場(chǎng)效應(yīng)晶體管,。當(dāng)滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時(shí),，MOS 管的 D 極和 S 極會(huì)導(dǎo)通，這個(gè)時(shí)候體二極管是截止?fàn)顟B(tài)。因?yàn)?MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小，不足以使寄生二極管導(dǎo)通,。MOS管的導(dǎo)通條件：PMOS增強(qiáng)型管：UG-US<0 , 且 |UG-US|>|UGSTH| ， UGSTH是開(kāi)啟電壓,；NMOS增強(qiáng)型管：UG-US>0,，且 |UG-US|>|UGSTH| ，UGSTH是開(kāi)啟電壓,；PMOS導(dǎo)通是在G和S之間加G負(fù)S正電壓,。NMOS相反。MOS管工作狀態(tài),。MOSFET 不同于三極管,，因?yàn)槟承┬吞?hào)封裝內(nèi)有并聯(lián)二極管,，所以其 D 和 S 極是不能反接的，且 N 管必須由 D 流向 S,，P 管必須由 S 流向 D?？梢杂孟卤砼袛喙ぷ鳡顟B(tài)：場(chǎng)效應(yīng)管在電子器件中的功率管理,、信號(hào)放大等方面有重要作用。上海源極場(chǎng)效應(yīng)管廠家直銷

本文介紹N溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管,；（1）結(jié)構(gòu),，在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū),，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,，分別作漏極d和源極s。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層,，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極g,。襯底上也引出一個(gè)電極B，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管,。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好),。它的柵極與其它電極間是絕緣的。中山多晶硅金場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),，需要注意柵極電壓的控制范圍,，以避免損壞器件。

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較：1.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,，柵極基本不取電流,，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流,。因此,，在信號(hào)源額定電流極小的情況，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管,。2.場(chǎng)效應(yīng)管是多子導(dǎo)電,，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少子的濃度對(duì)溫度,、輻射等外界條件很敏感,，因此，對(duì)于環(huán)境變化較大的場(chǎng)合,，采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適,。3.場(chǎng)效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開(kāi)關(guān)外，還可作壓控可變線性電阻使用,。4.場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱的,，可以互換使用,，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù)。因此,，使用場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管靈活,。

場(chǎng)效應(yīng)管的分類：場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類,。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完整絕緣而得名。它們由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管,，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。我們常說(shuō)的MOS管就是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中的一種,，它也是應(yīng)用較普遍的一種,，所以這一節(jié)接下的內(nèi)容我們主要通過(guò)介紹MOS管來(lái)了解場(chǎng)效應(yīng)晶體管。MOSFET有分為增強(qiáng)型和耗盡型兩大類,，增強(qiáng)型和耗盡型每一類又有NMOS和PMOS,，和三極管中的PNP和NPN類似。場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,，用于放大或開(kāi)關(guān)電路中的信號(hào),。

靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實(shí)就是開(kāi)啟電壓Vgs（th），只不過(guò)這里看的角度不一樣,。注②：看完前文的讀者應(yīng)該知道為什么這里兩個(gè)Rds（on）大小有差異,，不知道的回去前面重新看。動(dòng)態(tài)點(diǎn)特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ,；Coss = Cds ,；Crss = Cgd；注②：MOS管開(kāi)啟速度較主要關(guān)注的參數(shù)是Qg,，也就是形成反型層需要的總電荷量,！注③：接通/斷開(kāi)延遲時(shí)間t d(on/off)、上升/下降時(shí)間tr / tf,，各位工程時(shí)使用的時(shí)候請(qǐng)根據(jù)實(shí)際漏級(jí)電路ID,，柵極驅(qū)動(dòng)電壓Vg進(jìn)行判斷。場(chǎng)效應(yīng)管的工作溫度范圍需要在規(guī)定的范圍內(nèi),，以確保正常工作,。南京雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管哪家好

MOSFET在數(shù)字電路、功率放大器等領(lǐng)域普遍應(yīng)用,。上海源極場(chǎng)效應(yīng)管廠家直銷

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：1,、開(kāi)啟電壓，開(kāi)啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓,。2,、跨導(dǎo)，跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制才能,，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值,。gm是權(quán)衡場(chǎng)效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。3,、漏源擊穿電壓,，漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓,。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS,。4,、較大耗散功率，較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù),，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的較大漏源耗散功率,。運(yùn)用時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量。5,、較大漏源電流,，較大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),，漏源間所允許經(jīng)過(guò)的較大電流,。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM。上海源極場(chǎng)效應(yīng)管廠家直銷