MOS場效應管,，即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）,，屬于絕緣柵型,。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（較高可達1015Ω）,。它也分N溝道管和P溝道管,。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導電方式的不同,，MOSFET又分增強型,、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài),，加上正確的VGS后,，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導電溝道,。耗盡型則是指,，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時,，能使多數(shù)載流子流出溝道,，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止,。場效應管的靈敏度較高,，可以實現(xiàn)精確的電流控制,。東莞MOS場效應管測量方法

在要求輸入阻抗較高的場合使用時,，必須采取防潮措施，以免由于溫度影響使場效應管的輸入電阻降低,。如果用四引線的場效應管,，其襯底引線應接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性,，應注意避光使用,。對于功率型場效應管，要有良好的散熱條件,。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用,，必須設(shè)計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值,，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作,。總之,，確保場效應管安全使用,，要注意的事項是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣,，廣大的專業(yè)技術(shù)人員,，特別是廣大的電子愛好者，都要根據(jù)自己的實際情況出發(fā),，采取切實可行的辦法,，安全有效地用好場效應管。佛山增強型場效應管注意事項場效應管在電子設(shè)備中扮演著關(guān)鍵角色,。

開始形成溝道時的柵——源極電壓稱為開啟電壓,，用VT表示。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時,，不能形成導電溝道,，管子處于截止狀態(tài)。只有當vGS≥VT時,，才有溝道形成,。這種必須在vGS≥VT時才能形成導電溝道的MOS管稱為增強型MOS管,。溝道形成以后，在漏——源極間加上正向電壓vDS,，就有漏極電流產(chǎn)生,。vDS對iD的影響：當vGS>VT且為一確定值時，漏——源電壓vDS對導電溝道及電流iD的影響與結(jié)型場效應管相似,。P溝道耗盡型MOSFET：P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同,，只不過導電的載流子不同，供電電壓極性不同而已,。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣,。

場效應管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型；當柵壓為零,，漏極電流也為零,，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。作用：1.場效應管可應用于放大,。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高,，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器,。2.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3.場效應管可以用作可變電阻,。4.場效應管可以方便地用作恒流源,。5.場效應管可以用作電子開關(guān)。在使用場效應管時,，應避免過流和過壓情況,，以免損壞器件或影響電路性能。

場效應管主要參數(shù)：場效應管的參數(shù)很多,，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運用時主要關(guān)注以下一些重點參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up,，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）,、跨導gm,、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM,。一,、飽和漏源電流，飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流,。二,、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應管中,，使漏源間剛截止時的柵極電壓,。場效應管需遵循正確的電路連接方式，通常包括源極,、柵極和漏極三個引腳,，根據(jù)不同類型選擇合適的偏置電壓。肇慶耗盡型場效應管參考價

場效應管的使用方法包括選擇合適的工作點和電源電壓,，以及連接正確的外部電路,。東莞MOS場效應管測量方法

Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate,，如果GATE電壓超過了閾值電壓,，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅,，由電子組成的電流從source通過channel流到drain，總的來說,，只有在gate 對source電壓V 超過閾值電壓Vt時,，才會有drain電流。在對稱的MOS管中,，對source和drain的標注有一點任意性,，定義上，載流子流出source,，流入drain,，因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。有時晶體管上的偏置電壓是不定的,，兩個引線端就會互相對換角色,，這種情況下，電路設(shè)計師必須指定一個是drain另一個是source,。東莞MOS場效應管測量方法