MOSFET選型注意事項(xiàng)：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET可被看成電氣開關(guān),。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),，其開關(guān)導(dǎo) 通。導(dǎo)通時(shí),，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極,。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON),。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端,，因此，總 是要在柵極加上一個(gè)電壓,。如果柵極為懸空,，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗,。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時(shí),，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件,。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉,，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流,，即IDSS,。MOSFET適用于各種電路中的信號(hào)放大，功率放大和開關(guān)控制等應(yīng)用,。VMOS場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià)格

與雙極型晶體管相比,，場(chǎng)效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)。（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）,；（2）場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大,。（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù),；（5）場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；（6）由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,，所以噪聲低,。深圳金屬場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格JFET具有電路簡(jiǎn)單、工作穩(wěn)定的特點(diǎn),，適合于低頻放大器設(shè)計(jì),。

以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+,，再分別引出源極S和漏極D,。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位,。當(dāng)漏接電源正極,，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時(shí)，溝道電流（即漏極電流）ID=0,。隨著VGS逐漸升高,，受柵極正電壓的吸引，在兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子,，形成從漏極到源極的N型溝道,，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時(shí)，N溝道管開始導(dǎo)通，形成漏極電流ID,。場(chǎng)效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,，但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，Junction-FET,，JFET）,。1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor, MOSFET），從而大部分代替了JFET,，對(duì)電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義,。

在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動(dòng),，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性,，通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極-源極間的電場(chǎng),，實(shí)際上是兩個(gè)過渡層接觸漏極與門極下部附近,，由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象,。其次,，VGS向負(fù)的方向變化，讓VGS=VGS(off),，此時(shí)過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài),。而且VDS的電場(chǎng)大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場(chǎng),，只有靠近源極的很短部分,，這更使電流不能流通。場(chǎng)效應(yīng)管在電路設(shè)計(jì)中常作為信號(hào)放大器使用,，能夠有效地放大微弱信號(hào),。

MOS管的工作原理，在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路,，如圖2漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載,，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓,，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流,。是理想的模擬開關(guān)器件。這就是MOS管做開關(guān)器件的原理,。當(dāng)然MOS管做開關(guān)使用的電路形式比較多了,。NMOS管的開路漏極電路，在開關(guān)電源應(yīng)用方面,，這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷,。比如,，DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個(gè)MOS管來執(zhí)行開關(guān)功能，這些開關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量,，然后把能量釋放給負(fù)載,。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率，因?yàn)轭l率越高,，磁性元件可以更小更輕,。在正常工作期間，MOS管只相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體,。因此,，我們電路或者電源設(shè)計(jì)人員較關(guān)心的是MOS的較小傳導(dǎo)損耗。場(chǎng)效應(yīng)管有多種類型,，如JFET,、MOSFET等，滿足不同應(yīng)用需求,。深圳金屬場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格

場(chǎng)效應(yīng)管的使用壽命與工作溫度,、電壓應(yīng)力等因素有關(guān)。VMOS場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià)格

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）：1,、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式,，它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極,，它們是：柵極,；漏極；源極,。電路符號(hào)中柵極的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?,、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例)，N溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào),，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導(dǎo)電的,，形成了所謂耗盡區(qū),，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí)，如果柵極電壓越負(fù),，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,，則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄,，漏極電流ID就愈?。环粗?，如果柵極電壓沒有那么負(fù),，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,，就是說,，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。VMOS場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià)格