判斷源極S,、漏極D,，將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻,，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻,，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極,。因?yàn)闇y試前提不同,，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）,，在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,，可識(shí)別S極與D極,。例如用500型萬用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,，大于0.58W（典型值）,。場效應(yīng)管的電阻特性取決于柵極電壓，可實(shí)現(xiàn)精確控制,。東莞雙柵極場效應(yīng)管尺寸

作為電氣系統(tǒng)中的基本部件,，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢？本文將討論如何通過四步來選擇正確的MOSFET,。溝道的選擇,。為設(shè)計(jì)選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中,，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地,，而負(fù)載連接到干線電 壓上時(shí)，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān),。在低壓側(cè)開關(guān)中,，應(yīng)采用N溝道MOSFET，這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤],。當(dāng)MOSFET連接到 總線及負(fù)載接地時(shí),，就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOSFET,，這也是出于對電壓驅(qū)動(dòng)的考慮,。銅陵絕緣柵場效應(yīng)管場效應(yīng)管的價(jià)格相對較低，適合大規(guī)模生產(chǎn),。

組成,，F(xiàn)ET由各種半導(dǎo)體構(gòu)成，目前硅是較常見的,。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導(dǎo)體制造技術(shù)制造,，使用單晶半導(dǎo)體硅片作為反應(yīng)區(qū)，或者溝道。大部分的不常見體材料,，主要有非晶硅,、多晶硅或其它在薄膜晶體管中，或者有機(jī)場效應(yīng)晶體管中的非晶半導(dǎo)體,。有機(jī)場效應(yīng)晶體管基于有機(jī)半導(dǎo)體,，常常用有機(jī)柵絕緣體和電極。我們知道三極管全稱為半導(dǎo)體三極管,，也稱雙極型晶體管,、晶體三極管，是一種電流控制型半導(dǎo)體器件,，其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào),， 也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。

MOS管的工作原理,，在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路,，如圖2漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載，叫開路漏極,，開路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓,，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開關(guān)器件,。這就是MOS管做開關(guān)器件的原理,。當(dāng)然MOS管做開關(guān)使用的電路形式比較多了。NMOS管的開路漏極電路,，在開關(guān)電源應(yīng)用方面,，這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷。比如,，DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個(gè)MOS管來執(zhí)行開關(guān)功能,，這些開關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量，然后把能量釋放給負(fù)載,。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率,，因?yàn)轭l率越高，磁性元件可以更小更輕,。在正常工作期間,，MOS管只相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體。因此,，我們電路或者電源設(shè)計(jì)人員較關(guān)心的是MOS的較小傳導(dǎo)損耗,。選型場效應(yīng)管時(shí)需考慮工作頻率、功率需求等因素,。

開始形成溝道時(shí)的柵——源極電壓稱為開啟電壓,，用VT表示,。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時(shí)，不能形成導(dǎo)電溝道,，管子處于截止?fàn)顟B(tài),。只有當(dāng)vGS≥VT時(shí)，才有溝道形成,。這種必須在vGS≥VT時(shí)才能形成導(dǎo)電溝道的MOS管稱為增強(qiáng)型MOS管,。溝道形成以后,，在漏——源極間加上正向電壓vDS,，就有漏極電流產(chǎn)生。vDS對iD的影響：當(dāng)vGS>VT且為一確定值時(shí),，漏——源電壓vDS對導(dǎo)電溝道及電流iD的影響與結(jié)型場效應(yīng)管相似,。P溝道耗盡型MOSFET：P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同，只不過導(dǎo)電的載流子不同,，供電電壓極性不同而已,。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣。場效應(yīng)管也可以用作開關(guān),，可以控制電路的通斷,。惠州多晶硅金場效應(yīng)管供應(yīng)

基本場效應(yīng)管的特點(diǎn)包括輸入電阻高,、輸入電容低,。東莞雙柵極場效應(yīng)管尺寸

MOS管開關(guān)電路圖：頭一種應(yīng)用，由PMOS來進(jìn)行電壓的選擇,，當(dāng)V8V存在時(shí),，此時(shí)電壓全部由V8V提供，將PMOS關(guān)閉,，VBAT不提供電壓給VSIN,，而當(dāng)V8V為低時(shí)，VSIN由8V供電,。注意R120的接地,，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低，確保PMOS的正常開啟,，這也是前文所描述的柵極高阻抗所帶來的狀態(tài)隱患,。D9和D10的作用在于防止電壓的倒灌。D9可以省略,。這里要注意到實(shí)際上該電路的DS接反,，這樣由附生二極管導(dǎo)通導(dǎo)致了開關(guān)管的功能不能達(dá)到，實(shí)際應(yīng)用要注意,。東莞雙柵極場效應(yīng)管尺寸