場(chǎng)效應(yīng)晶體管：截止區(qū)：當(dāng) UGS 小于開啟電壓 UGSTH時(shí),，MOS 不導(dǎo)通,。可變電阻區(qū)：UDS 很小，I_DID 隨UDS 增大而增大,。恒流區(qū)：UDS 變化,，I_DID 變化很小,。擊穿區(qū)：UDS 達(dá)到一定值時(shí),，MOS 被擊穿，I_DID 突然增大,，如果沒有限流電阻,，將被燒壞。過損耗區(qū)：功率較大,，需要加強(qiáng)散熱,，注意較大功率。場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù),。場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多,，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),，但普通運(yùn)用時(shí)主要關(guān)注以下一些重點(diǎn)參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管,，或開啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）,、跨導(dǎo)gm,、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM,。場(chǎng)效應(yīng)管的使用壽命與工作溫度,、電壓應(yīng)力等因素有關(guān)。東莞多晶硅金場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格

現(xiàn)在的高清,、液晶,、等離子電視機(jī)中開關(guān)電源部分除了采用了PFC技術(shù)外,，在元器件上的開關(guān)管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過去的大功率晶體三極管,，使整機(jī)的效率、可靠較大程度上提高,，故障率大幅的下降,。MOS管和大功率晶體三極管在結(jié)構(gòu)、特性有著本質(zhì)上的區(qū)別,，所以在應(yīng)用上,，它的驅(qū)動(dòng)電路比晶體三極管復(fù)雜。所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）,、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)雙極性晶體管的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）,。東莞多晶硅金場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格在設(shè)計(jì)電路時(shí)，應(yīng)根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的場(chǎng)效應(yīng)管類型,，以實(shí)現(xiàn)較佳的性能和效果,。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET,，簡(jiǎn)稱MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管,。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小,、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者,。

MOS管開關(guān)電路圖：頭一種應(yīng)用,，由PMOS來進(jìn)行電壓的選擇,，當(dāng)V8V存在時(shí)，此時(shí)電壓全部由V8V提供,，將PMOS關(guān)閉,，VBAT不提供電壓給VSIN，而當(dāng)V8V為低時(shí),，VSIN由8V供電,。注意R120的接地，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低,，確保PMOS的正常開啟,，這也是前文所描述的柵極高阻抗所帶來的狀態(tài)隱患。D9和D10的作用在于防止電壓的倒灌,。D9可以省略,。這里要注意到實(shí)際上該電路的DS接反，這樣由附生二極管導(dǎo)通導(dǎo)致了開關(guān)管的功能不能達(dá)到,，實(shí)際應(yīng)用要注意,。場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝不斷改進(jìn)，使得其性能更加穩(wěn)定,，可靠性更高,。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）,，屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,，因此具有很高的輸入電阻（較高可達(dá)1015Ω）,。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起,。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型,。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài),，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極,，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子,，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指,，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道,，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道,，因而“耗盡”了載流子,，使管子轉(zhuǎn)向截止,。場(chǎng)效應(yīng)管的發(fā)展趨勢(shì)是向著高集成度、低功耗,、高可靠性和多功能化方向發(fā)展,。南京N溝道場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià)格

場(chǎng)效應(yīng)管在無線電領(lǐng)域具有普遍應(yīng)用，如射頻放大器,、混頻器,、振蕩器等，提高通信質(zhì)量,。東莞多晶硅金場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格

開始形成溝道時(shí)的柵——源極電壓稱為開啟電壓,，用VT表示。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時(shí),，不能形成導(dǎo)電溝道,，管子處于截止?fàn)顟B(tài),。只有當(dāng)vGS≥VT時(shí),，才有溝道形成。這種必須在vGS≥VT時(shí)才能形成導(dǎo)電溝道的MOS管稱為增強(qiáng)型MOS管,。溝道形成以后,，在漏——源極間加上正向電壓vDS，就有漏極電流產(chǎn)生,。vDS對(duì)iD的影響：當(dāng)vGS>VT且為一確定值時(shí),，漏——源電壓vDS對(duì)導(dǎo)電溝道及電流iD的影響與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管相似。P溝道耗盡型MOSFET：P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同,，只不過導(dǎo)電的載流子不同,，供電電壓極性不同而已。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣,。東莞多晶硅金場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格