MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS,，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值,，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS,，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓,，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過絕緣層耐壓均會擊穿,，故有兩個方向“±”,。注③：漏級較大電流ID與體二極管流過的反向漏級較大電流IDR（或稱為IS）一般規(guī)格書中數(shù)值一致，均為流過N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體襯底形成的PN結(jié)的較大電流,。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度,，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據(jù)。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關(guān)注脈沖寬度,。使用場效應(yīng)管時,，應(yīng)注意其溫度特性，避免在高溫或低溫環(huán)境下使用影響其性能,。南京金屬場效應(yīng)管價格

內(nèi)置MOSFET的IC當(dāng)然 不用我們再考慮了，一般大于1A電流會考慮外置MOSFET.為了獲得到更大,、更靈活的LED功率能力,，外置MOSFET是獨一的選擇方式,，IC需要合適 的驅(qū)動能力,MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù)。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電容,。一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻,，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動輸出能力有關(guān)，可以近似認為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動能力 Rg選擇在10-20Ω左右,。一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動可以直接驅(qū)動MOSFET,，但是考慮到通常驅(qū)動走線不是直線，感量可能會更大,并且為了防止外部干擾,，還是要使用Rg驅(qū)動電阻進行抑制.考慮到走線分布電容的影響,這個電阻要盡量靠近MOSFET的柵極,。深圳增強型場效應(yīng)管注意事項場效應(yīng)管在無線電領(lǐng)域具有普遍應(yīng)用，如射頻放大器,、混頻器,、振蕩器等，提高通信質(zhì)量,。

MOS管的工作原理,，在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路，如圖2漏極原封不動地接負載,，叫開路漏極,，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負載電流,。是理想的模擬開關(guān)器件,。這就是MOS管做開關(guān)器件的原理。當(dāng)然MOS管做開關(guān)使用的電路形式比較多了,。NMOS管的開路漏極電路,，在開關(guān)電源應(yīng)用方面，這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷,。比如,，DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個MOS管來執(zhí)行開關(guān)功能，這些開關(guān)交替在電感里存儲能量,，然后把能量釋放給負載,。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率，因為頻率越高,，磁性元件可以更小更輕,。在正常工作期間，MOS管只相當(dāng)于一個導(dǎo)體,。因此,，我們電路或者電源設(shè)計人員較關(guān)心的是MOS的較小傳導(dǎo)損耗。

雪崩失效的預(yù)防措施,，雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效,，因此預(yù)防我們著重從電壓來考慮,。具體可以參考以下的方式來處理。1：合理降額使用,，目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額,，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關(guān)注點進行選取。2：合理的變壓器反射電壓,。合理的RCD及TVS吸收電路設(shè)計,。4：大電流布線盡量采用粗、短的布局結(jié)構(gòu),，盡量減少布線寄生電感,。5：選擇合理的柵極電阻Rg。6：在大功率電源中,，可以根據(jù)需要適當(dāng)?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進行吸收,。場效應(yīng)管制造工藝成熟，產(chǎn)量大,，成本低,，有利于大規(guī)模應(yīng)用。

我們經(jīng)?？碝OS管的PDF參數(shù),，MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導(dǎo)通阻抗，對開關(guān)應(yīng)用來說,，RDS(ON)也是較重要的器件特性,。數(shù)據(jù)手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動)電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān)，但對于充分的柵極驅(qū)動,，RDS(ON)是一個相對靜態(tài)參數(shù),。一直處于導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱。另外,，慢慢升高的結(jié)溫也會導(dǎo)致RDS(ON)的增加,。MOS管數(shù)據(jù)手冊規(guī)定了熱阻抗參數(shù)，其定義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力,。RθJC的較簡單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗,。場效應(yīng)管的工作原理是利用電荷的寄主控制電流流動，具有與電阻不同的工作方式,。上海漏極場效應(yīng)管廠家直銷

場效應(yīng)管具有高頻響應(yīng)特性,，適用于高頻、高速電路,，如雷達,、衛(wèi)星通信等。南京金屬場效應(yīng)管價格

場效應(yīng)管主要參數(shù)：一、飽和漏源電流,。飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。二,、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，使漏源間剛截止時的柵極電壓,。三、開啟電壓,。開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應(yīng)管中,，使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓。四,、跨導(dǎo),。跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能,，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值,。gm是權(quán)衡場效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。南京金屬場效應(yīng)管價格