場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,，并以此命名,，場(chǎng)效應(yīng)管[2]是常見(jiàn)的電子元件，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）,、噪聲小、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大,、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),。場(chǎng)效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明，但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來(lái)（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）,，1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,，從而大部分代替了JFET，對(duì)電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義,。場(chǎng)效應(yīng)管是一種重要的半導(dǎo)體器件,，它利用電場(chǎng)效應(yīng)控制電流，實(shí)現(xiàn)電路的開(kāi)關(guān)和放大功能,。佛山多晶硅金場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）：1,、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極,，它們是：柵極；漏極,；源極,。電路符號(hào)中柵極的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?,、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例)，N溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào),，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,，故PN基本上是不導(dǎo)電的，形成了所謂耗盡區(qū),，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí),，如果柵極電壓越負(fù)，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,，則漏,、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄，漏極電流ID就愈??；反之，如果柵極電壓沒(méi)有那么負(fù),，則溝道變寬,，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,，就是說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,。佛山金屬場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià)格在選擇場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),，要考慮其成本效益，根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的性價(jià)比產(chǎn)品,。

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管：1,、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）的分類：絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道型和P溝道型,。無(wú)論是什么溝道,，它們又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。2,、它是由金屬,、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,，簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管,。3、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例)它是利用UGS來(lái)控制“感應(yīng)電荷”的多少,，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí),，通過(guò)工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷,，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道,，即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID,。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變,，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變,，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型晶體管比,，它的體積小,，重量輕，壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),，而且輸入回路的內(nèi)阻特別高,，噪聲低、熱穩(wěn)定性好（因?yàn)閹缀踔焕枚嘧訉?dǎo)電）,、防輻射能力強(qiáng)以及省電等優(yōu)點(diǎn),，幾乎場(chǎng)效應(yīng)管占據(jù)的絕大部分市場(chǎng)。有利就有弊,，而場(chǎng)效應(yīng)管的放大倍數(shù)要小于雙極型晶體管的放大倍數(shù)（原因后續(xù)詳解）,。根據(jù)制作主要工藝主要分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(Junction Field Effect Transistor，JFET)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管),，下面來(lái)具體來(lái)看這兩種管子,。場(chǎng)效應(yīng)管(FET)基礎(chǔ)知識(shí)：名稱，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor 縮寫(FET)）,，簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管,。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET-JFET)，金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 （metal-oxide semiconductor FET,，簡(jiǎn)稱MOS-FET）,，由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管,，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。與之對(duì)應(yīng)的是由兩種載流子參與導(dǎo)電的雙極型晶體管，三極管(BJT),，屬于電流控制型半導(dǎo)體器件,。JFET是一種可用作功率放大器或開(kāi)關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)管。

電機(jī)驅(qū)動(dòng)：在電機(jī)控制系統(tǒng)中,，場(chǎng)效應(yīng)管用于控制電機(jī)的啟動(dòng),、停止和速度調(diào)節(jié)。LED驅(qū)動(dòng)：場(chǎng)效應(yīng)管用于LED驅(qū)動(dòng)電路中，提供恒流源以保證LED的穩(wěn)定亮度,。場(chǎng)效應(yīng)管的這些應(yīng)用展示了其在現(xiàn)代電子技術(shù)中的多樣性和重要性,。通過(guò)選擇合適的場(chǎng)效應(yīng)管類型和設(shè)計(jì)合適的電路，可以實(shí)現(xiàn)高效,、可靠的電子系統(tǒng),。我們知道三極管全稱為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管,、晶體三極管,，是一種電流控制型半導(dǎo)體器件，其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào),， 也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān),。場(chǎng)效應(yīng)管的特性可以通過(guò)外部電路的調(diào)整來(lái)滿足不同的應(yīng)用需求。紹興功耗低場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管具有高頻響應(yīng)特性,，適用于高頻,、高速電路，如雷達(dá),、衛(wèi)星通信等,。佛山多晶硅金場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商

MOSFET應(yīng)用案例解析：開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言，這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷,。同時(shí),，有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_(kāi)關(guān)電源，這里考慮一個(gè)簡(jiǎn)單的例子,。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠?jī)蓚€(gè)MOSFET來(lái)執(zhí)行開(kāi)關(guān)功能(下圖),，這些開(kāi)關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量，然后把能量開(kāi)釋給負(fù)載,。目前，設(shè)計(jì)職員經(jīng)常選擇數(shù)百kHz乃至1 MHz以上的頻率,，由于頻率越高,，磁性元件可以更小更輕。開(kāi)關(guān)電源中第二重要的MOSFET參數(shù)包括輸出電容,、閾值電壓,、柵極阻抗和雪崩能量。佛山多晶硅金場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商