場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管,。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET,，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管,。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）,、噪聲小,、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大,、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者,。場效應(yīng)管需遵循正確的電路連接方式，通常包括源極、柵極和漏極三個(gè)引腳,，根據(jù)不同類型選擇合適的偏置電壓,。佛山耗盡型場效應(yīng)管批發(fā)

場效應(yīng)管主要參數(shù)：一、飽和漏源電流,。飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流。二,、夾斷電壓,，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓,。三,、開啟電壓。開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管中,，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓,。四、跨導(dǎo),?？鐚?dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值,。gm是權(quán)衡場效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù),。廣州氧化物場效應(yīng)管尺寸場效應(yīng)管的優(yōu)勢之一是具有高輸入阻抗，可以減少對(duì)輸入信號(hào)源的負(fù)載,。

場效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較：1.場效應(yīng)管是電壓控制器件,，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件,，基極必須取一定的電流,。因此，在信號(hào)源額定電流極小的情況,，應(yīng)選用場效應(yīng)管,。2.場效應(yīng)管是多子導(dǎo)電，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電,。由于少子的濃度對(duì)溫度,、輻射等外界條件很敏感，因此,，對(duì)于環(huán)境變化較大的場合,，采用場效應(yīng)管比較合適。3.場效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關(guān)外,，還可作壓控可變線性電阻使用,。4.場效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱的,，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù),。因此,，使用場效應(yīng)管比晶體管靈活。

場效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）在安裝場效應(yīng)管時(shí),，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件,；為了防管件振動(dòng)，有必要將管殼體緊固起來,；管腳引線在彎曲時(shí),，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等,。（2）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后,。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后,，較大功率才能達(dá)到30W,。（3）多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加,，使放大器的高頻特性變壞,，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此,，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個(gè),，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。場效應(yīng)管利用電場控制載流子的流動(dòng),，通過改變柵極電壓，控制源極和漏極之間的電流,。

mos管,，mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體,，MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能，這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的,。MOS電容的特性能被用來形成MOS管,，Gate，電介質(zhì)和backgate保持原樣,。在GATE的兩邊是兩個(gè)額外的選擇性摻雜的區(qū)域,。其中一個(gè)稱為source,，另一個(gè)稱為drain，假設(shè)source 和backgate都接地,，drain接正電壓,，只要GATE對(duì)BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會(huì)形成channel,。場效應(yīng)管在電子設(shè)備中普遍應(yīng)用,，如音頻放大器、電源管理等,。深圳高穩(wěn)定場效應(yīng)管定制

場效應(yīng)管在功率電子領(lǐng)域具有重要作用,，如變頻器、逆變器等,，提高電能轉(zhuǎn)換效率,。佛山耗盡型場效應(yīng)管批發(fā)

MOS管開關(guān)電路圖：頭一種應(yīng)用，由PMOS來進(jìn)行電壓的選擇,，當(dāng)V8V存在時(shí),，此時(shí)電壓全部由V8V提供，將PMOS關(guān)閉,，VBAT不提供電壓給VSIN,，而當(dāng)V8V為低時(shí)，VSIN由8V供電,。注意R120的接地,，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低，確保PMOS的正常開啟,，這也是前文所描述的柵極高阻抗所帶來的狀態(tài)隱患,。D9和D10的作用在于防止電壓的倒灌。D9可以省略,。這里要注意到實(shí)際上該電路的DS接反,，這樣由附生二極管導(dǎo)通導(dǎo)致了開關(guān)管的功能不能達(dá)到，實(shí)際應(yīng)用要注意,。佛山耗盡型場效應(yīng)管批發(fā)