溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理：vGS對(duì)iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況,，增強(qiáng)型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個(gè)背靠背的PN結(jié),。當(dāng)柵——源電壓vGS=0時(shí)，即使加上漏——源電壓vDS,，而且不論vDS的極性如何,，總有一個(gè)PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏——源極間沒有導(dǎo)電溝道,，所以這時(shí)漏極電流iD≈0,。② vGS>0 的情況，若vGS＞0,，則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個(gè)電場(chǎng),。電場(chǎng)方向垂直于半導(dǎo)體表面的由柵極指向襯底的電場(chǎng)。這個(gè)電場(chǎng)能排斥空穴而吸引電子,。排斥空穴：使柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥,，剩下不能移動(dòng)的受主離子(負(fù)離子)，形成耗盡層,。吸引電子：將 P型襯底中的電子（少子）被吸引到襯底表面,。場(chǎng)效應(yīng)管具有較高的耐熱性能，適用于高溫環(huán)境,。佛山半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管行價(jià)

對(duì)于開關(guān)頻率小于100kHz的信號(hào)一般?。?00～500）kHz載波頻率較好，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K,、7K等高頻環(huán)形磁芯,，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號(hào)頻率小于100kHz的場(chǎng)合,，因信號(hào)頻率相對(duì)載波頻率太高的話,，相對(duì)延時(shí)太多,，且所需驅(qū)動(dòng)功率增大，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高,，故100kHz以上開關(guān)頻率只對(duì)較小極電容的MOSFET才可以,。對(duì)于1kVA左右開關(guān)頻率小于100kHz的場(chǎng)合，它是一種良好的驅(qū)動(dòng)電路,。該電路具有以下特點(diǎn)：?jiǎn)坞娫垂ぷ?，控制信?hào)與驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)隔離，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單尺寸較小,，尤其適用于占空比變化不確定或信號(hào)頻率也變化的場(chǎng)合,。來看這個(gè)電路，控制信號(hào)PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電,。此電路中,，源漏兩端沒有接反，R110與R113存在的意義在于R110控制柵極電流不至于過大,，R113控制柵極的常態(tài),，將R113上拉為高，截至PMOS,，同時(shí)也可以看作是對(duì)控制信號(hào)的上拉,，當(dāng)MCU內(nèi)部管腳并沒有上拉時(shí)，即輸出為開漏時(shí),，并不能驅(qū)動(dòng)PMOS關(guān)閉,，此時(shí)，就需要外部電壓給予的上拉,，所以電阻R113起到了兩個(gè)作用,。R110可以更小，到100歐姆也可,。珠海功耗低場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,，通過外部電場(chǎng)調(diào)節(jié)電導(dǎo)。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管,，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型,。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,，因此具有很高的輸入電阻（較高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管,。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起,。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型,、耗盡型,。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài),，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極,，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子,，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指,，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道,，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道,，因而“耗盡”了載流子,，使管子轉(zhuǎn)向截止。

開始形成溝道時(shí)的柵——源極電壓稱為開啟電壓,，用VT表示,。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時(shí)，不能形成導(dǎo)電溝道,，管子處于截止?fàn)顟B(tài)。只有當(dāng)vGS≥VT時(shí),，才有溝道形成,。這種必須在vGS≥VT時(shí)才能形成導(dǎo)電溝道的MOS管稱為增強(qiáng)型MOS管。溝道形成以后,，在漏——源極間加上正向電壓vDS,，就有漏極電流產(chǎn)生。vDS對(duì)iD的影響：當(dāng)vGS>VT且為一確定值時(shí),，漏——源電壓vDS對(duì)導(dǎo)電溝道及電流iD的影響與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管相似,。P溝道耗盡型MOSFET：P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同，只不過導(dǎo)電的載流子不同,，供電電壓極性不同而已,。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣。場(chǎng)效應(yīng)管在新能源汽車,、物聯(lián)網(wǎng),、5G通信等新興領(lǐng)域具有巨大的創(chuàng)新應(yīng)用潛力。

MOSFET管基本結(jié)構(gòu)與工作原理：mos管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管,，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,，屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造,、特點(diǎn),、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話簡(jiǎn)單描述。MOS場(chǎng)效應(yīng)三極管分為：增強(qiáng)型（又有N溝道,、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道,、P溝道）,。N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)見上圖。其中：電極 D（Drain） 稱為漏極,，相當(dāng)雙極型三極管的集電極,；電極 G（Gate） 稱為柵極，相當(dāng)于的基極,；電極 S（Source）稱為源極,，相當(dāng)于發(fā)射極。場(chǎng)效應(yīng)管的使用方法包括選擇合適的工作點(diǎn)和電源電壓,，以及連接正確的外部電路,。上海P溝道場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格

MOSFET適用于各種電路中的信號(hào)放大，功率放大和開關(guān)控制等應(yīng)用,。佛山半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管行價(jià)

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管,。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（107～1015Ω）,、噪聲小、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大,、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。佛山半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管行價(jià)