判斷源極S,、漏極D，將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻,。用交換表筆法測兩次電阻,，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極,，紅表筆接D極,。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些,。丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on），在源-漏之間有一個PN結(jié),，因此根據(jù)PN結(jié)正,、反向電阻存在差異，可識別S極與D極,。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管,，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）,。場效應管的價格相對較低,，適合大規(guī)模生產(chǎn)。源極場效應管加工

MOS管的工作原理,，在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路,，如圖2漏極原封不動地接負載,，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓,，都能夠接通和關(guān)斷負載電流,。是理想的模擬開關(guān)器件。這就是MOS管做開關(guān)器件的原理,。當然MOS管做開關(guān)使用的電路形式比較多了,。NMOS管的開路漏極電路，在開關(guān)電源應用方面,，這種應用需要MOS管定期導通和關(guān)斷,。比如，DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個MOS管來執(zhí)行開關(guān)功能,，這些開關(guān)交替在電感里存儲能量,，然后把能量釋放給負載。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率,，因為頻率越高,，磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間,，MOS管只相當于一個導體,。因此，我們電路或者電源設(shè)計人員較關(guān)心的是MOS的較小傳導損耗,。中山場效應管注意事項場效應管的電阻特性取決于柵極電壓,，可實現(xiàn)精確控制。

電極,，所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）、源極（source）三個端,，分別大致對應BJT的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外,，所有的FET也有第四端,，被稱為體（body）、基（base）,、塊體（bulk）或襯底（substrate）,。這個第四端可以將晶體管調(diào)制至運行；在電路設(shè)計中,，很少讓體端發(fā)揮大的作用,，但是當物理設(shè)計一個集成電路的時候，它的存在就是重要的,。在圖中柵極的長度（length）L,，是指源和漏的距離,。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直,。通常情況下寬度比長度大得多,。長度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz，0.2微米則是約30GHz,。

絕緣柵場效應管：1,、絕緣柵場效應管（MOS管）的分類：絕緣柵場效應管也有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道型和P溝道型,。無論是什么溝道,，它們又分為增強型和耗盡型兩種。2,、它是由金屬,、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效應管,，簡稱MOS場效應管,。3、絕緣柵型場效應管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管為例)它是利用UGS來控制“感應電荷”的多少,，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況,，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時,，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,，故在交界面的另一側(cè)能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通,，形成了導電溝道,，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時,，溝道內(nèi)被感應的電荷量也改變,，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化,。場效應管具有很高的耐壓特性,，可承受較高的電壓，適用于高壓電路,。

靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實就是開啟電壓Vgs（th）,，只不過這里看的角度不一樣,。注②：看完前文的讀者應該知道為什么這里兩個Rds（on）大小有差異,，不知道的回去前面重新看。動態(tài)點特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ,；Coss = Cds ,；Crss = Cgd,；注②：MOS管開啟速度較主要關(guān)注的參數(shù)是Qg，也就是形成反型層需要的總電荷量,！注③：接通/斷開延遲時間t d(on/off),、上升/下降時間tr / tf，各位工程時使用的時候請根據(jù)實際漏級電路ID,，柵極驅(qū)動電壓Vg進行判斷,。場效應管的響應速度快，可以實現(xiàn)高頻率的信號處理,。東莞漏極場效應管定制

場效應管具有低噪聲,、低功耗的特點，適用于需要高靈敏度和低功耗的電子設(shè)備中,。源極場效應管加工

場效應晶體管：截止區(qū)：當 UGS 小于開啟電壓 UGSTH時,，MOS 不導通?？勺冸娮鑵^(qū)：UDS 很小,，I_DID 隨UDS 增大而增大。恒流區(qū)：UDS 變化,，I_DID 變化很小,。擊穿區(qū)：UDS 達到一定值時，MOS 被擊穿,，I_DID 突然增大,，如果沒有限流電阻，將被燒壞,。過損耗區(qū)：功率較大,，需要加強散熱，注意較大功率,。場效應管主要參數(shù),。場效應管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù),，但普通運用時主要關(guān)注以下一些重點參數(shù)：飽和漏源電流IDSS，夾斷電壓Up,，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管,，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）、跨導gm,、漏源擊穿電壓BUDS,、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。源極場效應管加工