MOS場效應管電源開關電路，MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET),。它一般有耗盡型和增強型兩種,。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,，PNP型也叫P溝道型,。對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上,。場效應管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制,，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗,，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。場效應管的可靠性較高,，壽命長,。上海強抗輻場效應管

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS,，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向,。注②：柵源較大電壓VGSS,，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導體襯底中加了SiO2絕緣層,，只要電壓一定值超過絕緣層耐壓均會擊穿,，故有兩個方向“±”。注③：漏級較大電流ID與體二極管流過的反向漏級較大電流IDR（或稱為IS）一般規(guī)格書中數(shù)值一致,，均為流過N型半導體與P型半導體襯底形成的PN結(jié)的較大電流,。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據(jù),。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關注脈沖寬度,。珠海絕緣柵場效應管加工場效應管是一種半導體器件，通過外部電場調(diào)節(jié)電導,。

導通電阻（R_DS(on)）：場效應管導通時的漏極與源極之間的電阻,。它決定了電流通過器件時的壓降和功耗,，較小的導通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅(qū)動能力。較大漏極電流（I_D(max)）：場效應管能夠承受的較大電流,，超過這個電流值可能會導致器件過熱,、性能退化甚至長久損壞。較大漏極-源極電壓（V_DS(max)）：場效應管能夠承受的較大電壓,。超過這個電壓值可能會導致場效應管的擊穿,、熱損傷或其他形式的損壞。柵極電容（C_iss）：柵極與漏極之間的輸入電容,。它影響了信號的傳輸速度和開關過程中的電荷存儲,。

本文介紹N溝道增強型MOSFET場效應管；（1）結(jié)構(gòu),，在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上,，制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個電極,，分別作漏極d和源極s,。然后在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g,。襯底上也引出一個電極B,，這就構(gòu)成了一個N溝道增強型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好),。它的柵極與其它電極間是絕緣的,。場效應管的發(fā)展趨勢是向著高集成度、低功耗,、高可靠性和多功能化方向發(fā)展,。

結(jié)型場管腳識別，場效應管的柵極相當于晶體管的基極,，源極和漏極分別對應于晶體管的發(fā)射極和集電極,。將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正,、反向電阻,。當某兩個管腳間的正、反向電阻相等,，均為數(shù)KΩ時,，則這兩個管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個管腳即為柵極G,。對于有4個管腳的結(jié)型場效應管,，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。判定柵極，用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極,，紅表筆分別碰觸另外兩個電極,。若兩次測出的阻值都很大，說明均是反向電阻,，該管屬于N溝道場效應管,，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應管的源極和漏極是對稱的,，可以互換使用,，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分,。源極與漏極間的電阻約為幾千歐,。注意不能用此法判定絕緣柵型場效應管的柵極。因為這種管子的輸入電阻極高,，柵源間的極間電容又很小,，測量時只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓,，容易將管子損壞,。場效應管驅(qū)動電路簡單，只需一個電壓信號即可實現(xiàn)控制,，降低電路復雜度,。廣州強抗輻場效應管批發(fā)

場效應管可以用作放大器，可以放大輸入信號的幅度,。上海強抗輻場效應管

場效應晶體管：截止區(qū)：當 UGS 小于開啟電壓 UGSTH時,，MOS 不導通?？勺冸娮鑵^(qū)：UDS 很小,，I_DID 隨UDS 增大而增大。恒流區(qū)：UDS 變化,，I_DID 變化很小,。擊穿區(qū)：UDS 達到一定值時，MOS 被擊穿,，I_DID 突然增大，如果沒有限流電阻,，將被燒壞,。過損耗區(qū)：功率較大，需要加強散熱,，注意較大功率,。場效應管主要參數(shù)。場效應管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù),，但普通運用時主要關注以下一些重點參數(shù)：飽和漏源電流IDSS，夾斷電壓Up,，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管,，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）、跨導gm,、漏源擊穿電壓BUDS,、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。上海強抗輻場效應管