場效應(yīng)管注意事項：（1）為了安全使用場效應(yīng)管,，在線路的設(shè)計中不能超過管的耗散功率，較大漏源電壓,、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值,。（2）各類型場效應(yīng)管在使用時,，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守場效應(yīng)管偏置的極性,。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓,；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等,。（3）MOS場效應(yīng)管由于輸入阻抗極高,，所以在運輸,、貯藏中必須將引出腳短路,，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿,。尤其要注意,，不能將MOS場效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi),，保存時較好放在金屬盒內(nèi)，同時也要注意管的防潮,。場效應(yīng)管可構(gòu)成恒流源,，為負(fù)載提供穩(wěn)定的電流，應(yīng)用于精密測量,、激光器等領(lǐng)域,。佛山高穩(wěn)定場效應(yīng)管定制價格

場效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號源取較少電流的情況下,，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低,，又允許從信號源取較多電流的條件下,，應(yīng)選用晶體管。（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是即有多數(shù)載流子,，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件,。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好,。（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用,。無錫漏極場效應(yīng)管廠家場效應(yīng)管分為MOSFET和JFET兩種類型，應(yīng)用普遍,。

對比：場效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用特點：1.場效應(yīng)管的源極s,、柵極g、漏極d分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e,、基極b,、集電極c，它們的作用相似,。2.場效應(yīng)管是電壓控制電流器件,，由vGS控制iD，其放大系數(shù)gm一般較小,，因此場效應(yīng)管的放大能力較差,；三極管是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC,。3.場效應(yīng)管柵極幾乎不取電流（ig»0）,；而三極管工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效應(yīng)管的柵極輸入電阻比三極管的輸入電阻高,。4.場效應(yīng)管是由多子參與導(dǎo)電,；三極管有多子和少子兩種載流子參與導(dǎo)電，而少子濃度受溫度,、輻射等因素影響較大,，因而場效應(yīng)管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強,。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應(yīng)選用場效應(yīng)管,。

測試步驟：MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路,、斷路,、放大。其步驟如下：假如有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象,。1,、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開,，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大,，則MOS管漏電,，不變則完好。2,、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來,，假如指針立刻返回?zé)o限大，則MOS完好,。3,、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上,，好的表針指示應(yīng)該是無限大,。4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上,，然后把紅筆接到MOS的源極S上,，黑筆接到MOS管的漏極上，這時表針指示的值一般是0,，這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電,，產(chǎn)生柵極電場，因為電場產(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通,，故萬用表指針偏轉(zhuǎn),，偏轉(zhuǎn)的角度大，放電性越好,。場效應(yīng)管可用于開關(guān)電路,，實現(xiàn)電路的通斷控制，如電子開關(guān),、繼電器驅(qū)動等,。

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的,，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的,。寄生電容的存在使得在設(shè)計或選擇驅(qū)動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免,，后邊再詳細(xì)介紹,。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管,。這個叫體二極管,，在驅(qū)動感性負(fù)載（如馬達），這個二極管很重要?？梢栽贛OS管關(guān)斷時為感性負(fù)載的電動勢提供擊穿通路從而避免MOS管被擊穿損壞,。順便說一句，體二極管只在單個的MOS管中存在,，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的,。場效應(yīng)管有多種類型，如JFET,、MOSFET等,，滿足不同應(yīng)用需求。珠海功耗低場效應(yīng)管測量方法

場效應(yīng)管的類型包括N溝道和P溝道兩種,，可以根據(jù)具體需求選擇,。佛山高穩(wěn)定場效應(yīng)管定制價格

下面對MOS失效的原因總結(jié)以下六點，然后對1,，2重點進行分析：1：雪崩失效（電壓失效）,，也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效,。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效,，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大,，損耗過高器件長時間熱積累而導(dǎo)致的失效。3：體二極管失效：在橋式,、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。4：諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中,，柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效,。5：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效,。6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰,，而導(dǎo)致柵極柵氧層失效。佛山高穩(wěn)定場效應(yīng)管定制價格