溝道增強(qiáng)型MOSFET場效應(yīng)管的工作原理：vGS對iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況,，增強(qiáng)型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結(jié),。當(dāng)柵——源電壓vGS=0時，即使加上漏——源電壓vDS,，而且不論vDS的極性如何,，總有一個PN結(jié)處于反偏狀態(tài),，漏——源極間沒有導(dǎo)電溝道，所以這時漏極電流iD≈0,。② vGS>0 的情況,，若vGS＞0，則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個電場,。電場方向垂直于半導(dǎo)體表面的由柵極指向襯底的電場,。這個電場能排斥空穴而吸引電子。排斥空穴：使柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥,，剩下不能移動的受主離子(負(fù)離子),，形成耗盡層。吸引電子：將 P型襯底中的電子（少子）被吸引到襯底表面,。場效應(yīng)管具有較長的使用壽命,，可靠性高，降低了設(shè)備的維護(hù)成本,。半導(dǎo)體場效應(yīng)管制造

MOSFET的作用如下：1.可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。3.可以用作可變電阻,。4.可以方便地用作恒流源。5.可以用作電子開關(guān),。6.在電路設(shè)計上的靈活性大,。柵偏壓可正可負(fù)可零，三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負(fù)偏壓下工作,。另外輸入阻抗高,，可以減輕信號源負(fù)載，易于跟前級匹配,。東莞P溝道場效應(yīng)管廠家精選MOSFET有三個電極：柵極,、漏極和源極。

場效應(yīng)管的用途：一,、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。二、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。三、場效應(yīng)管可以用作可變電阻,。四,、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。五,、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān),。場效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍，了解基礎(chǔ)知識之后我們接下來就可以運(yùn)用它做一些電子開發(fā)了,。場效應(yīng)管是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。場效應(yīng)管又是單極型晶體管,，即導(dǎo)電過程中幾乎只有一種載流子運(yùn)動,，類似金屬導(dǎo)電。

對于開關(guān)頻率小于100kHz的信號一般?。?00～500）kHz載波頻率較好,，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯,，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好,。這種驅(qū)動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合，因信號頻率相對載波頻率太高的話,，相對延時太多,，且所需驅(qū)動功率增大，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高,，故100kHz以上開關(guān)頻率只對較小極電容的MOSFET才可以,。對于1kVA左右開關(guān)頻率小于100kHz的場合，它是一種良好的驅(qū)動電路。該電路具有以下特點(diǎn)：單電源工作,，控制信號與驅(qū)動實(shí)現(xiàn)隔離,，結(jié)構(gòu)簡單尺寸較小，尤其適用于占空比變化不確定或信號頻率也變化的場合,。來看這個電路,，控制信號PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電。此電路中,，源漏兩端沒有接反,，R110與R113存在的意義在于R110控制柵極電流不至于過大，R113控制柵極的常態(tài),，將R113上拉為高,，截至PMOS，同時也可以看作是對控制信號的上拉,，當(dāng)MCU內(nèi)部管腳并沒有上拉時,，即輸出為開漏時，并不能驅(qū)動PMOS關(guān)閉,，此時,，就需要外部電壓給予的上拉，所以電阻R113起到了兩個作用,。R110可以更小,，到100歐姆也可。場效應(yīng)管的表示特性是輸入電阻高,、輸入電容小,、開關(guān)速度快和功耗低。

結(jié)型場管腳識別,，場效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極,，源極和漏極分別對應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于R×1k檔,，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正,、反向電阻。當(dāng)某兩個管腳間的正,、反向電阻相等,，均為數(shù)KΩ時，則這兩個管腳為漏極D和源極S（可互換）,，余下的一個管腳即為柵極G,。對于有4個管腳的結(jié)型場效應(yīng)管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）,。判定柵極,，用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極,，紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很大,，說明均是反向電阻,，該管屬于N溝道場效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極,。制造工藝決定了場效應(yīng)管的源極和漏極是對稱的,，可以互換使用，并不影響電路的正常工作,，所以不必加以區(qū)分,。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場效應(yīng)管的柵極,。因為這種管子的輸入電阻極高,，柵源間的極間電容又很小，測量時只要有少量的電荷,，就可在極間電容上形成很高的電壓,，容易將管子損壞。場效應(yīng)管也可以用作開關(guān),，可以控制電路的通斷,。東莞P溝道場效應(yīng)管廠家精選

場效應(yīng)管作為音頻放大器，具有低失真,、高保真的特點(diǎn),，提升音質(zhì)效果。半導(dǎo)體場效應(yīng)管制造

電壓和電流的選擇,。額定電壓越大,，器件的成本就越高。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗,，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓,。這樣才能提供足夠的保護(hù)，使MOSFET不 會失效,。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓,，即較大VDS,。設(shè)計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關(guān)電子設(shè)備(如電機(jī) 或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同,；通常,，便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20～30V,、85～220VAC應(yīng)用為450～600V,。在連續(xù)導(dǎo)通模式下,，MOSFET處于穩(wěn)態(tài)，此時電流連續(xù)通過器件,。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件,。一旦確定了這些條件下的較大電流，只需直接選擇能承受這個較大電流的器件便可,。半導(dǎo)體場效應(yīng)管制造