MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS,，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值,，故只有一個(gè)方向,。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓,，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層,，只要電壓一定值超過絕緣層耐壓均會(huì)擊穿，故有兩個(gè)方向“±”,。注③：漏級(jí)較大電流ID與體二極管流過的反向漏級(jí)較大電流IDR（或稱為IS）一般規(guī)格書中數(shù)值一致,，均為流過N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體襯底形成的PN結(jié)的較大電流。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度,，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據(jù),。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關(guān)注脈沖寬度。場效應(yīng)管利用輸入電場控制輸出電流,，因此具有高輸入電阻和低輸出阻礙的特點(diǎn),。中山強(qiáng)抗輻場效應(yīng)管定制價(jià)格

電機(jī)驅(qū)動(dòng)：在電機(jī)控制系統(tǒng)中，場效應(yīng)管用于控制電機(jī)的啟動(dòng),、停止和速度調(diào)節(jié),。LED驅(qū)動(dòng)：場效應(yīng)管用于LED驅(qū)動(dòng)電路中，提供恒流源以保證LED的穩(wěn)定亮度,。場效應(yīng)管的這些應(yīng)用展示了其在現(xiàn)代電子技術(shù)中的多樣性和重要性,。通過選擇合適的場效應(yīng)管類型和設(shè)計(jì)合適的電路，可以實(shí)現(xiàn)高效,、可靠的電子系統(tǒng),。我們知道三極管全稱為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管,、晶體三極管,，是一種電流控制型半導(dǎo)體器件，其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào),， 也用作無觸點(diǎn)開關(guān),。肇慶多晶硅金場效應(yīng)管供應(yīng)商在選擇場效應(yīng)管時(shí)，要考慮其成本效益,，根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的性價(jià)比產(chǎn)品,。

計(jì)算導(dǎo)通損耗。MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計(jì)算,，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化,，因此功率耗損也會(huì)隨之按比例變化。對(duì)便攜 式設(shè)計(jì)來說,，采用較低的電壓比較容易(較為普遍),，而對(duì)于工業(yè)設(shè)計(jì)，可采用較高的電壓,。注意RDS(ON)電阻會(huì)隨著電流輕微上升,。關(guān)于RDS(ON)電 阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到,。計(jì)算系統(tǒng)的散熱要求。設(shè)計(jì)人員必須考慮兩種不同的情況,，即較壞情況和真實(shí)情況,。建議采用針對(duì)較壞情況的計(jì)算結(jié)果，因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量,，能 確保系統(tǒng)不會(huì)失效,。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數(shù)據(jù)；比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻,，以及較大的結(jié)溫,。開關(guān)損耗其實(shí)也是一個(gè)很重要的指標(biāo)。從下圖可以看到,，導(dǎo)通瞬間的電壓電流乘積相當(dāng)大,。一定程度上決定了器件的開關(guān)性能。不過,，如果系統(tǒng)對(duì)開關(guān)性能要求比較高,，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。

場效應(yīng)管注意事項(xiàng)：為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,，要求一切測試儀器,、工作臺(tái)、電烙鐵,、線路本身都必須有良好的接地,；管腳在焊接時(shí),，先焊源極,；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),，焊接完后才把短接材料去掉,；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等,；當(dāng)然,，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接場效應(yīng)管是比較方便的,，并且確保安全,；在未關(guān)斷電源時(shí)，一定不可以把管插人電路或從電路中拔出,。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時(shí)必須注意,。場效應(yīng)管具有低噪聲、低功耗的特點(diǎn),，適用于需要高靈敏度和低功耗的電子設(shè)備中,。

效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用特點(diǎn)：1.場效應(yīng)管在源極金屬與襯底連在一起時(shí),，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大,；而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時(shí),，其特性差異很大，β值將減小很多,。2.場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小,，在低噪聲放大電路的輸入級(jí)及要求信噪比較高的電路中要選用場效應(yīng)管。3.場效應(yīng)管和三極管均可組成各種放大電路和開關(guān)電路,，但由于前者制造工藝簡單,，且具有耗電少，熱穩(wěn)定性好,，工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點(diǎn),，因而被普遍用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。4.三極管導(dǎo)通電阻大,，場效應(yīng)管導(dǎo)通電阻小,，只有幾百毫歐姆，在現(xiàn)用電器件上,，一般都用場效應(yīng)管做開關(guān)來用,，他的效率是比較高的。在使用場效應(yīng)管時(shí),，需要注意避免靜電放電,，以免損壞器件。中山強(qiáng)抗輻場效應(yīng)管定制價(jià)格

使用場效應(yīng)管時(shí)需注意靜電防護(hù),，防止損壞敏感的柵極,。中山強(qiáng)抗輻場效應(yīng)管定制價(jià)格

開始形成溝道時(shí)的柵——源極電壓稱為開啟電壓，用VT表示,。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時(shí),，不能形成導(dǎo)電溝道，管子處于截止?fàn)顟B(tài),。只有當(dāng)vGS≥VT時(shí),，才有溝道形成。這種必須在vGS≥VT時(shí)才能形成導(dǎo)電溝道的MOS管稱為增強(qiáng)型MOS管,。溝道形成以后,，在漏——源極間加上正向電壓vDS，就有漏極電流產(chǎn)生,。vDS對(duì)iD的影響：當(dāng)vGS>VT且為一確定值時(shí),，漏——源電壓vDS對(duì)導(dǎo)電溝道及電流iD的影響與結(jié)型場效應(yīng)管相似。P溝道耗盡型MOSFET：P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同,，只不過導(dǎo)電的載流子不同,，供電電壓極性不同而已,。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣。中山強(qiáng)抗輻場效應(yīng)管定制價(jià)格