這些電極的名稱和它們的功能有關(guān)。柵極可以被認(rèn)為是控制一個物理柵的開關(guān),。這個柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過,。如果受一個加上的電壓影響,，電子流將從源極流向漏極。體很簡單的就是指柵,、漏、源極所在的半導(dǎo)體的塊體,。通常體端和一個電路中較高或較低的電壓相連,，根據(jù)類型不同而不同。體端和源極有時連在一起,，因為有時源也連在電路中較高或較低的電壓上,。當(dāng)然有時一些電路中FET并沒有這樣的結(jié)構(gòu)，比如級聯(lián)傳輸電路和串疊式電路,。場效應(yīng)管的工作原理是通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流,。惠州氧化物場效應(yīng)管廠家精選

電壓和電流的選擇,。額定電壓越大,，器件的成本就越高。根據(jù)實踐經(jīng)驗,，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓,。這樣才能提供足夠的保護，使MOSFET不 會失效,。就選擇MOSFET而言,，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓，即較大VDS,。設(shè)計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關(guān)電子設(shè)備(如電機 或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變,。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同；通常,，便攜式設(shè)備為20V,、FPGA電源為20～30V,、85～220VAC應(yīng)用為450～600V。在連續(xù)導(dǎo)通模式下,，MOSFET處于穩(wěn)態(tài),，此時電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件,。一旦確定了這些條件下的較大電流,，只需直接選擇能承受這個較大電流的器件便可。南京場效應(yīng)管廠家場效應(yīng)管還具有低輸出阻抗,，可以提供較大的輸出電流,。

場效應(yīng)管注意事項：（1）結(jié)型場效應(yīng)管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態(tài)下保存,，而絕緣柵型場效應(yīng)管在不使用時,，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路,，以免外電場作用而使管子損壞,。（2）焊接時，電烙鐵外殼必須裝有外接地線,，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子,。對于少量焊接，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接,。特別在焊接絕緣柵場效應(yīng)管時,，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接，并且要斷電焊接,。（3）用25W電烙鐵焊接時應(yīng)迅速,，若用45～75W電烙鐵焊接，應(yīng)用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱,。結(jié)型場效應(yīng)管可用表電阻檔定性地檢查管子的質(zhì)量（檢查各PN結(jié)的正反向電阻及漏源之間的電阻值）,，而絕緣柵場效管不能用萬用表檢查，必須用測試儀,，而且要在接入測試儀后才能去掉各電極短路線,。取下時，則應(yīng)先短路再取下,，關(guān)鍵在于避免柵極懸空,。

Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate,，如果GATE電壓超過了閾值電壓,，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅，由電子組成的電流從source通過channel流到drain,，總的來說,，只有在gate 對source電壓V 超過閾值電壓Vt時，才會有drain電流,。在對稱的MOS管中,，對source和drain的標(biāo)注有一點任意性，定義上,，載流子流出source,，流入drain，因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了,。有時晶體管上的偏置電壓是不定的,，兩個引線端就會互相對換角色，這種情況下,，電路設(shè)計師必須指定一個是drain另一個是source,。使用場效應(yīng)管時需注意靜電防護，防止損壞敏感的柵極,。

MOSFET的作用如下：1.可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。3.可以用作可變電阻,。4.可以方便地用作恒流源,。5.可以用作電子開關(guān)。6.在電路設(shè)計上的靈活性大,。柵偏壓可正可負(fù)可零,，三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負(fù)偏壓下工作,。另外輸入阻抗高,，可以減輕信號源負(fù)載，易于跟前級匹配,。場效應(yīng)管具有低噪聲,、低功耗的特點，適用于需要高靈敏度和低功耗的電子設(shè)備中,?；葜菅趸飯鲂?yīng)管廠家精選

JFET在低頻放大和高阻抗放大中比較常用，其工作原理比較簡單,?；葜菅趸飯鲂?yīng)管廠家精選

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管,。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（107～1015Ω）,、噪聲小、功耗低,、動態(tài)范圍大,、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者?；葜菅趸飯鲂?yīng)管廠家精選