判斷源極S、漏極D,，將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻,。用交換表筆法測(cè)兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻,，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極,。因?yàn)闇y(cè)試前提不同,，測(cè)出的RDS（on）值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）,，在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,，可識(shí)別S極與D極,。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,，大于0.58W（典型值）,。JFET是一種可用作功率放大器或開(kāi)關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)管。江門(mén)單極型場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)

MOSFET的特性和作用：MOS管導(dǎo)作用,，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,，由于SiO2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容存在,，電壓VGS產(chǎn)生電場(chǎng)從而導(dǎo)致源source和drain是可以對(duì)調(diào)的,，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能,。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面,，排名頭一的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品,。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB,、計(jì)算機(jī)類適配器,、LCD顯示器等產(chǎn)品，隨著國(guó)情的發(fā)展計(jì)算機(jī)主板,、計(jì)算機(jī)類適配器,、LCD顯示器對(duì)MOS管的需求有要超過(guò)消費(fèi)類電子電源適配器的現(xiàn)象了。第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信,、工業(yè)控制,、汽車(chē)電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了，這些產(chǎn)品對(duì)于MOS管的需求也是很大的,，特別是現(xiàn)在汽車(chē)電子對(duì)于MOS管的需求直追消費(fèi)類電子了,。徐州半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)場(chǎng)效應(yīng)管也可以用作開(kāi)關(guān)，可以控制電路的通斷,。

MOS管的工作原理,，在開(kāi)關(guān)電源中常用MOS管的漏極開(kāi)路電路，如圖2漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載,，叫開(kāi)路漏極,，開(kāi)路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流,。是理想的模擬開(kāi)關(guān)器件,。這就是MOS管做開(kāi)關(guān)器件的原理。當(dāng)然MOS管做開(kāi)關(guān)使用的電路形式比較多了,。NMOS管的開(kāi)路漏極電路,，在開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用方面，這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷,。比如,，DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個(gè)MOS管來(lái)執(zhí)行開(kāi)關(guān)功能，這些開(kāi)關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量,，然后把能量釋放給負(fù)載,。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率，因?yàn)轭l率越高,，磁性元件可以更小更輕,。在正常工作期間，MOS管只相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體,。因此,，我們電路或者電源設(shè)計(jì)人員較關(guān)心的是MOS的較小傳導(dǎo)損耗,。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管：截止區(qū)：當(dāng) UGS 小于開(kāi)啟電壓 UGSTH時(shí)，MOS 不導(dǎo)通,?？勺冸娮鑵^(qū)：UDS 很小，I_DID 隨UDS 增大而增大,。恒流區(qū)：UDS 變化,，I_DID 變化很小。擊穿區(qū)：UDS 達(dá)到一定值時(shí),，MOS 被擊穿,，I_DID 突然增大，如果沒(méi)有限流電阻,，將被燒壞,。過(guò)損耗區(qū)：功率較大，需要加強(qiáng)散熱,，注意較大功率,。場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)。場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多,，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運(yùn)用時(shí)主要關(guān)注以下一些重點(diǎn)參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up,，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開(kāi)啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）,、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS,、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM,。場(chǎng)效應(yīng)管在高頻電路中表現(xiàn)出色，能夠保持較低的失真和較高的效率,。

馬達(dá)控制應(yīng)用馬達(dá)控制應(yīng)用是功率MOSFET大有用武之地的另一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,。典型的半橋式控制電路采用2個(gè)MOSFET (全橋式則采用4個(gè))，但這兩個(gè)MOSFET的關(guān)斷時(shí)間(死區(qū)時(shí)間)相等,。對(duì)于這類應(yīng)用,，反向恢復(fù)時(shí)間(trr) 非常重要。在控制電感式負(fù)載(比如馬達(dá)繞組)時(shí),，控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關(guān)斷狀態(tài),，此時(shí)橋式電路中的另一個(gè)開(kāi)關(guān)經(jīng)過(guò)MOSFET中的體二極管臨時(shí)反向傳導(dǎo)電流。于是,，電流重新循環(huán),，繼續(xù)為馬達(dá)供電,。當(dāng)頭一個(gè)MOSFET再次導(dǎo)通時(shí)，另一個(gè)MOSFET二極管中存儲(chǔ)的電荷必須被移除,，通過(guò)頭一個(gè)MOSFET放電,，而這是一種能量的損耗，故trr 越短,，這種損耗越小,。在設(shè)計(jì)電路時(shí)，合理選擇場(chǎng)效應(yīng)管的型號(hào)和工作參數(shù),，以滿足電路要求,。江門(mén)單極型場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)

熟練掌握?qǐng)鲂?yīng)管的使用方法和注意事項(xiàng)，對(duì)于電子工程師來(lái)說(shuō)是提升電路設(shè)計(jì)能力和解決實(shí)際問(wèn)題的重要技能,。江門(mén)單極型場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)

在近期的工作中,，小編接觸到了之前不太熟悉的一種電子元器件——場(chǎng)效應(yīng)管，在查找相關(guān)資料時(shí),，經(jīng)常會(huì)看到另幾個(gè)元器件,，比如mos管、二極管,、三極管,，網(wǎng)上甚至有種說(shuō)法：場(chǎng)效應(yīng)管和mos管就是一種東西。這種說(shuō)法當(dāng)然是不夠準(zhǔn)確的,，為了能夠更好地認(rèn)識(shí)這幾種元器件,，本文就給大家詳細(xì)科普一下！場(chǎng)效應(yīng)管,，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管,，主要有兩種類型（junction FET-JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,，具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）,、噪聲小、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大,、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。江門(mén)單極型場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)